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      一種晶體振蕩器電路的制作方法

      文檔序號(hào):11291677閱讀:561來(lái)源:國(guó)知局
      一種晶體振蕩器電路的制造方法與工藝

      本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種晶體振蕩器電路。



      背景技術(shù):

      晶體振蕩器簡(jiǎn)稱晶振,是利用具有壓電效應(yīng)的晶體片制成的。這種晶體薄片受到外加交變電場(chǎng)的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),當(dāng)交變電場(chǎng)的頻率與晶體的固有頻率相同時(shí),振動(dòng)便變得很強(qiáng)烈,這就是晶體諧振特性的反應(yīng)。利用這種特性,就可以用諧振器取代lc(線圈和電容)諧振回路、濾波器等。由于諧振器具有體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點(diǎn),被應(yīng)用于家用電器和通信設(shè)備中。晶體振蕩器因具有極高的頻率穩(wěn)定性,故主要用在要求頻率十分穩(wěn)定的振蕩電路中作諧振元件。

      傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路如圖1所示,包括:第一電阻r1、第一電感l(wèi)1、第一電容c1和第二電容c2。第一電容c1、第一電感l(wèi)1、第一電阻r1依次串聯(lián)后與第二電容c2并聯(lián),接于輸入端uin與輸出端uout之間。

      上述傳統(tǒng)的晶體振蕩器具有起振難的缺點(diǎn),有些頻率的晶體振蕩器起振時(shí)間甚至達(dá)到了幾秒甚至幾十秒,這在很多系統(tǒng)應(yīng)用中是不可接受的。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為解決現(xiàn)有晶體振蕩器起振難的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明對(duì)傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路進(jìn)行了改進(jìn),提供了一種快速起振的晶體振蕩器電路。

      一種晶體振蕩器電路,包括:第一電阻r1、第一電感l(wèi)1、第一電容c1和第二電容c2;所述第一電容c1、第一電感l(wèi)1、第一電阻r1依次串聯(lián)后作為第一支路,所述晶體振蕩器電路還包括第二電阻r2、第二電感l(wèi)2;所述第二電感l(wèi)2與所述第二電容c2和第二電阻r2并聯(lián)后的電路串聯(lián)作為第二支路,所述第一支路與所述第二支路并聯(lián)后接于輸入端uin與輸出uout端之間。

      本發(fā)明的晶體振蕩器電路在傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路基礎(chǔ)上,引入了第二電感l(wèi)2和第二電阻r2,第二電感和第二電阻的引入大大降低了晶體振蕩器起振的難度,加快了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

      附圖說(shuō)明

      圖1是傳統(tǒng)的晶體振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2是本發(fā)明的晶體振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了,下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖,對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外,在以下說(shuō)明中,省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

      為了解決傳統(tǒng)晶體振蕩器起振難的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種晶體振蕩器電路,如圖2所示,包括:第一電阻r1、第二電阻r2、第一電感l(wèi)1、第二電感l(wèi)2、第一電容c1和第二電容c2;所述第一電容c1、第一電感l(wèi)1、第一電阻r1依次串聯(lián)后作為第一支路,所述第二電感l(wèi)2與所述第二電容c2和第二電阻r2并聯(lián)后的電路串聯(lián)作為第二支路,所述第一支路與所述第二支路并聯(lián)后接于輸入端uin與輸出uout端之間。

      本發(fā)明的晶體振蕩器電路在傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路的基礎(chǔ)上,引入了第二電感l(wèi)2和第二電阻r2,第二電感和第二電阻的引入大大降低了晶體振蕩器起振的難度,加快了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

      應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說(shuō)明或解釋本發(fā)明的原理,而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。因此,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外,本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供了一種晶體振蕩器電路,屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該晶體振蕩器電路包括:第一電阻R1、第一電感L1、第一電容C1和第二電容C2;所述第一電容C1、第一電感L1、第一電阻R1依次串聯(lián)后作為第一支路,其特征在于,還包括第二電阻R2、第二電感L2;所述第二電感L2與所述第二電容C2和第二電阻R2并聯(lián)后的電路串聯(lián)作為第二支路,所述第一支路與所述第二支路并聯(lián)后接于輸入端UIN與輸出UOUT端之間。本發(fā)明的晶體振蕩器電路在傳統(tǒng)的晶體振蕩器電路基礎(chǔ)上,引入了第二電感和第二電阻,第二電感和第二電阻的引入大大降低了晶體振蕩器起振的難度,加快了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

      技術(shù)研發(fā)人員:不公告發(fā)明人
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:長(zhǎng)沙方星騰電子科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.05.30
      技術(shù)公布日:2017.09.22
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