專利名稱：電路板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電路板的表面處理方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，作為電子產(chǎn)品基本構(gòu)件的電路板的制作技術(shù)顯得越來(lái)越重要 ，線路和孔的制作要求也越來(lái)越精細(xì)。電路板具有單面板、雙面板和多層板之分，均由覆銅 基板經(jīng)裁切、鉆孔、蝕刻、曝光、顯影等一系列制程制作而成。具體可參閱C.H. Steer等人 在Proceedings of the IEEE， Vol. 39， No. 2 (2002年8月)中發(fā)表的"Dielectric characterization of printed circuit board substrates" ^^文。
電路板制作過(guò)程中，通常采用在覆銅基板上鉆孔并在導(dǎo)通孔內(nèi)壁鍍銅的方式實(shí)現(xiàn)電路板 各層間線路的連通。然而，在鍍銅后，電路板外表面的導(dǎo)電層極易形成凹陷區(qū)域，使得電路 板外表面不平整。該凹陷區(qū)域的深度通常約為幾微米，當(dāng)其凹陷深度超過(guò)5微米時(shí)，將會(huì)直 接影響到后續(xù)的線路制作與防焊處理等制程，進(jìn)而影響電路板的線路導(dǎo)通質(zhì)量以及良率。
而現(xiàn)有技術(shù)通常為將電路板直接進(jìn)行磨刷處理，以磨平外表面導(dǎo)電層的凹陷區(qū)域。但是 ，將電路板直接進(jìn)行磨刷處理時(shí)，由于刷輪本身相對(duì)于電路板會(huì)產(chǎn)生一定的彈性變形，其對(duì) 外表面導(dǎo)電層的各個(gè)區(qū)域即凹陷區(qū)域與非凹陷區(qū)域所施加的磨刷力幾乎相同。因此，并不能 有效磨平電路板外表面。
因此，有必要提供一種可有效磨平電路板外表面的電路板處理方法。

發(fā)明內(nèi)容
下面將以具體實(shí)施例說(shuō)明 一種電路板處理方法。
本技術(shù)方案提供一種電路板處理方法，包括步驟提供電路板，所述電路板具有外表面 ，所述外表面具有凹陷區(qū)域；以液態(tài)光阻劑覆蓋所述外表面，形成一層覆蓋層；移除部分覆 蓋層，以暴露出凹陷區(qū)域以外的電路板，并使所述外表面為平面；拋光所述外表面，以去除 其余覆蓋層，從而獲得外表面為平面的電路板。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案的電路板處理方法首先利用液態(tài)光阻劑覆蓋電路板的外 表面并形成覆蓋層，再移除部分覆蓋層，以暴露出凹陷區(qū)域以外的電路板，并使所述外表面 為平面，然后拋光所述外表面時(shí)，由于電路板的外表面為平面，外表面的各個(gè)區(qū)域同時(shí)均勻 受力。因此，在外表面拋光后仍為平面，也就是說(shuō)，可以獲得拋光后外表面為平面的電路板。當(dāng)然，在拋光過(guò)程中，在覆蓋層被磨去的同時(shí)凹陷區(qū)域也在逐漸消失，其余覆蓋層被完全 去除時(shí)，凹陷區(qū)域也完全消失。


圖l是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的待處理電路板的剖視圖。 圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的已形成覆蓋層的電路板的剖視圖。 圖3是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的已移除凹陷區(qū)域以外的覆蓋層的電路板的剖視圖。 圖4是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的已移除凹陷區(qū)域的覆蓋層的電路板的剖視圖。 圖5是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的已完成表面處理的電路板的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本技術(shù)方案的電路板處理方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。 本技術(shù)方案實(shí)施例的電路板處理方法包括以下步驟
第一步，提供電路板100，所述電路板100具有外表面102，所述外表面102具有凹陷區(qū)域
請(qǐng)參閱圖l，所述電路板100包括絕緣層10、第一導(dǎo)電層20、第二導(dǎo)電層30。所述第一導(dǎo) 電層20與第二導(dǎo)電層30分別位于絕緣層10的兩個(gè)相對(duì)的表面。所述第一導(dǎo)電層20與第二導(dǎo)電 層30之間具有導(dǎo)通孔40。所述導(dǎo)通孔40電鍍后可以實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層20與第二導(dǎo)電層30間的電 氣連接。本實(shí)施例中，所述電路板100的外表面102是指第一導(dǎo)電層20遠(yuǎn)離絕緣層10的表面。 所述外表面102具有凹陷區(qū)域22。本實(shí)施例中，所述凹陷區(qū)域22位于與導(dǎo)通孔40相對(duì)應(yīng)的位 置。
第二步，以液態(tài)光阻劑覆蓋所述電路板100的外表面102，形成一層覆蓋層50。 請(qǐng)參閱圖2，以液態(tài)光阻劑覆蓋電路板100之第一導(dǎo)電層20，從而于外表面102上形成覆 蓋層50。所述覆蓋層50可以通過(guò)噴涂、涂布或印刷等技術(shù)手段形成，從而，在覆蓋層50形成 過(guò)程中不會(huì)對(duì)第一導(dǎo)電層20造成擠壓，可避免第一導(dǎo)電層20發(fā)生進(jìn)一步的變形和凹陷。所述 覆蓋層50覆蓋于所述電路板100的整個(gè)外表面102，且填充滿位于所述外表面102的凹陷區(qū)域 22。所述覆蓋層50覆蓋于第一導(dǎo)電層20后，由于液態(tài)光阻劑具有一定流動(dòng)性能，因此，其遠(yuǎn) 離第一導(dǎo)電層20的表面為平面。
所述液態(tài)光阻劑可為正光阻劑或負(fù)光阻劑。本實(shí)施例中為正光阻劑。 第三步，移除部分覆蓋層50，以暴露出凹陷區(qū)域22以外的電路板100，并使所述外表面 102為平面。
移除部分覆蓋層50包括如下步驟首先，半固化所述覆蓋層50。
4請(qǐng)參閱圖3，將所述電路板100進(jìn)行烘烤處理，蒸發(fā)掉液態(tài)光阻劑中的部分水分，即去除 覆蓋層50中的部分水分，使覆蓋層50處于半固化狀態(tài)，從而覆蓋層50可具有一定的強(qiáng)度且不 會(huì)輕易從第一導(dǎo)電層20的表面分離脫落。
其次，通過(guò)曝光、顯影移除凹陷區(qū)域22以外的覆蓋層50，以暴露出凹陷區(qū)域22以外的電 路板IOO。
由于本實(shí)施例中，所述覆蓋層50由正光阻劑形成，其本身難溶于堿性的顯影液，但受光 照射反應(yīng)后，會(huì)解離成易溶于顯影液的酸性高分子化合物。因此，利用具有一定圖案的光罩 遮擋于電路板100的覆蓋層50的上方進(jìn)行曝光處理時(shí)，該光罩的不透光區(qū)域?qū)?yīng)著電路板 100的凹陷區(qū)域22，而凹陷區(qū)域22以外的覆蓋層50對(duì)應(yīng)著透光區(qū)域。曝光后，用顯影液將經(jīng) 過(guò)曝光的覆蓋于凹陷區(qū)域22以外的正光阻劑覆蓋層50去除，從而可以暴露出凹陷區(qū)域22以外 的電路板IOO，而對(duì)應(yīng)于凹陷區(qū)域22的覆蓋層50仍附著于第一導(dǎo)電層20。
當(dāng)然，當(dāng)所述覆蓋層50由負(fù)光阻劑形成時(shí)，僅需使得光罩的不透光區(qū)域與電路板100的 非凹陷區(qū)域相對(duì)應(yīng)，而透光區(qū)域與電路板100的凹陷區(qū)域22相對(duì)應(yīng)，同樣可以移除凹陷區(qū)域 22以外的覆蓋層50。
再次，固化所述覆蓋層50。
請(qǐng)參閱圖4，將所述電路板100再次進(jìn)行烘烤處理，完全烘干液態(tài)光阻劑，即完全去除覆 蓋層50中的水分，使覆蓋層50處于完全固化狀態(tài)，從而覆蓋層50可緊密地附著于第一導(dǎo)電層 20的表面。
最后，利用物理磨刷移除凹陷區(qū)域22的部分覆蓋層50，使液態(tài)光阻劑僅保留在第一導(dǎo)電 層20的凹陷區(qū)域22內(nèi)，從而使外表面102形成一個(gè)平面。
第四步，拋光電路板100的外表面102，即拋光第一導(dǎo)電層20，以去除其余覆蓋層50，從 而獲得外表面102為平面的電路板100。
對(duì)第一導(dǎo)電層20進(jìn)行拋光處理，即利用化學(xué)蝕刻、化學(xué)機(jī)械研磨或電解處理等技術(shù)手段 對(duì)所述外表面102進(jìn)行表面微處理。本實(shí)施例中，采用化學(xué)蝕刻的方法對(duì)外表面102進(jìn)行表面 微蝕，其先后經(jīng)過(guò)水洗、微蝕刻、水洗與抗氧化處理等工序。當(dāng)然，若一次表面微蝕不能完 全去除外表面102高于凹陷區(qū)域22最低點(diǎn)的導(dǎo)電層與液態(tài)光阻劑時(shí)，可對(duì)所述外表面102進(jìn)行 多次表面微蝕處理。從而，使得凹陷區(qū)域22的凹陷深度降低直至消失，同時(shí)外表面102上高 于凹陷區(qū)域22的表面導(dǎo)電層也會(huì)被蝕刻掉，從而提高第一導(dǎo)電層20表面的平整度，獲得外表 面102為平面的電路板100，即實(shí)現(xiàn)了電路板100表面的平整處理，如圖5所示。
當(dāng)然，所述電路板處理方法可適用于硬性印刷電路板、軟性印刷電路板或軟硬結(jié)合印刷電路板中的單面板、雙面板或多層板。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案的電路板處理方法首先利用液態(tài)光阻劑覆蓋電路板100的 外表面102并形成覆蓋層50，再移除部分覆蓋層50，以暴露出凹陷區(qū)域22以外的電路板100， 并使所述外表面102為平面，然后拋光所述外表面102時(shí)，由于電路板100的外表面102為平面 ，外表面102的各個(gè)區(qū)域同時(shí)均勻受力。因此，在外表面102拋光后仍為平面，也就是說(shuō)，可 以獲得拋光后外表面102為平面的電路板100。當(dāng)然，在拋光過(guò)程中，在覆蓋層50被磨去的同 時(shí)凹陷區(qū)域22也在逐漸消失，其余覆蓋層50被完全去除時(shí)，凹陷區(qū)域22也完全消失。
可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本技術(shù)方案的技術(shù)構(gòu)思做出 其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本技術(shù)方案權(quán)利要求的保護(hù)范 圍。
權(quán)利要求
1.一種電路板處理方法，包括步驟提供電路板，所述電路板具有外表面，所述外表面具有凹陷區(qū)域；以液態(tài)光阻劑覆蓋所述外表面，形成一層覆蓋層；移除部分覆蓋層，以暴露出凹陷區(qū)域以外的電路板，并使所述外表面為平面；拋光所述外表面，以去除其余覆蓋層，從而獲得外表面為平面的電路板。
2. 如權(quán)利要求l所述的電路板處理方法，其特征在于，所述移除部 分覆蓋層時(shí)，先移除凹陷區(qū)域以外的覆蓋層，以暴露出凹陷區(qū)域以外的電路板，再移除凹陷 區(qū)域的部分覆蓋層，以使所述外表面為平面。
3. 如權(quán)利要求2所述的電路板處理方法 顯影工序移除凹陷區(qū)域以外的覆蓋層。
4. 如權(quán)利要求3所述的電路板處理方法 域以外的覆蓋層之前，烘烤電路板以半固化所述覆蓋層。
5. 如權(quán)利要求2所述的電路板處理方法 刷移除凹陷區(qū)域的部分覆蓋層。
6. 如權(quán)利要求5所述的電路板處理方法 域的部分覆蓋層之前，烘烤電路板以完全固化所述覆蓋層。
7. 如權(quán)利要求l所述的電路板處理方法 阻劑通過(guò)噴涂、涂布或印刷方式覆蓋于所述外表面。
8. 如權(quán)利要求l所述的電路板處理方法 亥lj、化學(xué)機(jī)械研磨或電解處理拋光所述外表面。
9. 如權(quán)利要求8所述的電路板處理方法 刻包括水洗、微蝕刻、水洗與抗氧化處理工序。
10. 如權(quán)利要求l所述的電路板處理方法，其特征在于，所述電路板 具有導(dǎo)通孔，所述凹陷區(qū)域與導(dǎo)通孔相對(duì)應(yīng)。其特征在于，通過(guò)曝光和 其特征在于，移除凹陷區(qū) 其特征在于，通過(guò)物理磨 其特征在于，移除凹陷區(qū) 其特征在于，所述液態(tài)光 其特征在于，利用化學(xué)蝕 其特征在于，所述化學(xué)蝕
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路板處理方法，包括步驟提供電路板，所述電路板具有外表面，所述外表面具有凹陷區(qū)域；以液態(tài)光阻劑覆蓋所述外表面，形成一層覆蓋層；移除部分覆蓋層，以暴露出凹陷區(qū)域以外的電路板，并使所述外表面為平面；拋光所述外表面，以去除其余覆蓋層，從而獲得外表面為平面的電路板。所述電路板處理方法可有效提高電路板外表面的平整度。
文檔編號(hào)H05K3/22GK101646309SQ20081030338
公開(kāi)日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2008年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月5日
發(fā)明者張宏毅, 林承賢, 蔡崇仁, 黃昱程 申請(qǐng)人:富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司