專利名稱：一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種感應(yīng)線圈絕緣支架，尤其涉及一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架。
背景技術(shù)：
碳化硅晶體(SiC)半導(dǎo)體材料是繼第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙(Wide Band-gapSemiconductor, WBS)半導(dǎo)體材料的代表。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度以及極好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點，在光電子和微電子領(lǐng)域，具有巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅生長過程中需要2200度以上的高溫，為減少接觸性雜質(zhì)摻入晶體，目前用感應(yīng)加熱實現(xiàn)，為此選用耐高溫材料聚四氟乙烯做感應(yīng)加熱線圈的支架。感應(yīng)加熱線圈的支架用聚四氟乙烯制成，但支架間距不可調(diào)，影響磁場的空間分布的靈活調(diào)節(jié)。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，不用拆卸感應(yīng)線圈就可以調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈匝間距，方便調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈的磁場分布。本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，所述感應(yīng)線圈由銅線螺旋盤繞而成，所述絕緣支架上設(shè)有豎直排列的螺孔，所述螺孔通過螺釘與每一層感應(yīng)線圈固定連接在一起，所述每一層感應(yīng)線圈之間排列有支撐塊，所述螺孔之間的孔間距與所述支撐塊的高度相對應(yīng)，使所述支撐塊卡于每一層感應(yīng)線圈之間。本實用新型的有益效果是:本實用新型通過配備高度不同的支撐塊和更換孔間距不同的絕緣支架，在一定量范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈匝間距，不用拆卸感應(yīng)線圈水路部分就完成感應(yīng)線圈間距調(diào)節(jié)，同時保證感應(yīng)線圈匝間距偏差很小，通電后感應(yīng)線圈內(nèi)部利于產(chǎn)生均勻的磁場。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做如下改進。進一步,所述絕緣支架由聚四氟乙烯材料制成。采用上述進一步方案的有益效果是聚四氟乙烯材料為應(yīng)用高分子常用材料，耐高溫，絕緣良好。同時，感應(yīng)線圈外涂可凝固高分子材料，代表的為涂膠，來增強絕緣，防止線圈打火。進一步，所述感應(yīng)線圈的銅線橫截面為矩形，所述支撐塊為矩形支撐塊。采用上述進一步方案的有益效果是采用矩形的支撐塊和銅線，可以更好的匹配，緊密的卡接在一起。進一步，所述支撐塊的高度為3 15毫米。[0014]采用上述進一步方案的有益效果是通過不同規(guī)格的支撐塊，使支撐塊高度可變，同時更換絕緣支架，使絕緣支架孔間距也相應(yīng)改變，從而調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈匝間距，影響感應(yīng)線圈的磁場分布。

圖1為本實用新型俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型正視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。如圖1和圖2所示，一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，所述感應(yīng)線圈I由銅線螺旋盤繞而成，所述絕緣支架2上設(shè)有豎直排列的螺孔4，所述螺孔4通過螺釘與每一層感應(yīng)線圈I固定連接在一起，所述每一層感應(yīng)線圈I之間設(shè)有支撐塊3，所述螺孔4之間的孔間距與所述支撐塊I的高度相對應(yīng)，使所述支撐塊3卡于每一層感應(yīng)線圈I之間。通過配備高度不同的支撐塊3和更換孔間距不同的絕緣支架2，在一定量范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈I匝間距，不用拆卸感應(yīng)線圈I水路部分就完成感應(yīng)線圈I間距調(diào)節(jié)，同時保證感應(yīng)線圈I匝間距偏差很小，通電后感應(yīng)線圈I內(nèi)部利于產(chǎn)生均勻的磁場。所述絕緣支架2由聚四氟乙烯材料制成，聚四氟乙烯材料為應(yīng)用高分子常用材料，耐高溫，絕緣良好。同時，感應(yīng)線圈I外涂可凝固高分子材料，代表的為涂膠，來增強絕緣，防止線圈打火。所述感應(yīng)線圈I的銅線橫截面為矩形，所述支撐塊3為矩形支撐塊。采用矩形的支撐塊3和銅線，可以更好的匹配，緊密的卡接在一起。所述支撐塊3的高度為3 15毫米。通過不同規(guī)格的支撐塊3，使支撐塊3高度可變，同時更換絕緣支架2，使絕緣支架2孔間距也相應(yīng)改變，從而調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈I匝間距，影響感應(yīng)線圈I的磁場分布。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，其特征在于，所述感應(yīng)線圈(I)由銅線螺旋盤繞而成，所述絕緣支架(2)上設(shè)有豎直排列的螺孔(4)，所述螺孔(4)通過螺釘與每一層感應(yīng)線圈(I)固定連接在一起，所述每一層感應(yīng)線圈(I)之間設(shè)有支撐塊(3)，所述螺孔(4)之間的孔間距與所述支撐塊(I)的高度相對應(yīng)，使所述支撐塊(3)卡于每一層感應(yīng)線圈(I)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，其特征在于，所述絕緣支架(2)由聚四氟乙烯材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，其特征在于，所述感應(yīng)線圈(I)的銅線橫截面為矩形，所述支撐塊(3)為矩形支撐塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，其特征在于，所述支撐塊(3)的高度為3 15毫米。
專利摘要本實用新型涉及一種碳化硅晶體生長用感應(yīng)線圈絕緣支架，所述感應(yīng)線圈由銅線螺旋盤繞而成，所述絕緣支架上設(shè)有豎直排列的螺孔，所述螺孔通過螺釘與每一層感應(yīng)線圈固定連接在一起，所述每一層感應(yīng)線圈之間排列有支撐塊，所述螺孔之間的孔間距與所述支撐塊的高度相對應(yīng)，使所述支撐塊卡于每一層感應(yīng)線圈之間。本實用新型通過配備高度不同的支撐塊和更換孔間距不同的絕緣支架，在一定量范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈匝間距，不用拆卸感應(yīng)線圈水路部分就完成感應(yīng)線圈間距調(diào)節(jié)，同時保證感應(yīng)線圈匝間距偏差很小，通電后線圈內(nèi)部利于產(chǎn)生均勻的磁場。
文檔編號C30B29/36GK203065642SQ20132000527
公開日2013年7月17日 申請日期2013年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月6日
發(fā)明者段聰, 趙梅玉, 高宇, 鄧樹軍, 陶瑩 申請人:河北同光晶體有限公司