專利名稱：一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及碳化硅晶體領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶。
背景技術(shù)：
SiC半導(dǎo)體材料是繼第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP 等)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙(Wide Band-gap Semiconductor, WBS)半導(dǎo)體材料的代表。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度以及極好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，在光電子和微電子領(lǐng)域，具有巨大的應(yīng)用潛力。目前，PVT法已被證實(shí)是能夠生長大尺寸SiC單晶最有效的標(biāo)準(zhǔn)方法。典型的SiC晶體生長室由籽晶托和坩堝體組成，籽晶托的作用是放置籽晶，坩堝體鍋的作用是放置粉料，粉料升華后再籽晶處結(jié)晶形成碳化硅晶體。碳化硅晶體生長過程中，碳化硅籽晶厚度通常為300 μ m-500 μ m，并且通過粘合劑粘在籽晶托上；由于籽晶厚度較薄，不但加工過程中容易變形，而且在高溫條件下彎曲變量較大，反向升華所形成的缺陷容易延伸到晶體表面，成本高，效率底，耗時間。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種厚度不小于700 μ m的碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，所述的碳化硅籽晶粘貼在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700 μ m0本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用厚度> 700 μ m的碳化硅晶片作為籽晶，厚度增加后的碳化硅晶片更容易研磨拋光，減少晶片的彎曲度和翹曲度；同時厚度增加后的籽晶在任何溫度下的形變量將減少，有利于減少晶體生長過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，從而減少缺陷，提聞晶體品質(zhì)。本實(shí)用新型還包括以下進(jìn)一步技術(shù)方案。進(jìn)一步，所述的碳化硅籽晶的形狀為圓柱形或六棱柱。進(jìn)一步，所述的碳化硅籽晶的形狀為正六棱柱

圖1為本實(shí)用新型示意圖。附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下:1、籽晶托，2、碳化硅籽晶，3、碳化硅原料，4、石墨坩堝體。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。如圖1所示，本實(shí)用新型為一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，包括籽晶托1、粘貼在所述籽晶托I上的厚度不小于700 μ m的碳化硅籽晶2，所述碳化硅籽晶2的形狀為圓柱形或六棱柱，優(yōu)選為正六棱柱。工作時，碳化硅籽晶2粘貼在所述籽晶托I上，隨著溫度的升高，置于石墨坩堝體4上的碳化硅原料3逐漸升華，在碳化硅籽晶2上生長成碳化硅晶體。由于本實(shí)用新型采用厚度> 700 μ m的碳化娃晶片作為桿晶，厚度增加后的碳化娃晶片更容易研磨拋光，減少晶片的彎曲度和翹曲度；同時厚度增加后的籽晶在任何溫度下的形變量將減少，有利于減少晶體生長過程中廣生的熱應(yīng)力，從而減少缺陷，提聞晶體品質(zhì)。另外，本實(shí)施例及說明書附圖采用的是形狀為圓柱形的碳化硅籽晶，應(yīng)該理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，其特征在于，所述的碳化硅籽晶粘貼在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，其特征在于，所述的碳化硅籽晶的形狀為圓柱形或六棱柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，其特征在于，所述的碳化硅籽晶的形狀為正六棱柱。
專利摘要本實(shí)用新型涉及碳化硅晶體領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅晶體生長用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，所述的碳化硅籽晶粘貼在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700μm。本實(shí)用新型采用厚度≥700μm的碳化硅晶片作為籽晶，厚度增加后的碳化硅晶片更容易研磨拋光，減少晶片的彎曲度和翹曲度；同時厚度增加后的籽晶在任何溫度下的形變量將減少，有利于減少晶體生長過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，從而減少缺陷，提高晶體品質(zhì)。
文檔編號C30B35/00GK203065637SQ201320005278
公開日2013年7月17日 申請日期2013年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月6日
發(fā)明者陶瑩, 鄧樹軍, 高宇, 段聰, 趙梅玉 申請人:河北同光晶體有限公司