技術(shù)特征：

1.一種結(jié)構(gòu)符合通式Ⅰ的有機(jī)金屬配合物：

其中

R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、烷基和三烷基甲硅烷基的組；且

R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中至少一個為三烷基甲硅烷基；

其中

當(dāng)R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中至少一個為三烷基甲硅烷基時，R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中至少有一個是烷基或三烷基甲硅烷基；并且當(dāng)R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中均為氫時，R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中至少一個不是三烷基甲硅烷基而是烷基。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中一或兩個為三烷基甲硅烷基。

3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、C₁–C₈-烷基、三(C₁–C₈-烷基)甲硅烷基的組。

4.如權(quán)利要求1-3任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、C₁–C₄-烷基、三(C₁–C₄-烷基)甲硅烷基的組。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三異丙基硅烷基和叔丁基二甲基硅烷基的組。

6.如權(quán)利要求1-5任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中一或兩個為三甲基硅烷基。

7.如權(quán)利要求1-6任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹為三甲基硅烷基，且R²,R³,R⁴和R⁵為氫。

8.如權(quán)利要求1-7任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴和R⁵為氫，且R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中的四個為氫。

9.如權(quán)利要求1-7任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁹和R¹⁰為氫，且R⁸選自包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基和三甲基硅烷基的組。

10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)金屬配合物，其中，所述配合物為：

11.如權(quán)利要求1-7任一所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸和R⁹為氫，R¹⁰選自包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基和三甲基硅烷基的組。

12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)金屬配合物，其中，所述配合物為：

13.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中的一個為三烷基甲硅烷基，且R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中的一個也為三烷基甲硅烷基。

14.如權(quán)利要求1或2所述的金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中的兩個為三烷基甲硅烷基。

15.如權(quán)利要求1或2所述的金屬配合物，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹,和R¹⁰中的8個為氫。

16.一種通過氣相沉積工藝形成含鉬薄膜的方法，所述方法包括汽化一結(jié)構(gòu)符合通式Ⅰ的有機(jī)金屬配合物：

其中

R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹,和R¹⁰各自選自包含氫、烷基和三烷基甲硅烷基的組；且

R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹,和R¹⁰中至少一個為三烷基甲硅烷基。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中一或兩個為三烷基甲硅烷基。

18.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、C₁–C₈-烷基、三(C₁–C₈-烷基)甲硅烷基的組。

19.如權(quán)利要求16-18任一所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、C₁–C₄-烷基、三(C₁–C₄-烷基)甲硅烷基的組。

20.如權(quán)利要求16-19任一所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰各自選自包含氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、三甲基硅烷基、三乙基硅烷劑、三異丙基硅烷基和叔丁基二甲基硅烷基的組。

21.如權(quán)利要求16-20任一所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中一或兩個為三甲基硅烷基。

22.如權(quán)利要求16-21任一所述的方法，其中，R¹為三甲基硅烷基，且R²,R³,R⁴和R⁵為氫。

23.如權(quán)利要求16-22任一所述的方法，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴和R⁵為氫，且R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中的四個或五個為氫。

24.如權(quán)利要求16-23任一所述的方法，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁹和R¹⁰為氫，且R⁸選自包含氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基和三甲基硅烷基的組。

25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述配合物為：

26.如權(quán)利要求16-23任一所述的方法，其中，R¹為三甲基硅烷基，R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸和R⁹為氫，R¹⁰選自包含氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基和三甲基硅烷基的組。

27.如權(quán)利要求26任一所述的方法，其中，所述配合物為：

28.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中的一個為三烷基甲硅烷基，且R⁶,R⁷,R⁸,R⁹和R¹⁰中的一個也為三烷基甲硅烷基。

29.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴和R⁵中的兩個為三烷基甲硅烷基。

30.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中，R¹,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶,R⁷,R⁸,R⁹,和R¹⁰中的八個或九個為氫。

31.如權(quán)利要求16-30任一所述的方法，其中，所述氣相沉積工藝為化學(xué)氣相沉積。

32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述化學(xué)氣相沉積為脈沖化學(xué)氣相沉積或者持續(xù)流化學(xué)氣相沉積。

33.如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述化學(xué)氣相沉積為液態(tài)噴射化學(xué)氣相沉積。

34.如權(quán)利要求16-30任一所述的方法，其中，所述氣相沉積工藝為原子層沉積。

35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中，所述原子層沉積為液態(tài)噴射原子層沉積或等離子體增強(qiáng)原子層沉積。

36.如權(quán)利要求16-35任一所述的方法，其中，至少一種所述的有機(jī)金屬配合物在一氧源的脈沖交替脈沖中被傳輸?shù)揭r底，形成一金屬氧化物薄膜。

37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中，所述氧源選自包含H₂O、空氣、O₂和臭氧的組。

38.如權(quán)利要求16-37任一所述的方法，進(jìn)一步包括汽化至少一種共有機(jī)金屬配合物來形成一金屬氧化物薄膜。

39.如權(quán)利要求38所述的方法，進(jìn)一步包括汽化至少一種共反應(yīng)物，其選自包括氫氣、氫等離子體、氧氣、空氣、水、氨氣、聯(lián)氨、硼烷、硅烷、臭氧及其任意兩個或以上的結(jié)合的組。

40.如權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括汽化一聯(lián)氨作為共反應(yīng)物。

41.如權(quán)利要求40所述的方法，其中，所述聯(lián)氨為肼(N₂H₄)或N,N-二甲基肼。

42.如權(quán)利要求16-41任一所述的方法，其中，所述方法用于DRAM或者CMOS的應(yīng)用。