技術(shù)總結(jié)
鉬配合物及其在薄膜沉積中的應(yīng)用，如本發(fā)明提供的CVD和ALD工藝。所述鉬配合物在結(jié)構(gòu)上符合通式I：其中，R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,和R10各自選自包含氫、烷基和三烷基甲硅烷基的組；且R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9和R10中至少一個(gè)為三烷基甲硅烷基。

技術(shù)研發(fā)人員：肖恩·蓋瑞特;保羅·威廉姆斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西格瑪奧德里奇有限公司
文檔號(hào)碼：201580024681
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.10
技術(shù)公布日：2017.02.22