。在一些其它的【具體實(shí)施方式】中，含氧化合物，例如過氧化氫、水或其混合物，經(jīng)過非等離 子體激活可被分解或裂解（即，熱處理）。依然在一些其它的【具體實(shí)施方式】中，在基板的近 端或遠(yuǎn)端或者基板通道處產(chǎn)生（例如，通過電暈放電）臭氧，從而可將臭氧供應(yīng)給基板表 面。在一些【具體實(shí)施方式】中，步驟608和步驟610的次序可重復(fù)二至五次。
[0063] 614中，方法600包括，通過將基板支撐的表面與另一種非羥基化含硅前體或金屬 有機(jī)前體接觸從而在該表面上化學(xué)吸附第二前體，然后，616中，向表面提供活性氧物質(zhì)，在 一些【具體實(shí)施方式】中，以上述同樣的方式提供。在一些【具體實(shí)施方式】中，在進(jìn)行620前，步 驟614和步驟616的次序可重復(fù)二次或更多次（如618所示）。在一些【具體實(shí)施方式】中，步 驟614和步驟616的次序可重復(fù)二至五次。
[0064] 620中，重復(fù)方法600直至在基板上形成厚度為5〇〇在或更少的金屬-硅-氧化 物膜。在一些【具體實(shí)施方式】中，可重復(fù)方法600直至基板至少被膜封裝。
[0065] 上述的鋁-硅-氧化物膜和鈦-硅-氧化物膜的沉積過程，包括生長速率和阻隔 性能，被認(rèn)為對基板溫度相對不敏感。根據(jù)在70~KKTC范圍內(nèi)進(jìn)行的試驗(yàn)認(rèn)為，本文公 開的金屬-硅-氧化物混合物可在較寬的溫度范圍內(nèi)形成。非限制性溫度范圍包括50~ 120°C和 25 ~200°C。
[0066] 同樣地，也認(rèn)為沉積過程對總壓的變化相對不敏感。認(rèn)為本文公開的金屬-硅-氧 化物混合物可在約〇. 001~10托的壓力范圍內(nèi)形成。在一些沒有使用直接等離子體（例 如，前體熱激活，遠(yuǎn)程臭氧產(chǎn)生，或遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生）的其它【具體實(shí)施方式】中，壓力可高 于10托或低于0. 001托。
[0067] 為了本發(fā)明的內(nèi)容和權(quán)利要求書，根據(jù)ASTMF1249-06(2011)《使用調(diào)制紅外 傳感器測試水蒸汽通過塑料膜和薄板透過率的標(biāo)準(zhǔn)方法》，在38°C(+/_0. 1°C)和90% RH下測量WVTR，但檢測儀配置有庫倫傳感器，該傳感器包括用五氧化二磷（P205)涂覆 的電極，而不是調(diào)制紅外傳感器。在下述試驗(yàn)結(jié)果中，使用膜康公司（M0C0N)的阿夸特 倫（Aquatran⑥）WVTR測試儀（表示為儀器"M0C"）或伊利諾斯（Illinos)儀器模型 7001WVTR測試系統(tǒng)（表示為儀器"II"）進(jìn)行WVTR測量。膜康公司（M0C0N)的阿夸特倫 (Aquatran)和伊利諾斯（Illinos)儀器7001測試系統(tǒng)均增加一個(gè)包括用P205涂覆的電極， 以具有比紅外傳感器提高的敏感性。膜康公司（M0C0N)的阿夸特倫（Aquatran)儀器的可 靠的測量限為約5 X 10 4g/m2/天，而配置紅外傳感器的測試儀通常的下限為約5 X 10 2g/m2/ 天。其它可用的方法規(guī)范包括DINENISO15106-3(2005)。可能隨著時(shí)間的推移，可以開 發(fā)或發(fā)現(xiàn)改進(jìn)的測試方法、傳感器和儀器以提供提高的敏感性，下限可低至5 X 10 6g/m2/天 或更低，并具有提高的精確度；并可能對這些提高的測試方法使用公認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)。未來的測試方 法、傳感器、儀器和標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度上，提供比本文公開的收集WVTR數(shù)據(jù)的測試方法改進(jìn) 的敏感性和精確度，它們也可用于測量本權(quán)利要求書的WVTR。
[0068] 在不脫離本發(fā)明的基本原則下，對上述【具體實(shí)施方式】的細(xì)節(jié)進(jìn)行的多種改變對本 領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的范圍僅由隨后的權(quán)利要求書決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在基板（210)上形成阻隔膜（200)的方法（600)，該方法包括： 重復(fù)（620)下述順序的步驟，直至在基板上形成厚度為500?；蚋〉幕旌辖?屬-硅-氧化物膜： (a) 通過使基板支撐的表面與一種非羥基化含硅前體或金屬有機(jī)前體接觸，從而在所 述表面上化學(xué)吸附（608)第一前體； (b) 步驟（a)后，向所述表面提供（610)活性氧物質(zhì)； (c) 通過使所述表面與另一種非羥基化含硅前體和含金屬前體接觸，從而在所述表面 上化學(xué)吸附（614)第二前體；以及 (d) 步驟（c)后，向所述表面提供（616)活性氧物質(zhì)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在進(jìn)行步驟（c)和步驟（d)前，重復(fù)步驟（a)和 (b)二至五次。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，向所述表面提供活性氧物質(zhì)包括通過裂解干燥 的含氧化合物來形成活性氧物質(zhì)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述干燥的含氧化合物包括下述氣體中的一種 或多種：干燥的空氣，氧氣（O2)，一氧化碳（CO)，二氧化碳（CO 2)，一氧化氮（NO)，二氧化氮 (NO2)，或NjPCO 2的混合物。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，裂解含氧化合物包括熱裂解干燥氣態(tài)的含氧化 合物以形成活性氧物質(zhì)。6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，裂解干燥的含氧化合物包括對干燥氣態(tài)的含氧 化合物進(jìn)行等離子體激發(fā)以形成氧自由基。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含硅前體包括三（二甲氨基）硅烷、四（二 甲氨基）硅烷、雙（叔丁胺）硅烷、三芳胺、雙（二乙基氨基）硅烷或六乙胺乙硅烷中的一 種或多種。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬有機(jī)前體包括三甲基鋁（TM)、四氯化 鈦（TiCl4)或二乙基鋅（Zn(C 2H5)2)中的一種或多種。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在200°C或更低的溫度下重復(fù)所述順序。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述混合金屬-硅-氧化物膜基本上由一種膜 組成，該種膜選自由AlxSi yOJ莫、Ti xSiy0z膜和Zn xSiy0z膜組成的組。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述混合金屬-硅_氧化物膜的折射率為1. 8 或更低。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述混合金屬-硅-氧化物膜的折射率為 1. 5 ~1. 8〇13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述混合金屬-硅-氧化物膜的水蒸汽透過率 為3X 10 ig/m2/天或更低。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括： 將非羥基化含硅前體引入第一區(qū)； 將含金屬前體引入第二區(qū)，所述第二區(qū)與第一區(qū)是隔離開的； 將干燥的含氧化合物引入位于第一區(qū)和第二區(qū)之間的隔離區(qū)，從而在隔離區(qū)與第一區(qū) 和第二區(qū)之間產(chǎn)生正壓差； 在基板和前體區(qū)之間產(chǎn)生相對移動(dòng)；以及 在隔離區(qū)中接近基板處裂解干燥的含氧化合物，從而產(chǎn)生活性氧物質(zhì)。15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括用阻隔膜封裝基板。16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基板是剛性的。17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基板包括有機(jī)發(fā)光二極管。18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基板包括照明控制板。19. 一種沉積在基板（210)上的防潮層（200)，包括金屬-硅-氧化物混合物薄膜，該 薄膜的厚度小于500埃，折射率為1. 8或更小。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述防潮層的折射率為1. 5~1. 8。21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述防潮層的水蒸汽透過率為3X 10 i/ni2/ 天或更低。22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述金屬-硅-氧化物膜基本上由一種膜組 成，該種膜選自由AlxSi yOJ莫、Ti xSiyOz膜和Zn xSiyOz膜組成的組。23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述基板為柔性聚合物膜，其玻璃化溫度為 約200 °C或更低。24. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述基板為折射率是1. 8或更小的柔性聚合 物膜。25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述防潮層封裝所述基板。26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述基板是剛性的。27. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述基板包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。28. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的防潮層，其中，所述基板包括照明控制板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種形成混合金屬-硅-氧化物阻隔薄膜(200)的方法(600)。例如，一種形成折射率為1.8或更小的鋁-硅-氧化物混合物的方法，包括使基板(210)依次接觸非羥基化含硅前體、活性氧物質(zhì)和含金屬前體，直至在基板上形成厚度為500?；蚋〉幕旌辖饘?硅-氧化物膜。
【IPC分類】C23C16/00, C23C16/44
【公開號(hào)】CN105143501
【申請?zhí)枴緾N201480005971
【發(fā)明人】艾瑞克R·迪基, 布萊恩·拉森·丹費(fèi)斯
【申請人】路特斯應(yīng)用技術(shù)有限責(zé)任公司, 凸版印刷有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2014年2月26日
【公告號(hào)】EP2922979A1, US20140242736, WO2014134204A1