專利名稱：O－配合金屬螯合物和其在具有高儲存容量的光學記錄介質中的用途的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及包含特定的和在某些情況下新的二酮烯胺或其金屬螯合物和尤其在波長350-500nm下具有優(yōu)異的記錄和回放質量的新型光學記錄介質。記錄和回放可非常有利地在相同的波長下進行，且可實現(xiàn)的儲存密度明顯高于已知的材料。另外，根據(jù)本發(fā)明的材料在記錄前后具有非常良好的儲存性能，甚至在苛刻條件下，如暴露于日光或熒光，熱和/或高濕度時。另外，其制造簡單并可容易地使用常規(guī)涂布工藝，如旋涂而復制。
US-6,225,023公開了包含例如以下的雜環(huán)偶氮化合物的N-配合金屬螯合物的光學記錄介質， 它僅適用于其中記錄和回放使用波長遠超過500nm，例如635nm的激光射線進行的體系。
US-6,242,067公開了包含例如以下的氨基-取代的芳族偶氮化合物的O-配合金屬螯合物的光學記錄介質， 它僅適用于其中記錄和回放使用波長遠超過500nm的激光射線進行的體系。在實施例2中，記錄在635nm下進行和讀取在650nm下進行，其中使用0.60的數(shù)值孔徑。
EP-A-0597826公開了包含液晶聚合物(″聚合物液晶″)和可溶于其中的金屬螯合物或大環(huán)著色劑(″大環(huán)著色劑″)的記錄介質。結果，光吸收增加，尤其在近紅外區(qū)，而液晶聚合物的功能不受損害。記錄和回放在830nm下進行。
以前的光學記錄材料因此僅在一定程度上滿足高需求或不以完全令人滿意的程度同時滿足所有這些需求。尤其是，所實現(xiàn)的數(shù)據(jù)密度(DVDR)不完全令人滿意。
Polyhedron Vol.9 No.17，2061-2069頁(1990)公開了銅(II)與4-甲基-3-[3-二甲基氨基丙烯?；鵠-2H-吡喃-2-酮的配位作用。具有2，2′-聯(lián)吡啶和1，10-菲咯啉的混合螯合物水合物在固態(tài)下的最長波長吸收帶分別為398nm和400nm。由于在溶液中的不穩(wěn)定性，尚不可能說明配位作用對結構的影響。而且不可能制備1∶2金屬/螯合物配合物。另外，沒有提及技術應用。
本發(fā)明的目標是一種具有高信息密度和高數(shù)據(jù)可靠性的光學記錄介質。這種記錄介質應該堅固，耐久和容易使用。另外，應該便宜地制造批量生產的產品，它應該需要盡可能小和便宜的設備，而且它應該包含最少的有環(huán)境問題的物質，如揮發(fā)性毒性金屬，或至少它應該能夠通過簡單的方式處理這些有環(huán)境問題的物質。
本發(fā)明因此涉及一種包含基材，記錄層和視需要反射層的光學記錄介質，其中記錄層包含下式化合物 其中M是氫，鋁或，優(yōu)選，過渡金屬，它可另外與一個或多個其它配體配合和/或，為了平衡掉過多電荷，如果合適，可具有與配位球內部或外部的一個或多個其它離子的靜電相互作用，但結構式(Ib)和(Ic)中的M不是氫，Q是C-H，N或C-R6，C＝Q雙鍵的立體化學可以是E或Z，R1是氫，OR7，SR7，NHR7，NR7R8，C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R2和R3相互分別獨立地是C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R4是氰基，COR9，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，C2-C12烷-1-烯基，C3-C12環(huán)烷-1-烯基，C2-C12烷-1-炔基，C2-C5雜環(huán)烷基，C3-C5雜環(huán)鏈烯基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R5是氰基，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，NHR9，NR8R9，C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C2芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C-C9雜芳基，R6，R7和R8相互分別獨立地是C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C-C9雜芳基，R1和R2，R1和R6，R2和R3，R2和R7，R3和R6，R4和R5，R4和R6，R4和R7和/或R7和R8可成對地相互鍵接以形成1，2，3或4碳環(huán)或N-，O-和/或S-雜環(huán)環(huán)，任何這些環(huán)相互獨立地，如果合適，用于芳族或雜芳族環(huán)上和/或多個N-，O-和/或S-雜環(huán)環(huán)相互稠合，和N-雜環(huán)環(huán)中的任何N可未被取代或被R9取代；任何烷基，鏈烯基，炔基(在每種情況下，如果合適，作為非芳族環(huán)的一部分)，環(huán)烷基或環(huán)鏈烯基和，如果合適，多個烷基，鏈烯基，炔基，環(huán)烷基和/或環(huán)鏈烯基基團相互獨立地是未取代的或被R10單-或多-取代的；而且任何芳基，雜芳基或芳烷基或，如果合適，多個芳基，雜芳基和/或芳烷基基團可相互獨立地是未取代的或被R11單-或多-取代的；R9是H，R7，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7或CONR7R8；R10是鹵素，OH，NH2，NHR12，NR12R13，NHNH2，NHNHR12，NHNR12R13，NR14NH2，NR14NHR12，NR14NR12R13，NHOH，NHOR12，NR14OH，NR14OR12，O-R12，O-CO-R12，S-R12，CO-R12，氧代，硫羰，＝N-R12，＝N-OH，＝N-O-，＝N-OR12，＝N-NH2，＝N-NHR12，＝N-NR12R13，CN，COOH，CONH2，COOR12，CONHR12，CONR12R13，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12Rl3，SO2R12，SO3R12或PO(OR12)(OR13)；
R11是鹵素，NO2，CN，NH2，SH，OH，CHO，R15，OR15，SR15，C(R16)＝CR17R18，O-CO-R19，NHR19，NR19R20，CONH2，CONHR19，CONR19R20，SO2NH2，SO2NHR19，SO2NR19R20，SO2R19，COOH，COOR19，OCOOR19，NHCOR19，NR19COR21，NHCOOR19，NR19COOR21，P(＝O)OR19OR21，P(＝O)R19OR21，P(＝O)R19R21，或是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C1-C12烷基硫代，C3-C12環(huán)烷基硫代，C2-C12鏈烯基硫代，C3-C12環(huán)鏈烯基硫代，C1-C12烷氧基，C3-C12環(huán)烷氧基，C2-C12鏈烯基氧基或C3-C12環(huán)鏈烯基氧基分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10基團取代；R12，R13和R14相互分別獨立地是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；或R12和R13，與共有的N一起，是分別未取代的或被C1-C4烷基單-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或嗎啉；R15是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R22基團取代的C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；R16是氫，氰基，鹵素，硝基，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，鹵素，羥基，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基基團取代的C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基或C3-C12環(huán)鏈烯基，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10和/或硝基基團取代的C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；R17和R18相互分別獨立地是NR19R20，CN，CONH2，CONHR19，CONR19R20或COOR20；R19，R20和R21相互分別獨立地是R15，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，鹵素，羥基，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基基團取代的C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基或C3-C12環(huán)鏈烯基；或R19和R20，與共有的N一起，是分別未取代的或被C1-C4烷基單-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或嗎啉；或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R22基團取代的咔唑，苯噁嗪或吩噻嗪；和R22是鹵素，NO2，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12R13，或是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C1-C12烷基硫代，C3-C12環(huán)烷基硫代，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基，分別被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10基團取代；其中-如果R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13，R14，R15，R16，R17，R18，R19，R20，R21和/或R22存在一次以上，那么它們分別相互獨立；和/或-兩個具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的相同或不同實體可，如果需要，具有共同的部分結構或通過直接鍵而連接；和，如果這兩個連接的實體中的M是相同的，它還可以是單個原子。
具有結構式(Ia)，(Tb)或(Ic)的實體的連接因此得到例如，二聚體和/或調聚物，它可以是，例如，在結構式(Ia)的情況下，下式化合物 在這些情況下，當然不僅在兩個R1基團或兩個R3基團之間而且在部分結構的任何相同或不同取代基之間可存在直接鍵，和可存在除M或NR2R3之外的共同的(重疊的)部分結構。在不同實體的情況下，多個R1，R2，R3，R4，R5和/或Q相互不同。
鹵素是氯，溴，氟或碘，優(yōu)選氟，氯或溴，尤其在烷基上的氟(例如三氟甲基，β，β，β-三氟乙基，α，α-二氟乙基或全氟化烷基基團，如七氟丙基)和在芳基，雜芳基上或在芳烷基的芳基部分上或在雜芳烷基的雜芳基部分上的氯或溴。
烷基，環(huán)烷基，鏈烯基或環(huán)鏈烯基可以是直鏈或支鏈，或單環(huán)或多環(huán)的。烷基是，例如，甲基，直鏈C2-C12烷基或優(yōu)選支鏈C3-C12烷基。鏈烯基是，例如，直鏈C2-C12鏈烯基或優(yōu)選支鏈C3-C12鏈烯基。C1-C12烷基因此是，例如，甲基，乙基，n-丙基，異丙基，n-丁基，仲丁基，異丁基，叔丁基，n-戊基，2-戊基，3-戊基，2，2-二甲基丙基，n-己基，n-辛基，1，1，3，3-四甲基丁基，2-乙基己基，壬基，癸基或十二烷基。C3-C12環(huán)烷基是，例如，環(huán)丙基，環(huán)丁基，環(huán)戊基，環(huán)己基，三甲基環(huán)己基，薄荷基，側柏基，冰片基，1-金剛烷基或2-金剛烷基。
C2-C12鏈烯基或C3-C12環(huán)鏈烯基是C2-C12烷基或C3-C12環(huán)烷基即單-或聚-不飽和，其中兩個或多個雙鍵可被隔離或共軛，例如乙烯基，烯丙基，2-丙烯-2-基，2-丁烯-1-基，3-丁烯-1-基，1，3-丁二烯-2-基，2-環(huán)丁烯-1-基，2-戊烯-1-基，3-戊烯-2-基，2-甲基-1-丁烯-3-基，2-甲基-3-丁烯-2-基，3-甲基-2-丁烯-1-基，1，4-戊二烯-3-基，2-環(huán)戊烯-1-基，2-環(huán)己烯-1-基，3-環(huán)己烯-1-基，2，4-環(huán)己二烯-1-基，1-p-薄荷烯-8-基，4(10)-崖柏烯-10-基，2-降冰片烯-1-基，2，5-降冰片二烯-1-基，7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或己烯基，辛烯基，壬烯基，葵烯基或十二烯基的各種異構體。
C7-C18芳烷基優(yōu)選為C7-C12芳烷基，例如芐基，2-芐基-2-丙基，β-苯基-乙基，9-芴基，α，α-二甲基芐基，6-苯基-丁基或-萘基乙基。
如果C7-C12芳烷基是取代的，芳烷基基團的烷基部分和芳基部分都可被取代，后一選擇是優(yōu)選的。
C6-C14芳基優(yōu)選是C6-C10芳基，例如苯基或萘基，尤其苯基(也作為芳烷基的烷基部分)。
C1-C12雜芳基是具有4n+2個共軛π-電子的不飽和或芳族基團，優(yōu)選C1-C9雜芳基，例如2-噻吩基，2-呋喃基，3-呋咱基，2-吡啶基，2-噻唑基，2-噁唑基，2-咪唑基，異噻唑基，三唑基，四唑基或由噻吩，呋喃，吡啶，噻唑，噁唑，異噁唑，咪唑，異噻唑，三唑，吡啶和苯環(huán)組成和未被取代或被1至6個乙基，甲基，亞乙基和/或亞甲基取代基取代的任何其它環(huán)體系，例如苯并三唑基，和在N-雜環(huán)的情況下，如果合適，以及其N-氧化物的形式。
C2-C16雜芳烷基優(yōu)選為C2-C11雜芳烷基，例如被C1-C9雜芳基取代的C1-C8烷基。
C2-C5雜環(huán)烷基是，例如，環(huán)氧化物，環(huán)硫化物或環(huán)乙亞胺基團，或氧雜環(huán)丁烷基，硫雜環(huán)丁烷基，吡咯烷基，2-吡咯啉基，3-吡咯啉基，咪唑烷基，咪唑基，吡唑烷基，吡唑基，哌啶基，哌嗪基或嗎啉基。
另外，芳基和芳烷基還可以是鍵接至金屬上的芳族基團，例如為本身已知的過渡金屬的金屬茂，更尤其 或 過渡金屬是3至12族(新IUPAC命名法)的元素。具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物有利地是電子中性的，決不排除陽離子和陰離子的存在，前提是其電荷相互平衡。如果合適，它們可以是離子對和兩性離子的形式。
M優(yōu)選為過渡金屬，例如Au，Bi，Cd，Ce，Co，Cu，Cr，Hf，In，Ir，Mn，Mo，Nb，Ni，F(xiàn)e，Os，Pb，Pd，Pt，Re，Rh，Ru，Si，Sn，Ta，Ti，V，W，Zn或Zr，尤其Co，Cu或Ni，更尤其Co(II)，Cu(n)或Ni(II)。根據(jù)最外d軌道的電子數(shù)，這些過渡金屬通常與1至8個配體配合。
其它配體是，例如，已知的化合物，如氨，水，胺，多元胺，醇或聚醇，或如結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)中的相同配體或與其類似的配體，如果合適，兩個配體可通過直接鍵而連接和/或一個M是配合至2個分開的或相互連接的配體的4個氧原子上。
Q優(yōu)選為C-H或N，尤其C-H。
R9優(yōu)選為R7。
碳環(huán)或N-，O-和/或S-雜環(huán)，非芳族環(huán)有利地具有3至12原子，優(yōu)選5或6原子。
如果M是過渡金屬，R5優(yōu)選為C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基。
N-，O-和/或S-雜環(huán)環(huán)，如果存在，優(yōu)選自身不是芳族的，但它們可f用于芳族或雜芳族環(huán)上。
如果R1和R6一起和/或R4和R5一起形成碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)，特別優(yōu)選的是該環(huán)不是芳族環(huán)也不是吡喃酮。優(yōu)選的是通過R1和R6和/或通過在環(huán)中具有至少一個完全飽和碳的R4和R5而形成的碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)。還特別優(yōu)選的是通過R1和R2，R2和R3，R2和R7，R3和R6，R4和R6，R4和R7和/或通過在環(huán)中具有至少一個完全飽和碳的R7和R8而形成的碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)。特殊優(yōu)選內容是同樣給定至R4和R5一起形成5-或6-元環(huán)。
這些優(yōu)選的含義單獨或結合適用。根據(jù)本發(fā)明的所有的化合物一般具有更有利的性能，它們所具有的更優(yōu)選的各個特征。
特別優(yōu)選的是下式螯合物 或 和其立體異構體，低聚物和互變異構體其中M是鋁或過渡金屬，和獨立于R1的R1′定義如R1，獨立于R2的R2′定義如R2，獨立于R3的R3′定義如R3，獨立于R4的R4′定義如R4，和獨立于R5的R5′定義如R5，R1′和R1，R2′和R2，R3′和R3，R4′和R4，以及R5′和R5在每種情況下可相同或不同且，如果合適，基團R1′，R2′，R3′，R4′或R5′可通過直接鍵鍵接至基團R1，R2，R3，R4或R5上。
結構式(IIa)，(IIb)和(IIc)已被畫成一種理想化的平面形式，這絕對不應理解為對立體化學可能性的限制。相反，配體當然可在圍繞中心金屬原子的配位球中呈現(xiàn)任何所需空間排列，例如平面E或Z形式或四角形，八角形或金字塔形形式，也可，如果合適，被扭曲。
本發(fā)明明顯高度變化的性質可從以下純粹說明性的實施例中看出，其中，為了更清楚，沒有給出其它配體


一些具有結構式(Ia)，(Ib)和(Ic)的化合物是新的，但它們可按照類似于已知化合物的方式使用本身已知的一般方法而制備。
本發(fā)明因此還涉及按照以上給出的定義的具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物，其中M是過渡金屬，前提是如果R1和R6一起和/或R4和R5一起形成碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)，那么碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)不是芳族環(huán)也不是吡喃酮。
記錄層有利地包含具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物或這些化合物的混合物作為主要成分或至少作為重要組分，例如1至100％重量，優(yōu)選20至100％重量，尤其50至100％重量。其它的常規(guī)成分是可能的，例如其它發(fā)色團(例如在300至1000nm具有最大吸收的那些)，穩(wěn)定劑，1O2-，三重-或發(fā)光-淬滅劑，熔點下降劑，分解促進劑或已在光學記錄介質中描述的任何其它添加劑。優(yōu)選，根據(jù)需要加入穩(wěn)定劑或熒光淬滅劑。
除了具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物，可視需要用于記錄層的發(fā)色團是，例如，菁和菁金屬配合物(US 5,958,650)，氮雜-和磷雜-菁(WO 02/082438)，苯乙烯基化合物(US 6,103,331)，氧雜菁染料(EP 0833314)，偶氮染料和偶氮金屬配合物(JP11/028865A)，酞菁(EP 0232427，EP 0337209，EP 0373643，EP 0463550，EP 0492508，EP 0509423，EP 0511590，EP 0513370，EP 0514799，EP 0518213，EP 0519419，EP 0519423，EP 0575816，EP 0600427，EP 0676751，EP 0712904，WO 98/14520，WO 00/09522，WO02/25648，WO 02/083796，EP 1253586，EP 1265233，EP 1271500，CH 1137/03)，卟啉，紫菜堿(EP 0822546，US 5,998,093，JP2001/277723A，WO 03/042990)，碳焦寧(WO-03/007296)，聯(lián)吡咯亞甲基染料和其金屬螯合物化合物(EP 0822544，EP 0903733)，咕噸染料和金屬配合物其鹽(US 5,851,621，WO-03/098617，WO-03/098618)，吡啶酮金屬配合物(WO-03/063151)或方形酸化合物(EP 0568877)，或噁嗪，二噁嗪，二氮雜苯乙烯基，甲，蒽醌或吩噻嗪；該列舉決不是窮舉，且本領域熟練技術人員可將該列舉理解為包括其它已知的染料，例如PCT/EP2004/050185或PCT/EP2004/050206中的那些。
混合物已知具有許多優(yōu)點，例如較好的溶解度和較低的結晶傾向，這樣更容易通過旋涂而穩(wěn)定地制成無定形層。通過以一種本身已知的方式優(yōu)化混合比率，可得到具有有利的熱和光學性能，尤其具有陡吸收帶的固體記錄層。另外，通常因此可抵消在固體態(tài)下光譜吸收邊緣的平坦化。最佳混合比率因此一般通過一系列試驗而確定，其中還包括不同的凹槽幾何。
可以理解，如果合適，優(yōu)選自身已知在300至500nm下用于光學記錄材料的那些其它染料。特別優(yōu)選的是具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物的混合物，例如異構體混合物。具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物(其中M是過渡金屬)與具有結構式(Ia)的化合物(其中M是氫)的混合物也是尤其有利的。
如果記錄層包含本身在300至500nm下不適用的其它發(fā)色團，那么這些發(fā)色團的量應該優(yōu)選小，這樣其在整個固體層的吸收帶長波長側面的梯度拐點(最大梯度的點)波長處的吸收(該值是用于記錄的決定性因素)是在相同波長下在整個固體層中具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物的吸收的一部分，有利地最多1/3，優(yōu)選最多1/5，尤其最多1/10。染料混合物在光譜范圍300至500nm內的最大吸收優(yōu)選位于低于450nm，優(yōu)選低于400nm，尤其340-380nm的波長處。
穩(wěn)定劑和1O2-，三重-或發(fā)光-淬滅劑是，例如，含N-或S的烯醇物，酚鹽，二酚鹽，硫醇鹽或二硫醇鹽或偶氮，偶氮次甲基或甲染料的金屬配合物，如二(4-二甲基氨基-二硫代苯偶酰)鎳[CAS N°38465-55-3]，Irgalan Bordeaux EL，Cibafast N或類似化合物，位阻酚類和其衍生物，如Cibafast AO，o-羥基苯基-三唑或-三嗪或其它UV吸收劑，如Cibafast W或Cibafast P或位阻胺(TEMPO或HALS，也作為硝基氧化物或NOR-HALS)，以及二亞銨，ParaquatTM或OrthquatTM鹽，如Kayasorb IRG 022，Kayasorb IRG 040，或視需要還可以是自由基鹽，如N，N，N′，N′-四(4-二丁基氨基苯基)-p-亞苯基胺-銨鹽。后者可得自Organica(Wolfen/DE)；Kayasorb商標可得自Nippon KayakuCo.Ltd.，和Irgalan和Cibafast商標可得自Ciba SpezialitatenchemieAG。
許多這些結構是已知的，其中某些也涉及光學記錄介質，例如US5,219,707，JP 06/199045A，JP 07/76169A，JP 07/262604A或JP2000/272241A。它們可以是，例如，例如公開于以上提及的出版物的金屬配合物陰離子的鹽，或例如，通過由下式化合物說明的金屬配合物， 或
本領域熟練技術人員可從其它光學信息介質中知道，或容易確認何種添加劑在何種濃度下特別適用于此。添加劑的合適的濃度是，例如，0.001至1000％重量，優(yōu)選1至50％重量，基于具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的記錄介質。
根據(jù)本發(fā)明的光學記錄材料具有總體上優(yōu)異的固體無定形記錄層的光譜性能，所述折射指數(shù)還意外地高。由于對這些化合物而言意外低的在固體下的聚集傾向，吸收帶窄和強烈，所述吸收帶在長波長側尤其陡峭。微晶意想不到地和非常有利地沒有形成或它們的形成可忽略不計。在未寫態(tài)下，這些層在寫入和讀取波長范圍內的反射率高。對激光射線的敏感度在寫入模式下是高的；在較低能量讀取模式下，其穩(wěn)定性高。
利用那些優(yōu)異的層性能，可得到具有高敏感性，高再現(xiàn)性和幾何上非常精確的標記邊界的快速光學記錄，所述折射指數(shù)和反射率顯著變化，得到高度的對比度。標記長度和間隔距離上的差異(″抖動″)在正常記錄速度(約4.5至5.5m·s-1)下和在較高記錄速度(例如9m·s-1至25m·s-1或甚至更高)下意外地小，這樣能夠使用具有相對小磁道間隔(″節(jié)距″)的窄記錄通道而得到高儲存密度。另外，記錄數(shù)據(jù)在令人驚訝的低誤差速率下回放，這樣相對短的標記是可能的，包括，例如，符合Blu-RayTM標準的具有長度0.15±0.01μm(2T)的那些，且誤差校正僅需要少量的儲存空間。
利用具有優(yōu)異的包括在非極性溶劑中的溶解度，可甚至在高濃度下使用溶液而沒有例如在儲存過程中的令人討厭的沉淀，這樣在旋涂過程中的問題被極大地消除。這尤其適用于包含支鏈C3-C8烷基的化合物。
記錄和回放可在相同的波長下使用有利地300至500nm，尤其350至500nm，優(yōu)選370至450nm的激光源而進行。尤其優(yōu)選的是UV范圍370至390nm，尤其約380nm，或尤其在可見范圍390至430nm的邊緣，更尤其約405±5nm。在具有高數(shù)值孔徑(例如0.85)光學體系的緊湊的藍色或紫色激光二極管(如Nichia GaN 405nm)的領域中，標記可非常小和磁道非常窄使得在120mm光盤上可實現(xiàn)最高約20至30Gb/記錄層。在380nm下，可使用銦摻雜的UV-VCSELs(垂直腔表面發(fā)射激光)，其激光源已作為原型而存在[Jung Han等人，參見MRS InternetJ.Nitride Semicond.Res.5S1，W6.2(2000)]。
本發(fā)明因此還涉及一種記錄或回放數(shù)據(jù)的方法，其中根據(jù)本發(fā)明的光學記錄介質上的數(shù)據(jù)在波長300至500nm下記錄或回放。記錄優(yōu)選在至少4.5m·s-1的線性速度v下進行，其中尤其產生具有不同長度的標記，其中最短的是幾乎圓形的且其中最長的具有對應于約四倍寬度的長度。線性速度尤其是至少9m·s-1(1x)，18m·s-1(2x)或36m·s-1(4x)。
記錄介質可基于已知的記錄介質的結構，而且在那種情況下例如，類似于以上提及的那些，如DVD+R或DVD-R。它可因此由例如，透明基材，包含至少一種具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物的記錄層，反射層和覆蓋層組成，其中寫入和讀出穿過基材而進行。適用于在波長300至500nm下記錄和回放的這種體系是，例如，HD-DVDTM(以前稱作高級光盤AOD)。
合適的基材是，例如，玻璃，無機物，陶瓷和熱固性和熱塑性塑料。優(yōu)選的載體是玻璃和均-或共-聚合物塑料。合適的塑料是，例如，熱塑性聚碳酸酯，聚酰胺，聚酯，聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯，聚氨酯，聚烯烴，聚氯乙烯，聚偏二氟乙烯，聚酰亞胺，熱固性聚酯和環(huán)氧樹脂。特別優(yōu)選的是可例如，通過注塑而制成的聚碳酸酯基材?；目梢允羌兊男问交蚩砂Ｒ?guī)添加劑，例如在JP 04/167239A中為了記錄層的光穩(wěn)定而提出的UV吸收劑或染料。在后者情況下，加入載體基材中的染料可有利地在寫入波長(激光器的發(fā)射波長)區(qū)域中沒有或至多僅具有低吸收，優(yōu)選最高約20％的激光被聚焦到記錄層上。
基材有利地300至500nm的至少一部分范圍內透明，這樣例如至少80％的具有寫入或讀出波長的入射光可透過?；氖怯欣?0μm至2mm厚，優(yōu)選100至1200μm厚，尤其600至1100μm厚，在涂覆面上具有優(yōu)選螺旋的引導凹槽(磁道)，凹槽深度10至200nm，優(yōu)選50至150nm，凹槽寬度100至400nm，優(yōu)選120至250nm，且兩個凹槽之間的軸間隔為200至600nm，優(yōu)選250至450nm(例如凹槽深度10020nm，凹槽寬度20050nm且兩個圈之間的軸間隔是37060nm)。具有不同橫截面形狀的凹槽是已知的，例如長方形，梯形或V-形。類似于已知的CD-R和DVD±R介質，引導凹槽可另外經(jīng)歷小的周期或準-周期側向偏離(擺動)，這樣旋轉速度和讀出頭(拾取)的絕對定位的同步化變得可能。替代偏離或在此之上，相同的功能可通過相鄰凹槽(預凹坑)之間的標記而進行。
記錄介質例如，通過旋涂施用溶液而施用，目的是得到盡可能無定形的層，所述層的厚度是有利地0至70nm，優(yōu)選1至20nm，尤其2至10nm(在表面(″陸地″)上)和，取決于凹槽的幾何，有利地20至150nm，優(yōu)選30至120nm，尤其30至80nm(在凹槽中)。在另一實施方案中，利用具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物可實現(xiàn)的記錄層的厚度可有利地是30至80nm(在凹槽中)和20至70nm(在旁邊(″陸地″))，在凹槽中和在表面上的層厚度差異低于20nm，優(yōu)選低于10nm。這樣，有可能與HD-DVD-RW相適應地在凹槽中和在旁邊的表面上寫入和讀取。磁道節(jié)距在那種情況下僅約一般大，且總儲存容量更大。
在這兩種實施方案中，寫入和讀出從基材面進行。激光束通過基材被導向記錄層和具有波長優(yōu)選300至500nm，尤其370至450nm。反射層可存在于與基材相對的記錄層那面。
適用于反射層的反射材料包括尤其提供良好的激光射線反射用于記錄和回放的金屬，例如元素周期表的主族III，IV和V和副族的金屬。Al，In，Sn，Pb，Sb，Bi，Cu，Ag，Au，Zn，Cd，Hg，Sc，Y，La，Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，F(xiàn)e，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt和鑭系金屬Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，和其合金是尤其合適的。由于其高反射率和容易生產，在經(jīng)濟和生態(tài)角度上特別優(yōu)選的是鋁，銀，金或合金其(例如白金或銀/鉻合金)，尤其鋁的反射層。反射層是有利地5至200nm厚，優(yōu)選10至100nm厚，尤其20至80nm厚，但反射層也可具有較大厚度。
適用于覆蓋層的材料主要包括塑料，它作為薄層直接或借助粘附性促進劑而被施用到反射層上。有利地選擇可被進一步改性，例如寫入的具有良好表面性能的機械和熱穩(wěn)定的塑料。塑料可以是熱固性塑料和熱塑性塑料。直接施用的覆蓋層優(yōu)選為特別簡單和經(jīng)濟地生產的輻射固化(如使用UV輻射)涂層。各種各樣的輻射可固化材料是已知的。輻射可固化單體和低聚物的例子是二醇，三醇和四醇的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，在氨基基團的至少兩個鄰位上具有C1-C4烷基基團的芳族四羧酸和芳族二胺的聚酰亞胺，和具有二烷基馬來酰亞氨基基團，如二甲基馬來酰亞氨基基團的低聚物。對于使用粘附性促進劑施用的覆蓋層，優(yōu)選使用與用于基材層相同的材料，尤其聚碳酸酯。所用的粘附性促進劑同樣優(yōu)選為輻射可固化單體和低聚物。替代使用粘附性促進劑施用的覆蓋層，也可使用包含記錄和反射層的第二基材，這樣記錄介質可雙面播放。優(yōu)選的是對稱結構，其中兩部分在反射或側通過粘附性促進劑直接或利用中間層而被連接在一起。在那種情況下可以理解，基材僅約一半厚，這樣由兩個基材組成的整個光盤具有與僅由一個基材組成的光盤約相同的厚度。
在這種結構中，覆蓋層，或覆蓋材料的光學性能本身基本上是不重要的，前提是，如果合適，可如通過UV輻射而實現(xiàn)其固化。覆蓋層的功能是確保記錄介質整體的機械強度和，如果需要，薄反射層的機械強度。如果記錄介質足夠堅固，例如當存在厚反射層時，甚至可完全省去覆蓋層。覆蓋層的厚度取決于記錄介質整體的厚度，后者應該優(yōu)選最高約2mm厚。覆蓋層優(yōu)選為10μm至1mm厚。
根據(jù)本發(fā)明的記錄介質也可具有其它的層，例如干涉層或隔絕層層。也可構建具有多個(例如兩個至十個)記錄層的記錄介質。這些材料的結構和使用是本領域熟練技術人員已知的。
如果存在，干涉層優(yōu)選位于記錄層和反射層之間和/或記錄層和基材之間且由例如描述于EP 0 353 393的介電材料，TiO2，Si3N4，ZnS或硅氧烷樹脂組成。
根據(jù)本發(fā)明的記錄介質可通過本身已知的工藝而制成，其中可根據(jù)所用的材料及其功能而采用各種涂布方法。
合適的涂布方法是，例如，浸漬，傾倒，刷涂，葉片涂布和旋涂，以及在高真空下進行的蒸氣-沉積方法。如果，例如使用傾倒方法，一般使用在有機溶劑中的溶液。如果采用溶劑，應該注意，所用的載體對這些溶劑敏感。合適的涂布方法和溶劑例如，描述于EP 0401 791或EP 0 485 337。
記錄層優(yōu)選通過旋涂施用染料溶液而施用，已被證實令人滿意的溶劑尤其是醇，例如2-甲氧基乙醇，1-甲氧基-2-丙醇，2-丙醇或n-丁醇，羥基酮，例如二丙酮醇或3-羥基-3-甲基-2-丁酮，羥基酯，例如乳酸甲酯或異丁酸甲酯，或優(yōu)選氟化醇，例如2，2，2-三氟乙醇或2，2，3，3-四氟-1-丙醇，和其混合物。其它合適的溶劑例如，描述于EP 0 483 387。
金屬反射層的施用優(yōu)選通過濺射或通過在真空中蒸氣-沉積而進行。這些技術是已知的和描述于專家文獻(如J.L.Vossen和W.Kern，″薄膜工藝″，Academic Press，1978)。操作可有利地連續(xù)進行和實現(xiàn)金屬反射層的良好的反射率和高度粘附性。
記錄按照已知的方法利用在恒定或可變速度下被引導到記錄層的表面上的調制聚焦激光束通過寫入具有固定或，通常，可變長度的凹坑(標記)而進行。
信息的讀出根據(jù)本身已知的方法使用激光射線記錄反射變化而進行，例如描述于″CD播放器和R-DAT記錄器″(Claus Biaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Wurzburg 1992)。本領域熟練技術人員熟悉這些要求。
根據(jù)本發(fā)明的含信息的介質尤其是一種WORM型光學信息材料。它可例如類似于CD-R(壓縮盤-可記錄的)或DVD+R(數(shù)字視頻盤-可記錄的)用于計算機，也可用作識別和安全卡的儲存材料或用于生產衍射光學元件，例如全息圖。Of HD-DVD型記錄介質能夠使用具有最大約0.7(通常0.60至0.65)的數(shù)值孔徑的激光，其中在記錄速度6.61m·s-1(或其倍數(shù))下，120mm直徑的光盤具有儲存容量15GB/記錄層。
但也有基本上不同于CD-R和DVDiR和其中記錄和回放不通過基材而是通過覆蓋層進行的記錄介質。因此覆蓋層和基材的相應作用，尤其幾何和光學性能與以上所述的結構相比被反轉。與藍色GaN激光二極管有關的數(shù)字視頻記錄所用的類似概念例如從Proceedings SPIE-int.Soc.Opt.Eng.1999，3864中得知。具有記錄速度5.0±0.3m·s-1(估計不久是其倍數(shù))和儲存容量25±2GB(參見″Blu-Ray光盤可再寫格式1.0版″的體系說明，2002年6月以及http//www.Blu-Ray.com)的Blu-Ray(以前的Blu-Ray圓盤″BD″)還處于發(fā)展的高級階段。對于尤其適用于高儲存密度和具有相應小標記(″凹坑″)的這些記錄介質，精確的聚焦是重要的，這樣制造工藝盡管基本上類似，但明顯更笨拙。
但根據(jù)本發(fā)明具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(Ib)或(IIc)的化合物還非常意外地滿足對反轉層結構的增加的需求。因此優(yōu)選的是具有層順序基材，反射層，記錄層和覆蓋層的反轉層結構。記錄層因此位于反射層和覆蓋層之間。約50至400μm厚度的薄覆蓋層是尤其有利的(通常100μm，在數(shù)值孔徑0.85下)。
反轉層結構中的記錄和反射層原則上具有與上述相同的功能。該基材通常具有在上述范圍內的尺寸。涂布面上的優(yōu)選螺旋的引導凹槽(磁道)有利地具有凹槽深度10至100nm，優(yōu)選20至80nm。橫截面形狀，周期或準-周期側向偏離(擺動)以及相鄰凹槽之間的任何其它的標記(預凹坑)基于上述的HD-DVD型。
反射層和記錄層按照該順序施用到基材上。凹槽以及它們之間的鐵軌狀升高區(qū)域被用作磁道，通常在第一情況下提及″凹槽中″介質和在第二情況下提及″凹槽上″介質。使用具有結構式(I)的化合物，可有利地實現(xiàn)這兩種形式，也有可能同時。
記錄介質例如上所述而施用，尤其有利的是，也可選擇會侵蝕基材的溶劑，例如氯化或芳族烴。盡可能無定形的該層的厚度可以是均勻的或它可在凹槽中和在升高部分上不同。在凹槽中，記錄層的厚度是有利地20至200nm，優(yōu)選30至150nm，尤其30至100nm。如果在升高部分上的磁道被用于記錄，其層厚度是有利地10至120nm，優(yōu)選20至100nm，尤其20至60nm，而如果僅凹槽用作磁道，0至100nm，優(yōu)選0至60nm，尤其0至20nm的層厚度是足夠的。在兩種情況下，磁道寬度(升高部分和/或凹痕)是100至300nm，優(yōu)選120至250nm，尤其150至200nm，和兩個磁道之間的軸間隔是200至600nm，優(yōu)選250至400nm，尤其300至340nm。良好的結果例如在3010nm深和18010nm寬以及軸間隔320 10nm的升高磁道(″凹槽上″)時得到。在那種情況下，具有高孔的激光束經(jīng)過覆蓋層，這增加分辨率。
但反轉層結構需要基本上較高的標準，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物令人驚奇地很好地滿足該標準。例如當記錄層被施用到金屬反射層上時和尤其當覆蓋層被施用到記錄層上時需要尤其高的標準，所述覆蓋層被要求提供對摩擦，光氧化，指印，水分和其它環(huán)境影響具有適當保護作用和有利地具有厚度0.01至0.5mm，優(yōu)選0.05至0.2mm，尤其0.08至0.13mm的記錄層。
覆蓋層優(yōu)選由在激光的寫入或讀出波長下具有透光度80％或更高的材料組成。適用于覆蓋層的材料包括，例如，以上提及的那些材料，但尤其聚碳酸酯(如Pure Ace或Panlite，Teijin Ltd)，三乙酸纖維素(如Fujitac，F(xiàn)uji Photo Film)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(如Lumirror，Toray Industry)，特別優(yōu)選聚碳酸酯。尤其在直接施用的覆蓋層的情況下，輻射固化涂布，如以上已經(jīng)描述的那些是有利的，例如Sud347TM(Dainippon Ink)。
覆蓋層可利用合適的粘附性促進劑直接施用到固體記錄層上。在另一實施方案中，向固體記錄層上施用例如在厚度0.001至10μm，優(yōu)選0.005至1μm，尤其0.01至0.1μm，例如0.05至0.08μm(在介電隔離層的情況下)和0.01至0.03μm(在金屬隔離層的情況下)的金屬，交聯(lián)有機金屬或優(yōu)選介電無機材料的附加薄隔離層。隔離層和相應的方法公開于WO02/082438，在此特意作為參考。如果需要，這些涂布可例如在載體材料和金屬反射層之間或在金屬反射層和光學記錄層之間按照相同的厚度施用。這在某些情況下，例如當銀反射或與記錄層中的含硫的添加劑結合使用時可能有利。
類似于以上描述的結構，當然這些記錄介質也可在這種情況下由兩個半部結合在一起，其中兩個基材在涂布之前或之后連接。另外，可使用在兩面上具有凹槽的基材。在記錄介質具有反轉層結構的情況下，基材的透明度在另一方面是不重要的。也可使用，例如，著色(如黃，橙色-，紅色-，藍色-，綠色-，棕色-，白色-，灰色-或黑色-著色)塑料或其它合成或天然材料如鋼，鋁或其它金屬，或紙(參見Proceedings SPIE Vol.5380/04″A 25GB紙盤″)。
根據(jù)本發(fā)明使用的一些化合物例如從Polyhedron Vol.9No.17，第2061-2069頁(1990)中得知。
但也可類似于已知化合物而制備可按照本發(fā)明用于光學記錄介質的新型化合物。
結構式(IIa)，(IIb)和(IIc)的化合物是新的。本發(fā)明因此還涉及定義如上的具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物。
本發(fā)明另外涉及一種用于制備具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物的方法，其中M是鋁或過渡金屬，包括(a)在親水的含氧液體中使用堿去質子化具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)或(IIa)的化合物，其中M是氫；(b)加入鋁或過渡金屬M的非惰性鹽；(c)視需要加入1.0x至1.5x化學計量量的其它的配體；(d)視需要加入可與含氧液體混溶的另一液體，這樣具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物沉淀；和(e)分離具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物。
親水的含氧液體是，例如，水，醇，醚，酰胺或其混合物，包括多元醇和聚醚，尤其包含1至6個碳原子的有機液體。例如可以提及甲醇，乙醇，n-丙醇，異丙醇，n-丁醇，異丁醇，2-丁醇，叔丁醇，二乙基醚，四氫呋喃，甲酰胺，二甲基甲酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮。
堿必須有利地具有足夠高的堿性以實現(xiàn)所需的去質子化?？衫缡┯脡A金屬或堿土金屬氫氧化物，醇鹽，碳酸鹽或氫化物。非惰性鹽是在液體中具有足夠溶解度以能夠形成所需螯合物的那些。優(yōu)選的是有機或，尤其，無機酸的鹽，如檸檬酸鹽，草酸鹽，鹵化物，硝酸鹽或硫酸鹽。
其它的配體，如果合適，有利地以1.0x至1.2x化學計量量存在和優(yōu)選不在步驟(c)之前加入。該化學計量量對應于具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物中的這些配體的所需數(shù)。
促進或加速所需產物沉淀的其它液體是，例如，水或非極性烴。根據(jù)反應液體和所需產物的極性，它們可根據(jù)本身已知的常規(guī)標準而選擇。
螯合物的分離通常通過過濾或通過使用水不混溶性溶劑從水相中萃取(如果合適，在加入水之后)而進行。通過振蕩提取(包括所有的隨后步驟)而分離物質是本身熟知的。但也可使用任何替代的方法，例如閃蒸色譜。
一些具有結構式(Ia)，(Ib)和(Ic)的化合物是已知的；其它是新的但可類似于已知的化合物而制備。本發(fā)明還涉及具有結構式(Ia)，(Ib)和(Ic)的新的化合物。
以下實施例說明本發(fā)明但不限定其范圍(除非另有所指，″％″總是表示％重量)實施例1在配有磁力攪拌器，溫度計和氮傳輸管線的100ml多頸燒瓶中，將5.68g 2-乙?；?1，3-環(huán)己烷二酮引入85ml四氫呋喃(THF)并隨后加入5.27g N，N-二甲基甲酰胺二甲基縮醛。將黃色溶液在23攝氏度下攪拌25小時并隨后將溶劑在60攝氏度/2.5·103Pa下蒸餾出。得到7.77g紅棕色固體，將其在回流下溶解在17ml乙醇中。溶液在攪拌下慢慢冷卻至0攝氏度。將結晶產物過濾掉，用15ml冰冷乙醇分批洗滌和在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥18小時。得到4.60g(理論值的59.7％)2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮的微黃色晶體
UV/VIS(NMP＝N-甲基-2-吡咯烷酮)λmax＝377nm，ε＝51900l·mol-1·cm-1。
實施例2將2.94g根據(jù)實施例1的2-(3-二甲基氨基-丙烯酰基)-環(huán)己烷-1，3-二酮懸浮在20ml乙醇中和在23攝氏度下用7ml 2N氫氧化鈉溶液攪拌15分鐘。加入940mg無水氯化銅(II)在7ml乙醇中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外18小時。將沉淀出的產物過濾掉，使用每次7ml水洗滌兩次并使用每次7ml乙醇洗滌兩次并隨后在20攝氏度/20Pa下干燥。得到3.21g黃棕色粉末形式的二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)銅(II) UV/VIS(乙醇)λmax＝363；ε＝69540l·mol-1·cm-1。
實施例3將211mg根據(jù)實施例1的2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮懸浮在5ml乙醇中和在23攝氏度下用1ml 1N氫氧化鈉溶液攪拌15分鐘。加入118mg六水合氯化鈷(II)在1ml乙醇中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外18小時。溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下被去除并將殘余物吸收在8ml二氯甲烷中；將混合物在硫酸鈉上干燥和過濾并將溶劑再次在40攝氏度/2.5·103Pa下去除。得到215mg綠棕色粉末形式的二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)鈷(II)
UV/VIS(乙醇)λmax＝375；ε＝90000l·mol-1·cm-1。
實施例4將418mg根據(jù)實施例1的2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮懸浮在6ml乙醇中和在23攝氏度下用108mg甲醇鈉攪拌15分鐘。加入129mg無水氯化鎳(II)在1ml水中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外18小時。溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下被去除。得到560mg黃綠色固體二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)鎳(II)，混有少量氯化鈉 UV/VIS(乙醇)λmax＝372；ε＝45370l·mol-1·cm-1。
實施例5將4.33g 1，3，3-三甲基-2-亞甲基-二氫吲哚引入配有磁力攪拌器和氮傳輸管線的25ml玻璃容器并加入2.10g二烯酮。將深紫色溶液在內溫100攝氏度下攪拌1 1/2小時并隨后將反應混合物冷卻至23攝氏度。將深紫色固體在22ml庚烷中加熱回流。將溶液從未溶解材料中傾倒，再次加熱回流并隨后慢慢冷卻至0攝氏度。將結晶產物過濾掉，用15ml冰冷庚烷分批洗滌和在50攝氏度/2.5·103Pa下干燥18小時。得到3.32g 1-(1，3，3-三甲基-1，3-二氫-吲哚-2-叉基)-戊烷-2，4-二酮的橙色晶體 UV/VIS(NMP)λmax＝395nm，ε＝34060l·mol-1·cm-1。
實施例6將257mg根據(jù)實施例5的1-(1，3，3-三甲基-1，3-二氫-吲哚-2-叉基)-戊烷-2，4-二酮懸浮在2ml甲醇中并在23攝氏度下用54mg甲醇鈉攪拌15分鐘。117mg六水合氯化鈷(II)在1ml甲醇中的溶液并在室溫下下繼續(xù)攪拌另外3小時。將沉淀出的產物過濾掉，使用每次1ml甲醇洗滌兩次并隨后在20攝氏度/20Pa下干燥。得到266mg橙棕色粉末形式的二(1-(1，3，3-三甲基-1，3-二氫-吲哚-2-叉基)-戊烷-2，4-二酮根合)鈷(1) UV/VIS(乙醇)λmax＝394；ε＝64286l·mol-1·cm-1。
實施例7在配有磁力攪拌器，溫度計，回流冷凝器和氮傳輸管線的250ml多頸燒瓶中，將9.15g 2-氨基苯并噻唑引入100ml甲苯中，并將白色懸浮液加熱至內溫80攝氏度。在30分鐘內，將8.45g硫酸二甲酯滴加到透明米色溶液中，并將稠的白色懸浮液在相同的溫度下攪拌1小時。將懸浮液隨后冷卻至23攝氏度和過濾，并將殘余物用50ml甲苯分批洗滌。將濾餅溶解在60ml水中；隨后加入13ml飽和氫氧化鉀溶液并將所形成的懸浮液在23攝氏度下攪拌18小時。將懸浮液隨后過濾，用75ml水分批洗滌并在50攝氏度/2.5·103Pa下干燥18小時。得到8.74g白色晶體形式的3-甲基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基胺。
實施例8將2.00g根據(jù)實施例7的3-甲基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基胺和1.59g乙基乙酰乙酸酯引入配有磁力攪拌器，溫度計，回流冷凝器和氮傳輸管線的25ml多頸燒瓶中并在回流下攪拌45分鐘。透明溶液隨后冷卻至23攝氏度，這樣反應混合物凝固。產物隨后利用閃蒸色譜使用己烷/乙酸乙酯1∶1作為洗脫劑而純化。得到0.75g N-(3-甲基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基)-3-氧代-丁酰胺的白色晶體 UV/VIS(CH2Cl2)λmax＝317nm，ε＝18040l·mol-1·cm-1。
實施例9將19.7g 2-甲基苯并噻唑引入配有錨攪拌器，溫度計，滴液漏斗，回流冷凝器和氮傳輸管線的350ml多頸容器中并加熱至內溫125攝氏度。將22.38g二乙基硫酸鹽隨后在20分鐘內滴加并將粘稠溶液在相同的溫度下攪拌2小時。隨后冷卻至23攝氏度并所形成的鹽溶解在150ml吡啶中。將深紫色溶液使用冰浴冷卻至2攝氏度并在30分鐘內使用注射器滴加19.3g乙酰氯。混合物隨后在冰冷卻下攪拌另外15分鐘并隨后在內溫100攝氏度下使用油浴加熱10分鐘。棕色反應混合物隨后冷卻至23攝氏度并將溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下蒸餾掉。黑色樹脂隨后溶解在500ml水和500ml乙酸乙酯中并將水相使用每次250ml乙酸乙酯提取兩次。將合并的有機相用500ml水并隨后用200ml飽和氯化鈉溶液洗滌，在硫酸鎂上干燥和過濾，并將溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下蒸餾掉。得到20.3g紅棕色油，與700ml庚烷回流。將溶液從未溶解材料中傾倒，再次加熱回流并隨后慢慢冷卻至0攝氏度。將結晶產物過濾掉，用300ml冰冷庚烷分批洗滌和在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥18小時。得到10.07g 1-(3-乙基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基)-丙烷-2-酮的微黃色晶體
UV/VIS(NMP)λmax＝354nm，ε＝39100l·mol-1·cm-1。
實施例10在配有磁力攪拌器，溫度計，滴液漏斗和氮傳輸管線的熱干燥500ml多頸燒瓶中，13.68mmol鋰二異丙基酰胺在100ml無水THF中通過本身已知的方法而制備。將溶液冷卻至-70攝氏度并加入80ml無水二乙基醚，隨后在1小時內滴加3.0g根據(jù)實施例9的1-(3-乙基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基)-丙烷-2-酮在35ml無水THF和20ml無水二乙基醚中的溶液。所得橙色溶液在-70攝氏度下攪拌1小時并隨后在1.5小時被將在14ml二乙基醚中的1.07ml乙基異氰酸酯在-70攝氏度下滴加。隨后攪拌30分鐘并隨后將溶液在15分鐘內暖至0攝氏度。將透明橙色溶液用70ml飽和含水氯化銨溶液水解并用100ml乙酸乙酯提取兩次。將合并的有機相用140ml飽和氯化銨溶液洗滌兩次并用100ml飽和含水氯化鈉溶液洗滌一次，在硫酸鎂上干燥和過濾，并將溶劑在50攝氏度/2.5·103Pa下蒸餾掉。得到4.32g橙色樹脂，將它利用閃蒸色譜使用乙酸乙酯作為洗脫劑而純化，在此過程中洗脫二加成產物1，3-二乙基-1-[4-(3-乙基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基)-3-氧代-丁?；鵠-脲(1.29g)。所需產物隨后使用乙醇洗脫。得到1.42g N-乙基-4-(3-乙基-3.H.-苯并噻唑-2-叉基)-3-氧代-丁酰胺的微黃色晶體 UV/VIS(NMP)λmax＝359nm，ε＝39800l·mol-1·cm-1。
實施例11將15.6g N，N′-二甲基巴比土酸，50ml乙酸酐和1.5g濃硫酸的混合物在100攝氏度下加熱2小時。在冷卻至23攝氏度之后，結晶的開始使用本身已知的方法而促進并隨后將混合物放置18小時。將產物沉淀出并在抽吸下過濾掉，使用每次50ml己烷洗滌兩次并在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到10.2g 5-乙?；?1，3-二甲基-嘧啶-2，4，6-三酮的無色晶體 實施例12將1.48g N，N-二甲基甲酰胺二甲基縮醛加入1.98g根據(jù)實施例11的5-乙酰基-1，3-二甲基-嘧啶-2，4，6-三酮在40ml叔丁基甲基醚中的懸浮液并在23攝氏度下攪拌16小時。將所形成的固體在抽吸下過濾掉并使用每次10ml二乙基醚洗滌兩次。將粗品從60ml熱乙醇中重結晶，在結晶完成之后過濾掉，使用每次10ml乙醇洗滌兩次并在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到1.87g 5-(3-二甲基氨基-1-羥基-亞烯丙基)-1，3-二甲基-嘧啶-2，4，6-三酮的淺黃色針 UV/VIS(CH2Cl2)λmax＝377nm；ε＝64515l·mol-1·cm-1。
實施例13將1.89g N-甲基-2-吡咯烷酮二甲基縮醛加入1.98g根據(jù)實施例11的5-乙酰基-1，3-二甲基-嘧啶-2，4，6-三酮在40ml叔丁基甲基醚中的懸浮液并在23攝氏度下攪拌16小時。使懸浮液沉降并將液相傾倒。將殘余物用40ml乙醇攪拌，并將固體過濾掉，用乙醇洗滌和在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。這樣得到0.92g 5-[1-羥基-2-(1-甲基-吡咯烷-2-叉基)-乙叉基]-1，3-二甲基-嘧啶-2，4，6-三酮的微綠黃色晶體
UV/VIS(CH2Cl2)λmax＝371nm；ε＝69192l·mol-1·cm-1。
實施例14將11g N，N′-二乙基硫代巴比土酸，30ml乙酸酐和540mg硫酸的混合物在100攝氏度下加熱15分鐘。在冰冷卻下慢慢加入18ml乙醇，并隨后在23攝氏度下攪拌10分鐘。將混合物在硫酸鈉上干燥和過濾，并將溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下蒸發(fā)掉。將產物再溶解在60ml甲苯中，在硫酸鈉上干燥和過濾，并將溶劑再次在40攝氏度/2.5·103Pa下蒸發(fā)掉和將產物在25攝氏度/20Pa下去除甲苯。得到11.4g 5-乙酰基-1，3-二乙基-2-硫代-二氫-嘧啶-4，6-二酮的淺黃色固體 實施例15將0.7ml N，N-二甲基甲酰胺二甲基縮醛加入970mg根據(jù)實施例14的5-乙酰基-1，3-二乙基-2-硫代-二氫-嘧啶-4，6-二酮在10ml叔丁基甲基醚中的溶液并在23攝氏度下攪拌16小時。將所得固體過濾掉，用叔丁基甲基醚洗滌和在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到1.1g5-(3-二甲基氨基-1-羥基-亞烯丙基)-1，3-二乙基-2-硫代-二氫-嘧啶-4，6-二酮的淺黃色晶體 UV/VIS(CH2Cl2)λmax＝399nm；ε＝69795l·mol-1·cm-1。
實施例16將4.32g Meldrum′s酸溶解在60ml二氯甲烷中并在0攝氏度下加入4.4g吡啶。攪拌10分鐘并隨后慢慢滴加2.36g乙酰氯。攪拌在0攝氏度下繼續(xù)進行另外1小時和在23攝氏度下進行16小時。將反應混合物使用每次50ml 10％含水檸檬酸洗滌三次，將有機相在硫酸鈉上干燥和過濾，并將溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下蒸發(fā)掉。得到4.87g黃色固體5-乙?；?2，2-二甲基-1，3-二氧己烷-4，6-二酮 實施例17將1.43g二甲基甲酰胺二甲基縮醛加入1.86g根據(jù)實施例16的5-乙?；?2，2-二甲基-1.3-二氧己烷-4.6-二酮在30ml叔丁基甲基醚中的懸浮液，并將混合物在23攝氏度下攪拌6小時并隨后在冷凍機中放置另外60小時。將所形成的固體在抽吸下過濾掉并使用每次10ml叔丁基甲基醚洗滌兩次。粗品通過柱色譜在硅膠上使用乙酸乙酯∶庚烷(4∶1)而純化。得到1.34g淺黃色固體5-(3-二甲基氨基-1-羥基-亞烯丙基)-2，2-二甲基-1，3-二氧己烷-4，6-二酮 UV/VIS(CH2Cl2)λmax＝363；ε＝65311l·mol-1·cm-1。
實施例18將3.09g二甲基環(huán)己烷二酮，4g乙酸和11g聚磷酸的混合物在100攝氏度下加熱4小時。在冷卻至23攝氏度之后，加入40g冰和40ml水并將所形成的橡膠狀產物用玻璃棒處理直至開始結晶。將固體過濾掉，使用每次30ml水洗滌兩次和在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到2.51g淺黃色固體2-乙酰基-5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮
實施例19將1.92g二甲基甲酰胺二甲基縮醛加入2.34g根據(jù)實施例18的2-乙?；?5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮在26ml叔丁基甲基醚中的溶液并在23攝氏度下攪拌16小時。將所形成的固體在抽吸下過濾掉，使用每次5ml叔丁基甲基醚洗滌兩次并在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到1.44g淺黃色粉狀2-(3-二甲基氨基-1-羥基-亞烯丙基)-5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮 UV/VIS(乙醇)λmax＝373；ε＝56169l·mol-1·cm-1。
實施例20將474mg根據(jù)實施例19的2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-5，5-環(huán)己烷-1，3-二酮溶解在5ml乙醇中和在23攝氏度下用108mg甲醇鈉攪拌15分鐘。加入134mg無水氯化銅(II)在1.5ml乙醇中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外1小時。將反應溶液用30ml二氯甲烷稀釋和用10ml水洗滌。有機相在硫酸鈉上干燥和過濾并將溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下去除。得到495mg綠棕色固體二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)銅(II) UV/VIS(乙醇)λmax＝370；ε＝75290l·mol-1·cm-1。
實施例21將472mg根據(jù)實施例19的2-(3-二甲基氨基-丙烯酰基)-5，5-環(huán)己烷-1，3-二酮溶解在10ml乙醇中和在23攝氏度下用2毫升1N氫氧化鈉溶液攪拌15分鐘。加入237mg六水合氯化鈷(II)在3ml乙醇中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外18小時。溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下被去除并將殘余物吸收在10ml二氯甲烷中；在硫酸鈉上干燥和過濾并將溶劑再次在40攝氏度/2.5·103Pa下去除。得到580mg深綠色固體形式的二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)鈷(II) UV/VIS(乙醇)λmax＝371；ε＝60840l·mol-1·cm-1。
實施例22將474mg根據(jù)實施例19的2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-5，5-環(huán)己烷-1，3-二酮溶解在5ml乙醇中和在23攝氏度下用108mg甲醇鈉攪拌15分鐘。加入129mg無水氯化鎳(II)在1ml水中的溶液并在23攝氏度下繼續(xù)攪拌另外2小時。溶劑在40攝氏度/2.5·103Pa下被去除并將殘余物吸收在10ml二氯甲烷中；在硫酸鈉上干燥和過濾并將溶劑再次在40攝氏度/2.5·103Pa下去除。得到463mg綠色固體二(2-(3-二甲基氨基-丙烯?；?-5，5-二甲基-環(huán)己烷-1，3-二酮根合)鎳(II)
UV/VIS(乙醇)λmax＝373；ε＝69450l·mol-1cm-1。
實施例23將1.0g 3-乙?；?6-甲基-吡喃-2，4-二酮，100mg碳上鈀(5％)和15ml乙酸的混合物在23攝氏度下在氫壓力10巴下氫化24小時。將催化劑過濾掉，用叔丁基甲基醚充分洗滌并通過蒸發(fā)將溶液濃縮至無水。得到900mg無色固體3-乙?；?6-甲基-二氫-吡喃-2，4-二酮 實施例24將480mg二甲基甲酰胺二甲基縮醛加入600mg根據(jù)實施例23的3-乙?；?6-甲基-二氫-吡喃-2，4-二酮在7ml叔丁基甲基醚中的懸浮液并隨后在23攝氏度下攪拌4小時和在23攝氏度下放置另外60小時。將所形成的固體在抽吸下過濾掉，使用每次1ml叔丁基甲基醚洗滌兩次并在40攝氏度/2.5·103Pa下干燥。得到542mg米色粉末形式的3-(3-二甲基氨基-1-羥基-亞烯丙基)-6-甲基-二氫-吡喃-2，4-二酮 UV/VIS(乙醇)λmax＝368；ε＝59850l·mol-1·cm-1。
實施例251.0g根據(jù)實施例2的化合物溶解在99g 2，2，3，3-四氟-1-丙醇中并通過0.2μm Teflon過濾器過濾。染料溶液隨后利用在200轉/分鐘下的旋涂而被施用到1.2mm厚的平面聚碳酸酯板(直徑120mm)上。將過量溶液在1000轉/分鐘下旋掉并形成均勻固體層。在干燥之后，固體層在360nm下具有吸收0.63。使用光學測量體系(ETA-RTTM，STEAG ETA-Optik)，層厚度被發(fā)現(xiàn)是36.7nm和，在405nm下，折射指數(shù)n被發(fā)現(xiàn)是2.16和消光系數(shù)k被發(fā)現(xiàn)是0.137。

圖1給出了作為波長函數(shù)的折射指數(shù)n.圖2給出了作為波長函數(shù)的消光系數(shù)k。
實施例26在真空-涂布裝置(TwisterTM，Balzers Unaxis)中，將50nm厚銀反射層施用到1.1mm厚的凹槽聚碳酸酯光盤(直徑120mm，凹槽節(jié)距320nm，凹槽深度80nm，凹槽寬度160nm)上。1.0％重量根據(jù)實施例2的化合物溶解在2，2，3，3-四氟-1-丙醇中并濾過0.2μm Teflon過濾器。染料溶液隨后通過旋涂方法在250轉/分鐘下施用到反射層上。將過量溶液在1800轉/分鐘下旋掉并得到均勻固體層。在干燥(20分鐘/70攝氏度)之后，固體層在360nm下具有吸收0.48。將UV-可交聯(lián)光聚合物(SD-347TM，Dainippon Ink)隨后通過旋涂以厚度約10μm施用并用UV光交聯(lián)。使用波長404nm的GaN激光二極管(Nichia)，在輸出5.5mW和線性速度5m/s下將標記寫入活性層。該操作導致在照射位的反射率的顯著下降。
實施例27-42根據(jù)實施例1，3，4，5，8，6，10，12，13，15，17，19，20，21，22和24的化合物類似于實施例26使用。
權利要求
1.一種包含基材，記錄層和視需要反射層的光學記錄介質，其中記錄層包含下式化合物 或 其中M是氫，鋁或，優(yōu)選，過渡金屬，它可另外與一個或多個其它配體配合和/或，為了平衡掉過多電荷，如果合適，可具有與配位球內部或外部的一個或多個其它離子的靜電相互作用，但結構式(Ib)和(Ic)中的M不是氫，Q是C-H，N或C-R6，C＝Q雙鍵的立體化學可以是E或Z，R1是氫，OR7，SR7，NHR7，NR7R8，C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R2和R3相互分別獨立地是C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R4是氰基，COR9，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，C2-C12烷-1-烯基，C3-C12環(huán)烷-1-烯基，C2-C12烷-1-炔基，C2-C5雜環(huán)烷基，C3-C5雜環(huán)鏈烯基，C6-C10芳基或C1-C9雜芳基，R5是氰基，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7，CONR7R8，NHR9，NR8R9，C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C2芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C-C9雜芳基，R6，R7和R8相互分別獨立地是C1-C12烷基，C2-C12鏈烯基，C2-C12炔基，C3-C12環(huán)烷基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C7-C12芳烷基，C2-C11雜芳烷基，C6-C10芳基或C-C9雜芳基，R1和R2，R1和R6，R2和R3，R2和R7，R3和R6，R4和R5，R4和R6，R4和R7和/或R7和R8可成對地相互鍵接以形成1，2，3或4碳環(huán)或N-，O-/和/或S-雜環(huán)環(huán)，任何這些環(huán)相互獨立地，如果合適，用于芳族或雜芳族環(huán)上和/或多個N-，O-和/或S-雜環(huán)環(huán)相互稠合，和N-雜環(huán)環(huán)中的任何N可未被取代或被R9取代；任何烷基，鏈烯基，炔基(在每種情況下，如果合適，作為非芳族環(huán)的一部分)，環(huán)烷基或環(huán)鏈烯基和，如果合適，多個烷基，鏈烯基，炔基，環(huán)烷基和/或環(huán)鏈烯基基團相互獨立地是未取代的或被R10單-或多-取代的；而且任何芳基，雜芳基或芳烷基或，如果合適，多個芳基，雜芳基和/或芳烷基基團可相互獨立地是未取代的或被R11單-或多-取代的；R9是H，R7，COR7，COOR7，CONH2，CONHR7或CONR7R8；R10是鹵素，OH，NH2，NHR12，NR12R13，NHNH2，NHNHR12，NHNR12R13，NR14NH2，NR14NHR12，NR14NR12R13，NHOH，NHOR12，NR14OH，NR14OR12，O-R12，O-CO-R12，S-R12，CO-R12，氧代，硫羰，＝N-R12，＝N-OH，＝N-O-，＝N-OR12，＝N-NH2，＝N-NHR12，＝N-NR12R13，CN，COOH，CONH2，COOR12，CONHR12，CONR12R13，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12R13，SO2R12，SO3R12或PO(OR12)(OR13)；R11是鹵素，NO2，CN，NH2，SH，OH，CHO，R15，OR15，SR15，C(R16)＝CR17R18，O-CO-R19，NHR19，NR19R20，CONH2，CONHR19，CONR19R20，SO2NH2，SO2NHR19，SO2NR19R20，SO2R19，COOH，COOR19，OCOOR19，NHCOR19，NR19COR21，NHCOOR19，NR19COOR21，P(＝O)OR19OR21，P(＝O)R19OR21，P(＝O)R19R21，或是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C1-C12烷基硫代，C3-C12環(huán)烷基硫代，C2-C12鏈烯基硫代，C3-C12環(huán)鏈烯基硫代，C1-C12烷氧基，C3-C12環(huán)烷氧基，C2-C12鏈烯基氧基或C3-C12環(huán)鏈烯基氧基分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10基團取代；R12，R13和R14相互分別獨立地是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基，C3-C12環(huán)鏈烯基，C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；或R12和R13，與共有的N一起，是分別未取代的或被C1-C4烷基單-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或嗎啉；R15是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R22基團取代的C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；R16是氫，氰基，鹵素，硝基，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，鹵素，羥基，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基基團取代的C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基或C3-C12環(huán)鏈烯基，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10和/或硝基基團取代的C6-C14芳基，C1-C12雜芳基，C7-C18芳烷基或C2-C16雜芳烷基；R17和R18相互分別獨立地是NR19R20，CN，CONH2，CONHR19，CONR19R20或COOR20；R19，R20和R21相互分別獨立地是R15，或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，鹵素，羥基，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基基團取代的C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C2-C12鏈烯基或C3-C12環(huán)鏈烯基；或R19和R20，與共有的N一起，是分別未取代的或被C1-C4烷基單-至四-取代的吡咯烷，哌啶，哌嗪或嗎啉；或是分別未被取代或被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R22基團取代的咔唑，苯噁嗪或吩噻嗪；和R22是鹵素，NO2，SO2NH2，SO2NHR12，SO2NR12R13，或是C1-C12烷基，C3-C12環(huán)烷基，C1-C12烷基硫代，C3-C12環(huán)烷基硫代，C1-C12烷氧基或C3-C12環(huán)烷氧基，分別被一個或多個，如果合適，相同的或不同的，R10基團取代；其中-如果R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13，R14，R15，R16，R17，R18，R19，R20，R21和/或R22存在一次以上，那么它們分別相互獨立；和/或-兩個具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的相同或不同實體可，如果需要，具有共同的部分結構或通過直接鍵而連接；和，如果這兩個連接的實體中的M是相同的，它還可以是單個原子。
2.根據(jù)權利要求1的光學記錄介質，其中M是Al，Au，Bi，Cd，Ce，Co，Cu，Cr，Hf，In，Ir，Mn，Mo，Nb，Ni，F(xiàn)e，Os，Pb，Pd，Pt，Re，Rh，Ru，Si，Sn，Ta，Ti，V，W，Zn或Zr，優(yōu)選Co，Cu或Ni，尤其Co(II)，Cu(II)或Ni(II)。
3.根據(jù)權利要求1或權利要求2的光學記錄介質，其中，如果R1和R6一起和/或R4和R5一起形成碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)，所述環(huán)不是芳族環(huán)也不是吡喃酮。
4.根據(jù)權利要求3的光學記錄介質，其中可通過R1和R6和/或通過R4和R5形成的碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)在環(huán)中具有至少一個完全飽和的碳。
5.根據(jù)權利要求1，2，3或4的光學記錄介質，其中Q是C-H或N，R9是R7，和/或如果合適，碳環(huán)或N-，O-和/或S-雜環(huán)非芳族環(huán)具有3至12原子，優(yōu)選5或6原子。
6.根據(jù)權利要求1，2，3，4或5的光學記錄介質，其中R4和R5一起形成5-或6-元環(huán)。
7.一種包含基材，記錄層和視需要反射層的光學記錄介質，其中記錄層包含下式化合物 或 或其立體異構體，低聚物或互變異構體其中M是鋁或過渡金屬，和獨立于R1的R1′定義如R1，獨立于R2的R2′定義如R2，獨立于R3的R3′定義如R3，獨立于R4的R4′定義如R4，和獨立于R5的R5′定義如R5，R1′和R1，R2′和R2，R3′和R3，R4′和R4，以及R5′和R5在每種情況下可相同或不同且，如果合適，基團R1′，R2′，R3′，R4′或R5′可通過直接鍵鍵接至基團R1，R2，R3，R4或R5上，且Q，R1，R2，R3，R4和R5定義如權利要求1。
8.根據(jù)權利要求1，2，3，4，5，6或7的光學記錄介質，其中記錄層包含至少兩種具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物，至少兩種具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物，或至少一種具有結構式(Ia)，(Ib)，(Ic)，(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物，其中M是鋁或過渡金屬，以及具有結構式(Ia)的化合物，其中M是氫。
9.一種記錄或回放數(shù)據(jù)的方法，其中根據(jù)權利要求1，2，3，4，5，6，7或8的光學記錄介質上的數(shù)據(jù)在300-500nm的波長下被記錄或播放。
10.根據(jù)權利要求1，2，3，4，5或6的具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物，其中M是過渡金屬，前提是，如果R1和R6一起和/或R4和R5一起形成碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)，那么碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)不是芳族環(huán)也不是吡喃酮。
11.下式螯合物 或 或其立體異構體，低聚物或互變異構體，其中M是鋁或過渡金屬，和獨立于R1的R1′定義如R1，獨立于R2的R2′定義如R2，獨立于R3的R3′定義如R3，獨立于R4的R4′定義如R4，和獨立于R5的R5′定義如R5，R1′和R1，R2′和R2，R3′和R3，R4′和R4，以及R5′和R5在每種情況下可相同或不同且，如果合適，基團R1′，R2′，R3′，R4′或R5′可通過直接鍵鍵接至基團R1，R2，R3，R4或R5上，且Q，R1，R2，R3，R4和R5定義如權利要求1。
12.一種用于制備根據(jù)權利要求11的具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物的方法，包括(a)在親水的含氧液體中使用堿去質子化根據(jù)權利要求1，2，5或6的具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)的化合物或根據(jù)權利要求7的具有結構式(Ma)的化合物，其中M是氫，；(b)加入鋁或過渡金屬M的非惰性鹽；(c)視需要加入1.0x至1.5x化學計量量的其它的配體；(d)視需要加入可與含氧液體混溶的另一液體，這樣具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的螯合物沉淀出；和(e)分離具有結構式(IIa)，(Tlb)或(IIc)的螯合物。
13.根據(jù)權利要求10的具有結構式(Ia)，(Ib)或(Ic)或根據(jù)權利要求11的具有結構式(IIa)，(IIb)或(IIc)的化合物在生產光學記錄介質中的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及新型光學記錄材料，包含特定的和在某些情況下新的二酮烯胺或其金屬螯合物和尤其在波長350－500nm下具有優(yōu)異的記錄和回放質量。本發(fā)明因此涉及一種包含基材，記錄層和視需要反射層的光學記錄介質，其中記錄層包含具有結構式(I)的化合物，其中M是氫，鋁或，優(yōu)選，過渡金屬，它可另外與一個或多個其它配體配合和/或，為了平衡掉過多電荷，如果合適，可具有與配位球內部或外部的一個或多個其它離子的靜電相互作用，但結構式(Ib)和(Ic)中的M不是氫，Q是C－H，N或C－R
文檔編號C07D209/00GK1826309SQ200480020916
公開日2006年8月30日 申請日期2004年7月12日 優(yōu)先權日2003年7月22日
發(fā)明者F·比內瓦爾德, J·-L·布德里, B·施密德哈爾特, A·沃勒, H·沃勒 申請人:西巴特殊化學品控股有限公司