專利名稱：：半導體晶片加工用粘合劑和膠帶的制作方法發(fā)明的背景發(fā)明的領域本發(fā)明一般涉及用于半導體晶片加工的粘合劑組合物和膠帶，尤其涉及用于半導體晶片的打磨和切片的含有熱塑性彈性體嵌段共聚物的粘合劑組合物和膠帶。相關領域的描述半導體集成電路(IC)芯片通常用于電子元件，這些元件可以用于精密的工業(yè)機器、汽車，也可以用于日常家用電器。半導體IC芯片的制造是由制造含有許多半導體元素的半導體晶片開始的。最后，將晶片鋸成或切成獨立的半導體元件(稱作模片(die))，每個元件就是一片半導體IC芯片。一般來說，通過將單塊高純度的硅錠切片或鋸片成厚約500至1000μm的薄的圓晶片來制備半導體晶片?？梢酝ㄟ^摻雜來改變晶片的電性能。然后，一般使用光刻法將電子線路施加到晶片的正面上。還在晶片上光刻分隔線，以提供鋸片標記用于最后將晶片切片成獨立的半導體IC芯片。傳統(tǒng)的晶片直徑約為3至4英寸。然而，由于單個IC芯片越來越大，因此現在一般的晶片直徑增至約5至8英寸，以使得由單片晶片可以形成更多的模片。預計晶片的直徑將會最終達到約12至16英寸，可能還會更大。為了使得精密的電子線路免受由于灰塵、濕氣、氣載腐蝕性酸等所造成的大氣沾污，在晶片的正面加上一層鈍化層，這層鈍化層可以是無機材料(如氧氮化硅)或有機材料(如聚酰亞胺)。為了能更方便地制造電子元件，需要減薄晶片的厚度(從而減薄由此晶片形成的半導體IC芯片的厚度)。通常的方法是保持晶片的正面靠著真空臺(vacuumtable)，同時打磨晶片的背面至其厚度約為200至500μm，并用水噴淋以除去磨下的碎屑。然而，晶片本身是易碎的，它易于在打磨過程中碎裂，而這一問題隨著晶片直徑的增大而更為嚴重。另外，晶片打磨過程中產生的粉塵可能沾污電子線路。而且，保持晶片的正面靠著真空臺，可能擦傷鈍化層和底下的線路。因此，需要保護晶片(尤其是晶片的正面)免于碎裂、受到沾污和擦傷。解決這一問題的早期方法是在晶片的正面使用一層石蠟，這層蠟最終使用溶劑洗滌來去除。該方法的缺點在Narimatsu等人的美國專利No.4,853,286中有記述。在其它的方法中，有一種是將感光性樹脂(photoresist)涂層旋涂在晶片的正面上，但是這并不總能夠消除晶片的碎裂。最近，人們使用壓敏粘合劑(PSA)膠帶來保護晶片的正面。有時，單獨使用壓敏粘合劑膠帶，有時將它與感光性樹脂涂層結合使用，以得到PSA膠帶可以粘附其上的表面。然而，根據技術文獻，粘合劑膠帶并不能徹底解決晶片保護的問題。上述美國專利No.4,853,286中提到，仍會發(fā)生晶片的碎裂，并且粘合劑表面聚結了灰塵，這些灰塵會沾污晶片。歐洲專利公開號No.0530729論述到如果PSA膠帶對于晶片有很強的初始粘合力，或者其粘合力隨著膠帶施用到晶片上直至將其除去之間的時間增加而增強的話，那么接著要去除PSA膠帶將有困難。關于報道的用于半導體晶片背面打磨工序(本文有時稱作“晶片打磨”)的各種粘合劑膠帶，已經有所記述。例如，上述美國專利No.4,853,286中揭示了一種晶片加工用膜，它用于在晶片的打磨過程中防止其碎裂。該膜包括底膜、一層可購得的普通粘合劑(如丙烯酸、酯、聚氨酯或合成橡膠粘合劑)、以及可任選的層壓在底基膜的非粘合劑一面上的支承膜。Takemura等人的美國專利No.5,126,178中記述了一種晶片加工用膜，它包括底膜，底膜的一面上有一層壓敏粘合劑(用可除去的剝離膜保護)，以及在背面上有一層磷酸系表面活性劑。壓敏粘合劑可以是丙烯?；?acryl-based)、乙烯基系或橡膠系的粘合劑，然而，較好的是水乳液型的壓敏粘合劑。Takemura等人的美國專利No.5,183,699中記述了一種晶片加工用膜，它用于在晶片打磨時防止其碎裂。該晶片加工用膜包括底膜，在底膜上有一層粘合劑(如常規(guī)的丙烯酸系或橡膠系的粘合劑)。在粘合劑層上，放置了一層合成樹脂膜，該合成樹脂膜的表面粗糙度不超過2μm。歐洲專利公開號No.0252739中記述了在打磨半導體晶片的背面的過程中，在晶片的正面施用粘合劑片。該粘合劑片包括底片和一層可水溶脹的、可水溶的粘合劑，該粘合劑較好的是基本由含不飽和羧酸的單體和丙烯酸酯類的單體的共聚物組成。歐洲專利公開號No.0530729中揭示了一種壓敏粘合劑膠帶，它用于半導體晶片的背面打磨。據報道，該壓敏粘合劑具有較小的初始粘合力，也不顯示粘合強度隨時間而增強。它包括丙烯酸樹脂的水乳液粘合劑、非離子的表面活性劑、環(huán)氧型和/或氮丙啶型的交聯劑，以及可水溶的有機化合物。日本公開專利申請?zhí)朜o.62-58638揭示了一種元件，它在拋光半導體晶片的背面時，用于保護晶片有線路一面。保護性元件包括抗?jié)駳獾钠?，它的彈性模量和尺寸穩(wěn)定性均很高。在此抗?jié)駳馄贤扛矇好粽澈蟿?如丙烯酸、橡膠、聚乙烯基醚或聚氨酯類的粘合劑)。然而，仍然需要一種粘合劑膠帶，它在半導體晶片打磨加工上有更大的效用。較好地，這種膠帶具有多種所需的性能。例如，膠帶應該能迅速地提供與表面(如硅、聚酰亞胺、氧氮化硅和感光性樹脂涂層)粘合的足夠的初始粘合力，以至于半導體晶片能輕易地經歷后處理步驟，而膠帶在需要時又易于除去。更好地，單種膠帶能夠對這些表面的每一種都提供可接受的初始粘合力，從而不需要為不同的表面貯存不同的膠帶。然而，最終的粘合力不應該太高，以致由于除去膠帶而碎裂或破裂的晶片數高于常規(guī)工業(yè)標準下所允許的晶片數(一般約為每1,000片中1片或更少)，或者殘留粘合劑殘留物，這些殘留物可能對以后的晶片加工不利。還需要膠帶的初始和最終粘合性能在貯存的數日，更好的是數周以上得以保持。也就是說，粘合力不應隨時間而增強(有時也稱為粘合力增長(adhesionbuild))，而這種增強是受限于方法或材料的，這種問題在一些PSA中出現。同樣地，粘合力不應隨時間有其它顯著的變化，如果粘合劑中的表面活性劑和其它流動組分向粘合劑粘合層遷移以致形成較弱的邊界層，這種變化可能發(fā)生。在貯存期間保持其初始和最終粘合性能的粘合劑不僅能提供具有較長貯存壽命的膠帶，而且在將膠帶粘貼于半導體晶片后不需要馬上進行打磨加工。另一個需要的特性是能夠除去膠粘帶而不沾污晶片，沾污會使得半導體晶片的光學密度發(fā)生變化，將半導體晶片置于在顯微鏡下觀察可以觀測到這一變化，這是由于有顯微鏡可見量的粘合劑殘留物留在鈍化層上，或者是除去了部分的鈍化層所致。粘合劑對水不敏感也是有幫助的，這樣可以防止晶片被打磨期間所用的噴淋水弄松。在半導體晶片打磨之后，晶片被鋸成或切成獨立的半導體IC芯片以前，一般有數道中間制造步驟。晶片的切片一般如下進行將晶片的打磨過的背面粘在PSA膠帶(常稱作切片用膠帶)的粘合表面上，將經粘合的晶片固定在真空臺上以限制其移動，用噴水的旋轉式金剛石鋸沿著事先光刻在半導體晶片上的鋸標記進行切割。然后，從切片用膠帶上取下各個半導體IC芯片。通常用探針靠著IC芯片區(qū)域的切片用膠帶的背襯向上推，同時用真空吸取器(vacuumpick-up)抓住IC芯片的頂部，將其從切片用膠帶上取下，這樣可以使得操作更簡便。然后，取下的IC芯片立即進一步加工，或者將它們貯藏起來以備日后進一步裝配成最終產品。已有的技術出版物記述了使用粘合劑切片用膠帶所遇到的各種困難。例如，歐洲專利公開號Nos.0520515和0157508中討論了需要粘合力的范圍足以使得半導體晶片能粘結在膠帶上，但是又不能太大以至于妨礙取下經切片的IC芯片。對于用于晶片切片操作的粘合劑膠帶，已經有所描述。例如，上述歐洲專利公開號No.0520515中揭示了一種膠帶，它用于固定半導體晶片，這些半導體晶片被切割成獨立的模片以形成獨立的半導體芯片。該膠帶包括三層層壓的支承膜，在該支承膜的一面上是可輻射固化的壓敏粘合劑。較好地，該壓敏粘合劑含有丙烯酸粘合劑、氰脲酸酯或異氰脲酸酯化合物，以及聚酯或多元醇聚氨酯丙烯酸酯(polyolurethaneacrylate)。歐洲專利公開號No.0588180中記述了一種切片用膠帶，它包括可透過輻射的膜和可輻射交聯的壓敏粘合劑，該壓敏粘合劑含有共聚合的輻射引發(fā)劑。該壓敏粘合劑可以由(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯或各種乙烯基烷基醚單體合成得到。日本公開專利申請?zhí)朜o.62-121781中記述了一種半導體晶片的切片膜，其中，在丁烯類聚合物膜上施用常規(guī)的壓敏粘合劑。日本公開專利申請?zhí)朜o.5-230426揭示了用于晶片切片的粘合劑膠帶，它包括由橡膠狀彈性材料制成的底膜，在底膜上有粘合劑層(尤其是丙烯酸類的粘合劑)。上述歐洲專利申請?zhí)朜o.0157508中記述了一種薄的粘合劑片，它用于在拋光步驟中保護半導體晶片，或者用于在將半導體晶片切割和分割成IC元件芯片時固定晶片。該粘合劑片包括可透光的基質和壓敏粘合劑，該壓敏粘合劑可以通過光輻射而固化，形成三維網絡結構。該粘合劑包括橡膠系或丙烯?；档膲好粽澈蟿?、可光致聚合的化合物以及光致聚合引發(fā)劑的混合物。然而，仍然需要一種粘合劑膠帶，它在半導體晶片的切片加工中具有更好的效用。這些膠帶最好能具有數種所需的性能。例如，這些膠帶應能提供足夠的粘結在硅晶片上的初始粘合力(以及其它需要膠帶粘結的表面，如鍍金層或不銹鋼機器部件)，以使得所得的半導體IC芯片不會在晶片的切片過程中變松。然而，最終的粘合力不應該太高，以致從膠帶上取下半導體IC芯片時所破裂或碎裂的芯片數大于在常規(guī)工業(yè)標準下所允許的數目。還需要初始和最終的粘合性能在貯存的數日，更好的是數周以上得以保持，因為在從半導體晶片被粘結在切片用膠帶上時，直至切片后將所得的半導體IC芯片從膠帶上取下，這之間可能會經歷數日或數周。如果粘合力隨著時間而顯著增強，這就需要將經切片的半導體IC芯片從膠帶上取下并貯存，除非它們在切片后馬上使用。還應該做到半導體IC芯片能從粘合劑膠帶上被干凈地取下，以致不留下粘合劑殘留物，這些殘留物會妨礙以后的加工，如IC芯片的焊接和封裝。膠帶上的粘合劑不粘結在鋸片上也是有利的，因為如果有所粘結，將需要定期中斷晶片的切片操作，以從鋸片上清除積累的粘合劑殘留物，來防止半導體IC芯片的沾污。另外，如果粘合劑不會粘結在鋸片上，那么就可以使用較厚的粘合劑層，這樣有利于防止由于疏忽而使得鋸片切到膠帶的背襯。如果膠帶的背襯在晶片的切片過程中被部分切到，則膠帶會在其后的加工過程中過早地變弱和破裂。粘合劑還應該對水不敏感，這樣可以防止過多的晶片由于切片加工中所用的水噴淋而變松。最后，要是能夠有既可用于晶片的打磨操作，又可用于晶片的切片操作的單種粘合劑膠帶將是十分有利的，因為這能省去為不同的加工操作而貯存不同的膠帶。發(fā)明的概述本發(fā)明一般涉及粘合劑組合物和膠帶，它們用于加工半導體晶片，包括半導體晶片的打磨和切片。較好的本發(fā)明的粘合劑組合物和晶片加工用膠帶對于重要的基質(如感光性樹脂層、聚酰亞胺鈍化層、氧氮化硅鈍化層和硅)具有較低的初始粘合力。較佳的實施方案顯示了隨時間最小的粘合力增長，以使得半導體晶片和/或半導體IC芯片能夠容易地從晶片加工用膠帶上取下，而不會留下可見量的粘合劑殘留物。在一個實施方案中，本發(fā)明提供了一種半導體晶片加工用膠帶，它包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑。該粘合劑包括熱塑性彈性體嵌段共聚物。較好的，該粘合劑在室溫下的儲能模量大于1×106帕斯卡。熱塑性彈性體嵌段共聚物包括熱塑性材料的鏈段和橡膠態(tài)彈性體(rubberyelastomer)的鏈段，熱塑性材料的鏈段較好的為約5-30％含量的苯乙烯，更好的約為8-25％，最好為15-25％。特別好的熱塑性彈性體嵌段共聚物的例子包括具有苯乙烯嵌段和乙烯/丙烯嵌段的共聚物，如苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段聚合物。較好的本發(fā)明半導體晶片加工用膠帶對于以下基質中的一種的剝離粘合力約為每線性英寸寬20至500克(更好的約為20至200克)，這些基質為硅、聚酰亞胺、氧氮化硅和感光性樹脂涂層，并且，膠帶即使在與基質接觸，在環(huán)境條件下停壓(dwell)7天后，仍能保持這一范圍的粘合力。為了向所感興趣的基質提供必要的粘合力，粘合劑中需要包含粘合改性劑，如增粘性樹脂(一般少于10％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和增粘性樹脂的總重量計，更好的為3-8％(重量))，液態(tài)橡膠(一般少于20％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和液態(tài)橡膠的總重量計，更好的約為5％至少于20％(重量))，或者光致交聯劑。當熱塑性彈性體嵌段共聚物是氫化的共聚物時，增粘性樹脂和液態(tài)橡膠粘合改性劑尤為有用。當熱塑性彈性體嵌段共聚物是未氫化的共聚物時，光致交聯劑尤為有用。本發(fā)明的另一個實施方案提供了一種半導體晶片加工用膠帶，它包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，所述粘合劑包括氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物，它在20℃時的儲能模量為2.7×106至4.0×106帕斯卡。本實施方案中，特別好的是苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯和苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段共聚物。本發(fā)明的一個特別好的方面是提供了一種晶片切片用膠帶，它具有上述結構。這些膠帶較有利的是具有較薄的背襯，約為12至50μm(更好的約為12至25μm，最好的約為12至15μm)，所述背襯在縱向的斷裂伸長率約為100至200％(更好的約為120至165％)。這些晶片切片用膠帶的優(yōu)點是，在半導體晶片上使用膠帶時，在與晶片接觸，在環(huán)境條件下停壓15天后，其剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。本發(fā)明還涉及加工半導體晶片的方法。該方法包括以下步驟(a)得到半導體晶片；(b)將半導體晶片粘結到半導體晶片加工用膠帶的粘合劑面上，所述膠帶包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑；(c)通過打磨晶片的背面或將晶片切片成集成電路半導體芯片來加工半導體晶片。所述粘合劑包括如上所述的熱塑性彈性體嵌段共聚物。較佳實施方案的詳細描述本發(fā)明一般涉及粘合劑組合物和粘合劑膠帶，它們用于晶片加工中，包括晶片打磨和晶片切片過程。本文所用的“晶片打磨”是指打磨半導體晶片的背面以減薄其厚度的過程，該過程在半導體晶片制造中是為人們所熟知的。本文所用的“晶片切片”是指將半導體晶片鋸成或切成各個模片或半導體IC芯片，這在半導體晶片轉化成IC芯片的過程中也是為人們所熟知的步驟。較好的本發(fā)明粘合劑組合物和晶片加工用膠帶能對半導體工業(yè)的重要基質提供較低的最終粘合力，這些基質如感光性樹脂層、有機鈍化層(如聚酰亞胺)、無機鈍化層(如氧氮化硅)或硅。較佳的實施方案顯示了隨時間最小的粘合力增長，以使得半導體晶片和/或半導體IC芯片能夠容易地從本發(fā)明的晶片加工用膠帶上取下，而碎裂或破裂的數目不會大于工業(yè)標準所允許的數目，并且不會留下對于內眼而言的可見量的粘合劑殘留物。本發(fā)明的更好的實施方案對于若干的上述基質表面顯示這些性質，最好的實施方案對于所有的上述基質表面顯示這些性質。更好的本發(fā)明實施方案的粘合劑組合物和膠帶還可以從半導體晶片和/或半導體IC芯片上除去而不沾污。一方面，本發(fā)明的晶片加工用膠帶包括永久性背襯，以及在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑(非PSA)，其中，非PSA包括熱塑性彈性體嵌段共聚物?！坝谰眯员骋r”是指要作為晶片加工用膠帶的組成部分的基質或背襯層，而不是可除去的或可剝離的組分，如臨時的、保護性的剝離襯墊。為了使得本發(fā)明的晶片加工用膠帶有更廣的效用，永久性背襯需要具有數種性能。例如，永久性背襯應該具有足夠的柔性以使其能夠繞芯軸卷繞成卷筒狀，以便于處理、貯存和運輸。另外，永久性背襯應該能夠用刀切割，以使得可以制造寬帶條，這些寬帶條隨后可以進一步被切割成更窄寬度的帶條以更方便地使用，以及提供給半導體IC芯片制造步驟，該步驟需要切割永久性背襯。較好地，永久性背襯所含的可水提取的化合物或離子組分不應超過在常規(guī)的晶片加工工業(yè)標準下所允許的量。更好的是永久性背襯不含這些物質，以降低其對水的敏感性，以及降低半導體晶片被這些物質所沾污的可能性?？捎糜诒景l(fā)明的晶片加工用膠帶的永久性背襯可以是單層膜或多層膜。背襯的厚度可以在較寬的范圍內變化，只要所得的膠帶可以使用晶片打磨和晶片切片設備容易地進行處理。在此準則下，永久性背襯的厚度一般約為5至500μm。然而，對于晶片切片用膠帶，較好的是永久性背襯的厚度約為12至50μm，更好的是厚度約為12至25μm，最好的是厚度約為12至15μm。另外，特定用于切片的晶片加工用膠帶較好的是具有足夠的可拉伸性，以適應使用向上推的探針來方便地取下半導體模片。因此，用于晶片切片用膠帶的較好的永久性背襯在縱向的斷裂拉伸強度約為70至240千帕斯卡(kPa)，在橫向，斷裂拉伸強度約為100至300kPa。同樣，用于晶片切片的較好的永久性背襯在縱向的斷裂伸長率約為100至200％(更好的約為120至165％)，在橫向，斷裂伸長率約為30至90％。拉伸強度小于該范圍，或者伸長率大于該范圍的永久性背襯與半導體IC芯片取下用探針接觸時，其伸長比宜用于晶片切片加工的本發(fā)明永久性背襯要大。因此，不在較好范圍內的背襯會導致減慢制造速度，因為探針運行的距離增加了。而且，隨著永久性背襯的剛性增加(即高拉伸強度，低伸長率)，處理現在越來越普遍的較大直徑的半導體晶片就更容易了。制造本發(fā)明的晶片加工用膠帶中所用的永久性背襯的材料包括聚烯烴(如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯)、乙烯/乙烯基單體共聚物(如乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯/乙酸乙烯酯共聚物)、聚丁二烯、聚氯乙烯、聚氨酯、聚酰胺、聚酯(尤其是聚對苯二甲酸乙二醇酯)。本發(fā)明所用的粘合劑組合物為非PSA材料，它包括，更好的基本上由熱塑性彈性體嵌段共聚物組成?！胺荘SA”是指不具有壓敏性能的粘合劑。一般認為壓敏粘合劑是指那些對于較寬范圍內的各種基質在施用了較輕的壓力后就顯示永久粘性和干粘性(aggressivetackiness)的粘合劑。可接受的對于壓敏粘合劑的定量描述是通過Dahlquist標準線給出的，該標準線指出，于室溫下(約20至22℃)以10弧度/秒測量，儲能模量(G′)小于約3×105帕斯卡的材料具有壓敏粘合性能，G′超過該值的材料不具有壓敏粘合性能。因此，更具體地說，本文所用的非PSA是指儲能模量至少高于Dahlquist標準線的材料，更好的是指儲能模量在1×106帕斯卡以上的材料?！盁崴苄詮椥泽w嵌段共聚物”是指嵌段的A和B嵌段或鏈段的共聚物，該共聚物具有熱塑性和高彈性(即橡膠態(tài))行為。為了簡單起見，本文中有時使用“熱塑性彈性體”和“嵌段共聚物”的表述，指的就是熱塑性彈性體嵌段共聚物。因此，熱塑性彈性體可以十分容易地與天然和合成的橡膠以及常規(guī)的熱塑性塑料(如丙烯酸酯和乙烯基聚合物)區(qū)分開來。用于本發(fā)明粘合劑組合物和晶片加工用膠帶的熱塑性彈性體包括具有星形的、線型的A-B二嵌段和線型的A-B-A三嵌段結構的多嵌段共聚物，以及這些材料的共混物。在這些結構中，A表示非橡膠態(tài)熱塑性鏈段(如端嵌段)，B表示橡膠態(tài)彈性鏈段(如中間鏈段)。然而，少部分的其它單體也可以進入嵌段共聚物中。說明性的熱塑性A嵌段包括單環(huán)或多環(huán)的芳香烴(aromatichydrocarbons)，尤其是單環(huán)或多環(huán)的芳烴(arenes)。說明性的單環(huán)和多環(huán)的芳烴包括取代或未取代的具有單環(huán)和雙環(huán)結構的聚(乙烯基)芳烴。較好的熱塑性彈性體包括取代或未取代的單環(huán)芳烴的熱塑性鏈段，它具有足夠的鏈段分子量以確保室溫下的相分離。熱塑性A嵌段可以包括鏈烯基芳烴的均聚物或共聚物。熱塑性A嵌段中的鏈烯基芳烴最好是單鏈烯基的芳烴。術語“單鏈烯基的芳烴”被認為包括特別是苯系列的芳烴，如苯乙烯及其類似物和同系物，包括鄰甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對叔丁基苯乙烯、1，3-二甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯以及其它環(huán)狀烷基化的苯乙烯(尤其是環(huán)甲基化的苯乙烯)，以及其它單鏈烯基的多環(huán)芳香族化合物，如乙烯基萘、乙烯基蒽等。較好的單鏈烯基芳烴是單乙烯基單環(huán)芳烴，如苯乙烯和α-甲基苯乙烯，特別好的是苯乙烯。各個熱塑性A嵌段較好的是具有至少約6,000的數均分子量，以促進良好的微區(qū)結構的形成，更好的數均分子量約為8,000至30,000。熱塑性A嵌段一般占嵌段共聚物的5-30％(重量)，較好的占8-25％(重量)。當B嵌段是由飽和的橡膠態(tài)彈性體鏈段組成時，最好的熱塑性彈性體含有的A嵌段占嵌段共聚物的約15-25％(重量)。A-B-A的表示包括支化和線型的嵌段共聚物，還包括末端嵌段互不相同的結構，但是這些末端嵌段均來自苯乙烯或苯乙烯同系物(這些結構有時被稱為A-B-C嵌段共聚物)。較好的橡膠態(tài)彈性體B鏈段是由單體的均聚物或兩種或多種脂族共軛二烯單體的共聚物所組成的聚合物嵌段。共軛二烯最好含有4至8個碳原子。合適的共軛二烯單體的例子包括1，3-丁二烯(丁二烯)、2-甲基-1，3-丁二烯(異戊二烯)、2,3-二甲基-1，3-丁二烯、1，3-戊二烯(戊間二烯)、1，3-己二烯等。在最好的苯乙烯的嵌段共聚物中，橡膠態(tài)鏈段可以通過氫化不飽和的前體來飽和，這些前體如中間嵌段包括1，4和1，2異構體的混合物的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。一旦將后者氫化，就能得到苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。同樣地，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物前體也可以被氫化，得到苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物。橡膠態(tài)材料(如聚異戊二烯、聚丁二烯和苯乙烯-丁二烯橡膠)也可以用來形成橡膠態(tài)彈性體鏈段。特別好的還有丁二烯和異戊二烯。還可以使用不同的共軛二烯的混合物。線型二嵌段和三嵌段共聚物的B嵌段的數均分子量較好的是約在4,500至180,000的范圍內?？捎糜诒景l(fā)明的星形嵌段共聚物是美國專利No.3,281,383中所述的類型，符合以下通式(A-B)nX，其中A是由苯乙烯或苯乙烯同系物聚合的熱塑性嵌段，B是由上述共軛二烯得到的橡膠態(tài)彈性體的嵌段，X是有機或無機連接的具有2-4個官能度的分子，如四氯化硅、四氯化錫或二乙烯基苯，還有其它一些，記載于美國專利No.3,281,383中。X可具有較高的官能度，在這種情況下，″n″是與A的官能度有關的數。星形嵌段共聚物的數均分子量較好的是約在125,000至400,000的范圍內。熱塑性彈性體還可以包括星形或線型三嵌段共聚物和簡單的二嵌段共聚物的混合物。然而，在三嵌段和二嵌段共聚物的混合物中，二嵌段共聚物的比例不應超過約85％(重量)，一般使用較低的百分數，如30％。在本發(fā)明中，可以使用各種可購得的熱塑性彈性體(單獨使用或結合使用)，它們包括PhillipsPetroleumCo.的SOLPRENE系列的材料，Fina的FINAPRENE系列的材料，Asahi的TUFPRENE和ASAPRENE系列的材料，FirestoneSyntheticRubber&amp;LatexCo.的STEREON系列的材料，Enichem的EUROPRENESOLT系列的材料，DexcoPolymers的VECTOR系列的材料，以及ShellChemicalCo.的CARIFLEXTR系列的材料。KurarayCo.Ltd.的SEPTON系列的材料也是可用的，如SEPTON2002，2005，2007，2023，2043和2063。ShellChemicalCo.的KRATON系列的材料也是可用的，如D-1101，D-1102，D-1107P，D-1111，D-1112，D-1114PX，D-1116，D-1117P，D-1118X，D-1119，D-1122X，D-1124，D-1125PX，D-1184，D-1300X，D-1320X，4141，4158，4433，RP-6408，RP-6409，RP-6614，RP-6906，RP-6912，G-1650，G-1651，G-1652，G-1654X，G-1657，G-1701X，G-1702X，G-1726X，G-1750X，G-1765X，FG-1901X，FG-1921X，FG-1924和TKG-101。一般來說，較好的是KRATON系列的氫化熱塑性彈性體。特別好的一類材料是氫化嵌段共聚物，它包括苯乙烯鏈段和乙烯/丙烯鏈段，尤其是那些報道的偶合效率為100％，含有約15-25％(約18-23％更佳)的苯乙烯，拉伸強度約為3100psi，斷裂形變約為9％的嵌段共聚物。這些材料顯示以下的儲能模量(在10弧度/秒下)0℃時，約2.5×106至4.0×106帕斯卡；20℃時，約2.7×106至4.0×106帕斯卡；40℃時，約2.9×106至3.8×106帕斯卡。這類材料的代表是KRATONRP-6906和RP-6912，后者尤其特別，它是具有四個獨立嵌段(苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯)的線型多嵌段共聚物。也可以使用這些材料的共混物。這類材料的優(yōu)點是，它們在沒有加入粘合改性劑的情況下就具有有效的粘合力。本發(fā)明中可用的一些熱塑性彈性體固有的粘合力范圍，對于晶片加工中的最大效用而言，可能太低(尤其是一些氫化熱塑性彈性體)，或者可能太高(尤其是一些未氫化的熱塑性彈性體)。另外，對于晶片加工中最好的效用而言，一些熱塑性彈性體可能不能充分地潤濕欲粘結的基質表面，這樣會形成質量較差的涂層，或者難以涂覆，或者兩者兼而有之。因此，本發(fā)明的粘合劑組合物還可任選地包括粘合改性劑如增粘性樹脂或液態(tài)橡膠，用來增強熱塑性彈性體的固有粘合力、潤濕能力或可涂覆性；或者如光致交聯劑，用來降低熱塑性彈性體的固有粘合力?？梢韵驘崴苄詮椥泽w中加入增粘性樹脂，用來增強熱塑性彈性體的初始粘合強度并降低其模量，以提高粘合劑組合物對其欲施用的基質表面的快速潤濕能力。增粘性樹脂還能向粘合劑組合物提供其它所需的性能，如較低的粘度、改進的可涂覆能力以及改進的剝離粘合力?？捎糜诒景l(fā)明粘合劑組合物的增粘性樹脂包括由C5至C9的不飽和烴單體聚合得到的樹脂、多萜、合成多萜等。增粘性樹脂可以含有乙烯不飽和度，然而，飽和的增粘性樹脂特別適合于與氫化熱塑性彈性體一起使用?？梢酝ㄟ^聚合主要由烯烴和二烯烴(包括例如，異戊二烯制造過程中殘留的副產物單體)組成的單體來制備烴類增粘性樹脂。一般來說，這些烴類增粘性樹脂的球環(huán)法測得的軟化點約為80℃至145℃，酸值約為0至2，皂化值小于1。本發(fā)明粘合劑組合物中所用的增粘性樹脂一般為低分子量材料，例如，重均分子量約為350至2,500。較好的是增粘性樹脂與熱塑性彈性體相容，這就意味著這些組分在室溫下沒有可見的相分離的跡象。用于本發(fā)明粘合劑組合物的可購得的增粘性樹脂，且該樹脂是C5烯烴餾分系的，它的例子包括購自GoodyearTireandRubberCo.的WingtackTM95和WingtackTM115(WingtackPlus)增粘性樹脂。其它烴類樹脂包括購自HerculesChemicalCo.，Inc.的RegalrezTM1078、RegalrezTM1094和RegalrezTM1126；購自ArakawaForestChemicalIndustries的Arkon樹脂，如ArkonTMP115；以及購自ExxonChemicalCo.的EscorezTM樹脂?？捎糜诒景l(fā)明的松香(rosin)的衍生物，尤其是氫化衍生物的例子包括購自HerculesChemicalCo.，Inc.的ForalTM85和ForalTM105。其它合適的樹脂包括萜烯聚合物，如通過萜烯烴的聚合和/或共聚得到的聚合樹脂的材料，所述萜烯烴如脂環(huán)的、單環(huán)和雙環(huán)的單萜以及它們的混合物，包括蒈烯、異構化蒎烯、萜品烯、松節(jié)油以及各種其它萜烯?？少彽玫妮葡╊悩渲ㄙ徸訟rizonaChemicalCorp.的ZonarezTM萜烯B系列和7000系列。ZonarezTM萜烯樹脂所報道的一般性能包括球環(huán)法測得的軟化點約為80至145℃，皂化值小于1。增粘性樹脂以有效量使用，即給予所感興趣的基質合適的粘合力的用量。增粘性樹脂的實際用量取決于所需粘合力的范圍，欲粘結的基質和熱塑性彈性體的模量。增粘性樹脂用量不足不能使得粘合力有足夠的增強。另一方面，增粘性樹脂的用量不應使得最終的粘合力高至不可接受的程度，因為這會導致從半導體晶片上取下晶片加工用膠帶時碎裂的晶片數達到不可接受的高程度。一般來說，使用能在保持粘合劑的非PSA特性的同時，得到合適的粘合力所需的最小量的增粘性樹脂，該量一般小于10％(重量)，以增粘性樹脂和熱塑性彈性體的總重量計，更好的約使用3-8％(重量)。或者可以使用液態(tài)橡膠來增強粘合劑組合物的初始粘合強度，降低其模量，并提高對欲粘結的表面的潤濕能力。該液態(tài)橡膠應該經過挑選，以與熱塑性彈性體相容，這也就意味著在室溫下沒有可見的相分離的跡象。液態(tài)橡膠的分子量應該經過挑選，以防止液態(tài)橡膠向粘合劑的粘合層遷移的可能性，這種遷移將會導致較弱的邊界層以及晶片加工用膠帶過早的失效。分子量約為25,000至50,000是可用的?？梢允褂貌糠謿浠囊簯B(tài)橡膠，然而，最好的是更充分氫化的液態(tài)橡膠，如氫化液態(tài)異戊二烯橡膠(如KurarayCo.Ltd.的KurarayLIR290，分子量約為25,000)。液態(tài)橡膠應該以有效量使用，該量是用上述增粘性樹脂的相同標準來選擇的。在這些參數的范圍內，液態(tài)橡膠的一般用量為小于20％(重量)，以熱塑性彈性體和液態(tài)橡膠的總重量計，更好的為5％至小于20％(重量)。另一方面，如果熱塑性彈性體的最終粘合力太高以至于不能容易地除去晶片加工用膠帶的話，那么適宜加入光致交聯劑來降低熱塑性彈性體的最終粘合力。本文所用的“光致交聯劑”是指這樣一種試劑，它一旦暴露于紫外線輻照下(如波長約為250至400納米的輻照)，就會導致熱塑性彈性體的交聯。適用于本發(fā)明的光致交聯劑包括醛類，如苯甲醛、乙醛，以及它們的取代衍生物；酮類，如甲基苯基酮、二苯甲酮，以及它們的取代衍生物，如Sandoray1000TM(SandozChemicals，Inc.)；醌類，如苯醌、蒽醌，以及它們的取代衍生物；噻噸酮類，如2-異丙基噻噸酮和2-十二烷基噻噸酮；以及一定的發(fā)色團取代的鹵代甲基均三嗪類，如2，4-二(三氯甲基)-6-(3′，4′-二甲氧基苯基)均三嗪，然而最后的這些材料不是最好的，因為它們有可能產生鹵素污染物。使用固化有效量的交聯劑，也就是說，該用量足以使得粘合劑進行交聯，以對于所感興趣的基質提供所需的最終粘合性能。光致交聯劑的量不足會使得粘合劑組合物的固化(即交聯)不充分，以至于粘合力仍然太高，而過量的光致交聯劑會使得粘合劑組合物本體內不均勻地固化。在這些參數范圍內，光致交聯劑的用量一般約為熱塑性彈性體的0.05-2％(重量)，更好的約為0.2-1％(重量)，最好的約為0.3-0.5％(重量)。粘合劑組合物中還可以包括少量的各種添加劑。這些添加劑包括顏料、染料、增塑劑、填料、穩(wěn)定劑、紫外線吸收劑、抗氧劑、加工用油等。添加劑的用量可以隨所需的最終性能而變化。為了在晶片的加工中得到更強的效用，晶片加工用膠帶應該基本不含離子雜質，這些離子雜質會遷移到IC半導體晶片上并沾污它們。本發(fā)明的粘合劑組合物和晶片加工用膠帶可以容易地制備。一般來說，使用輥式研磨機或其它低剪切的混合裝置在室溫下將熱塑性彈性體以及任何增粘性樹脂或液態(tài)橡膠增溶在非極性有機溶劑中，歷時數小時(一般約為2至4小時)，直至看不見未溶解的熱塑性彈性體。所述非極性有機溶劑如甲苯，它可與少量的庚烷和/或環(huán)己烷混合，或者與等重量份的甲基乙基酮和異丙醇的混合液相混合。如果包括光致交聯劑的話，光致交聯劑可以在此時加入，用輥式研磨機再混合，以確保其徹底溶解。所得的增溶的熱塑性彈性體可以再用上述種類的非極性有機溶劑稀釋至具有可涂覆粘度(如約4,000至5,000厘泊)的固體含量(如約25％)。較好的稀釋溶劑是50％/25％/25％(重量)的甲苯/甲基乙基酮/異丙醇的混合液。然后，將溶液用各種涂布方法施涂在永久性背襯上，這些涂布方法包括刮刀涂布、縫隙式刮刀涂布(slottedknifecoating)或逆輥涂布。然后，在一定溫度下(如65至120℃)干燥一定時間(如數分鐘至約1個小時)，得到粘合劑膠帶。干燥的粘合劑層的厚度可以在約10微米至數百(如約200)微米的較寬范圍內變化，然而，對于晶片打磨加工用膠帶，干燥的粘合劑厚度更好的約為80至90μm；而對于晶片切片加工中所用的膠帶，使用的干燥粘合劑厚度約為50至100μm。如果使用光致交聯劑的話，可以將粘合劑暴露于波長約為250至400nm的紫外線輻照下。在此較好的波長范圍內，交聯粘合劑所需的輻射能約為100至1,500毫焦耳/厘米2，更好的約為200至800毫焦耳/厘米2。粘合劑可以在加工晶片(如打磨或切片)之前或之后進行交聯。一旦對粘合劑組合物進行了干燥以得到晶片加工用膠帶，膠帶的粘合劑表面可以任選地用臨時的可除去的剝離襯墊進行保護，這些剝離襯墊如聚烯烴(如聚乙烯或聚丙烯)或聚酯(如聚對苯二甲酸乙二醇酯)的膜，或者是經防粘物質(releasematerial)(如硅氧烷、蠟、碳氟化合物等)處理過的紙或塑料薄膜。參考以下實施例將更全面地理解本發(fā)明，這些實施例并沒有限制作用。這些實施例通過下述特定的試驗方法進行評定。試驗方法和實施例中所給出的所有量綱均為標稱量綱。試驗方法剝離粘合力試驗方法A晶片加工用膠帶對于晶片打磨過程中會遇到的各種基質的剝離粘合力通過以下方法進行評定將晶片加工用膠帶樣品(該膠帶寬25mm，長約130mm)用約2kg的包覆橡膠的輥輥壓兩次使其粘合在基質上。然后，使有晶片加工用膠帶粘于其上的基質在23℃和50％相對濕度(RH)下停壓一段時間，停壓時間在實施例中的會以“停壓”具體指出。接著，將基質的反面(即基質的未粘貼晶片加工用膠帶的一面)牢固地粘結在Instrumentors，Inc.Slip-PeelTesterModelSP-102C-3M90粘合力試驗機的粘合力試驗承載器上。將晶片加工用膠帶的試驗帶條的一自由端連接到粘合力試驗機的力傳感器上，將試驗帶條以180°的角度和30cm/min的速率從基質上剝離。以每線性英寸寬度的克數(gramsperlinearinchwidth，gliw，即約每25mm的克數)記錄剝離粘合力，下面實施例所報道的值為至少2次測量的平均值。為了使得晶片加工用膠帶在半導體晶片制造工業(yè)上更廣泛地被接受，剝離粘合力的值應該約為20至500gliw，最好的約20至200gliw。最好的是粘合劑組合物顯示最小的隨時間的粘合力增長，也就是說，最終粘合力仍在這些范圍內。還對晶片加工用膠帶是否被認為是可剝離的這一問題進行定性地評定。一種膠帶如果能從基質上取下而不使其破裂或碎裂，并且對于肉眼，如果在基質上沒有可見的粘合劑殘留物，那么該膠帶被認為是可剝離的。粘于其上測量剝離粘合力的基質有(1)平滑的聚酰亞胺(它被用于具有平滑表面的半導體硅晶片)；(2)常規(guī)用于半導體IC芯片制造的代表性的IC聚酰亞胺鈍化層(它已被用于這樣的半導體硅晶片，該晶片上有光刻的電子線路，這樣用于粘結的外露表面為聚酰亞胺和電子線路材料)；(3)環(huán)氧化物系的感光性樹脂層(通常用于在半導體晶片的制造中已涂覆在上述IC聚酰亞胺鈍化層上的代表性的基質)；以及(4)常規(guī)用于制造半導體IC芯片的代表性的IC氧氮化硅鈍化層(它已被用于這樣的半導體硅晶片，該晶片上有光刻的電子線路，這樣用于粘結的外露表面為氧氮化硅和電子線路材料)。剝離粘合力試驗方法B對晶片加工用膠帶對于晶片切片過程中會遇到的各種基質的剝離粘合力也進行評定。用固定刀片間隙的剃刀切割晶片加工用膠帶的試驗帶條，其約為115mm×19mm，通過用約2kg的包覆橡膠的輥輥壓兩次將試驗帶條粘結在具有平滑表面的半導體硅晶片、浮法玻璃和315等級的不銹鋼基質上。用不起毛的布(lintlesscloth)蘸雙丙酮醇預清潔基質表面，然后將基質表面在庚烷中漂洗，空氣干燥。樣品在21℃和55％RH下保持一段時間(具體見實施例中的“停壓”)。剝離粘合力在Instrumentors，Inc.Slip-PeelTesterModelSP-102C-3M90粘合力試驗機上測量。將晶片加工用膠帶的試驗帶條的一自由端連接到粘合力試驗機的力傳感器上，將試驗帶條以180°的角度和30cm/min的速率從基質上剝離。以每線性英寸寬度的克數(gliw)記錄剝離粘合力，下面實施例所報道的值為5次測量的平均值。為了晶片切片應用，剝離粘合力的值較好的約為20至200gliw，更好的約40至150gliw，最好的約100gliw。然而，實際粘合力取決于模片的尺寸，較小的模片通常需要較大的剝離粘合力。最好的是粘合劑組合物顯示最小的隨時間的粘合力增長，也就是說，最終粘合力仍在這些范圍內。半導體晶片的打磨應用于晶片打磨的晶片加工用膠帶的效用如下測量膠帶樣品的寬度至少與半導體硅晶片的寬度相等。將該膠帶在1000等級的清潔的室內于室溫下使用約2kg包覆橡膠的輥輥壓1次，將其粘結在晶片的非硅表面上。然后，使得有晶片加工用膠帶粘結于其上的硅晶片在室溫下停壓，停壓時間不超過8小時，通常少于1個小時。然后，將經膠帶粘結的半導體晶片膠帶面朝下，放置在DiscoModelDFG-83H/6晶片打磨機的真空夾盤上。在打磨過程中，一系列的三個砂輪(均購自DicsoCorp.)經過半導體晶片。第一個砂輪(型號no.RS-01-2-40/60-NA-A)除去120μm的硅，第二個砂輪(型號no.RS-01-2-20/30-NA-C)除去100μm的硅，第三個砂輪(型號no.RS-03-2-2/34-P)除去10μm的硅。打磨時間總共約為10分鐘。在第三個砂輪打磨之后，用水洗滌半導體晶片以除去打磨碎屑，空氣干燥，使其在環(huán)境條件下停壓約16個小時。用固定刀片間隙的剃刀切割兩條25mm寬的外露背襯的晶片加工用膠帶的試驗帶條，每條比晶片的邊緣縮進約0.5英寸。然后，將一片寬度為50mm的購自NittoDenkoCompany的NittoBT315S去膠帶(removaltape)朝下施用在晶片加工用膠帶的外露背襯的中央，用約2kg的包覆橡膠的輥輥壓二次。然后，用手除去粘結在兩條切割的帶條間的晶片加工用膠帶中間部分的去膠帶。在不使用去膠帶的情況下，用手除去兩片晶片加工用膠帶的外露背襯的邊緣。接著，將半導體晶片的反面(即未粘結試驗帶條的一面)牢固地粘結Instrumentors，Inc.Slip-PeelTesterModelSP-102C-3M90粘合力試驗機的粘合力試驗承載器上。將試驗帶條的一端連接到粘合力試驗機的力傳感器上，將去膠帶與晶片加工用膠帶一起以180°的角度和30cm/min的速率從晶片上剝離。以每線性英寸寬度的克數記錄剝離粘合力，實施例所報道的值為單次的測量值。一種晶片加工用膠帶如果能從半導體晶片上取下而不使晶片破裂或碎裂，并且對于肉眼，如果在晶片上沒有留下可見的粘合劑殘留物，那么該膠帶被認為是可剝離的，從而可用于晶片打磨。半導體晶片的切片晶片加工用膠帶作為晶片切片用膠帶的特定的效用如下評定鋪展200mm的方形膠帶樣品，蓋住直徑為147mm的晶片膠帶環(huán)(購自GustavWirzAG.Berg，Switzerland的#8572)，用外鎖緊環(huán)(outerlockring)鎖緊膠帶。將直徑為127mm，厚度約為0.43mm的經拋光的硅晶片小心地放置在鋪展的薄膜上，以避免在晶片和薄膜之間有空氣。沿著晶片的背面用手指輕輕地壓一壓，以除去任何可能的氣阱。在附著硅晶片的30分鐘內，使用DiscoAbrasiveSystem自動切片鋸(ModelNo.DAD-2H/5，配有DiscoNDCZ-205-L鋸片，該鋸片的外徑為50.8mm，厚度為0.050mm)來進行切片。使用30psi的水洗滌，切片鋸以25.4mm/sec的速率運行，將硅晶片切割成切口中央尺寸為4.3mm×4.3mm的模片。記錄在晶片切片過程中洗去膠帶的模片的數目。半導體晶片的沾污晶片加工用膠帶導致半導體晶片的沾污的傾向如下評定將晶片的試驗面(即除去晶片加工用膠帶的一面)放置在ZeissAxioplanUmiversal半導體顯微鏡下，該顯微鏡配有Zeiss顯微照相機ModelMM100，在對于試驗表面光學密度的變化至少有128X的放大倍數的條件下，光學觀察整個表面。試驗表面光學密度的任何變化均視作沾污。然后，計算被沾污的表面積的百分數。一般來說，存在沾污被認為是不理想的，因為這會限制晶片加工用膠帶使用范圍的寬度。斷裂時的拉伸強度和伸長百分數試驗若干個實施例的斷裂時的拉伸強度和伸長率的性能。更具體地來說，使用固定刀片間隙的剃刀來切割試驗帶條，使其尺寸約為150mm×20mm，如此制備試驗樣品。在試驗前，除去樣品的任何剝離襯墊。將試驗樣品在21℃、55％RH下預先放置至少4個小時，然后在Instron拉伸試驗機Model1122上測量，該試驗機具有50磅的載荷傳感器，125mm/min的十字頭速率以及50mm的間隙。在縱向和橫向，測量樣品斷裂時的拉伸強度和伸長百分數。拉伸強度在斷裂時的外力除以膠帶的橫截面積的情況下以每平方英寸的磅數來計算，然后將結果轉化成千帕斯卡(kPa)。以下實施例中所報道的結果是5次測量的平均值。實施例1至11制備一系列本發(fā)明的晶片加工用膠帶。每個實施例的晶片加工用膠帶中所用的粘合劑組合物如下制備將30克(g)熱塑性彈性體和70g甲苯在1夸脫的玻璃容器中混合，關閉容器，將該容器放置在輥式研磨機上直至看不見未溶解的熱塑性彈性體。總共的混合時間少于8個小時。然后，使用具有外圓角刀片的刀盒(knifebox)將粘合劑組合物溶液涂布在50μm厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上，外圓角刀片具有涂布間隙，以確保干燥的粘合劑涂層的厚度約為76μm。一旦涂布，將晶片加工用膠帶在室溫下干燥約10分鐘，接著，在82℃下干燥10分鐘。下表1示出用于每個實施例的熱塑性彈性體的商品名以及對熱塑性彈性體類型的描述和熱塑性彈性體中苯乙烯的百分數(苯乙烯％)。在表1中(以及其后的表中)，SIS指苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物，SBS指苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物，SB指苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物，SEBS指苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物，SEPS指苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物，SEPSEP指苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段共聚物。KRATON材料是購自ShellChemicalCompany的材料。表1還示出剝離粘合力試驗(方法A)的結果，其中，基質為平滑的聚酰亞胺，停壓時間為1天。表中還示出晶片加工用膠帶可剝離性的觀察結果。表1*剝離粘合力太高以致于不能除去膠帶。表1表明，飽和的熱塑性彈性體一般能較好地用于本發(fā)明，(雖然實施例6顯示隨時間的粘合力增長，實施例8一旦干燥便不能得到平滑的表面)，因為不飽和的材料往往給出較強的粘合力。然而，如上所述，可以通過混入光致交聯劑來有效地降低不飽和材料的粘合力范圍，這會在以下其它的實施例中示出。雖然在表1中未具體示出，但是每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。實施例12至19按實施例1至11中所述的方法制備一系列本發(fā)明晶片加工用膠帶，不同的是使用下表2中所示的熱塑性彈性體。SEB(I)S指有異戊二烯臂(arm)的SEBS嵌段共聚物。SEPTON材料是購自KurarayCo.Ltd.的材料。評定晶片加工用膠帶在基質上的剝離粘合力(使用試驗方法A)，停壓時間以及觀察膠帶的可剝離性在表2中具體給出。在這些實施例中，聚酰亞胺基質是上述的IC聚酰亞胺鈍化層。在表2中重復了實施例5、6、7、10和11。表2</tables>表2(續(xù))表2表明，在表1中對于平滑的聚酰亞胺具有較高的粘合力的材料對于表2中的基質也具有較高的粘合力，雖然對于感光性樹脂層的粘合力常小于對于IC聚酰亞胺鈍化層的粘合力。作為等級，SEPS嵌段共聚物通常是最好的。雖然在表2中未具體示出，但是每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。實施例20至25按實施例1至11中所述的方法制備一系列本發(fā)明晶片加工用膠帶，不同的是使用下表3中所示的兩種不同的熱塑性彈性體的共混物，其中熱塑性彈性體的相對百分數以重量百分數形式給出。表3還示出了方法A的剝離粘合力試驗的結果和膠帶的可剝離性的觀察結果，其中基質為IC聚酰亞胺鈍化層。表3</tables>表3表明，通過變化共混物中所用的嵌段共聚物的類型和共混物中嵌段共聚物的相對用量，就可以有效地控制剝離粘合力。特別好的是不同的SEPS嵌段共聚物的共混物，或者是SEPS嵌段共聚物與改性的SEBS嵌段共聚物(如SEB(I)S嵌段共聚物)的共混物。雖然在表3中未具體示出，但是每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。實施例26至30按實施例1至11中所述的方法制備一系列本發(fā)明晶片加工用膠帶，不同的是粘合劑組合物如下制備將不同量的KratonG-1650熱塑性彈性體和Regalrez1094增粘性樹脂(購自Hercules，Inc.的烴類樹脂)與115g甲苯混合。下表4中示出了關于實施例26至30中所用的粘合劑配方的更具體的數據。表4還示出了剝離粘合力試驗(方法A)的結果，其中基質為IC聚酰亞胺鈍化層，以及膠帶的可剝離性的觀察結果。表4表4表明，增粘性樹脂可用于增強粘合劑組合物的剝離粘合強度。一般來說，其用量少于10％(重量)(以熱塑性彈性體和增粘性樹脂的總重量計)，更好的約為3-8％(重量)。雖然在表4中未具體示出，但是每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。實施例31和32按實施例1至11所述制備一對本發(fā)明晶片加工用膠帶，不同的是粘合劑組合物包括不同量的KratonRP-6906熱塑性彈性體，以及用作液態(tài)橡膠組分的分子量約為25,000的KurarayLIR-290液態(tài)氫化異戊二烯聚合物。另外，實施例31和32的粘合劑組合物在1品脫的玻璃容器中制備。實施例32的晶片加工用膠帶還包括底漆和以下實施例37中所述的組合物。關于這些實施例的粘合劑組合物的其它數據見下表5。實施例10重復列于表5。表5還示出了剝離粘合力試驗(方法A)的結果，其中，基質為聚酰亞胺鈍化層和環(huán)氧化物系的感光性樹脂層，以及膠帶的可剝離性的觀察結果。表5表5表明，少量的液態(tài)橡膠可用于改進粘合劑組合物的剝離粘合強度。液態(tài)橡膠的用量一般少于20％(重量)(以熱塑性彈性體和液態(tài)橡膠的總重量計)，更好的約為5％至少于20％(重量)。雖然在表5中未具體示出，每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。對實施例6、10、11、30和32的晶片加工用膠帶進行上述半導體晶片打磨試驗，然后測量它們的剝離粘合力(使用半導體晶片打磨試驗中所述的方法)，結果見下表6。一旦除去晶片加工用膠帶，就按上述半導體晶片沾污試驗檢查半導體晶片的表面，結果見下表6，表6中還有膠帶的可剝離性的觀察結果。表6</tables>實施例33至36制備一系列的本發(fā)明晶片加工用膠帶。每個實施例的晶片加工用膠帶中所用的粘合劑組合物如下制得在1品脫的玻璃容器中混合20g的熱塑性彈性體和46g的甲苯，然后關上容器，將其放置在輥式研磨機上使其混合，直至看不見未溶解的熱塑性彈性體。此時，加入二苯甲酮光致交聯劑，混合物在輥式研磨機上再混合1個小時，以確保二苯甲酮的溶解。然后，用實施例1至11中所述的方法將粘合劑組合物涂布在50μm厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上并干燥。干燥以后，使經粘合劑涂布的膜以2.9m/min的速率從一排4個200瓦特/英寸的中壓汞燈下經過，以使得向經粘合劑涂布的片所提供的總劑量為600mJ/cm2。(光輸出使用ElectronicInstrumentationTechnologies，Inc.SterlingVA的型號UM365H-S的光度計來測量)。關于這些實施例中所用的粘合劑的組合物的更多的數據見下表7，其中光致交聯劑的百分數以熱塑性彈性體的重量計。表7中，重新制備了實施例5和12中所述的粘合劑并重新進行試驗。表7中還示出了在各種基質(IC聚酰亞胺鈍化層和環(huán)氧化物系感光性樹脂層)上的剝離粘合力試驗(方法A)的結果，以及膠帶的可剝離性的觀察結果。第二系列的實施例表明，光致交聯劑能有效地用來降低粘合劑組合物的剝離粘合力，這些粘合劑組合物包括氫化熱塑性彈性體，尤其是苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯系的熱塑性彈性體。實施例37向封閉頭部(closed-head)的5加侖的桶中加入3.85kg的KratonRP-6906熱塑性彈性體和7.15kg的甲苯。然后，將封閉的桶放置在大型的雙輥式研磨機上使混合物進行混合，直至看不見未溶解的熱塑性彈性體(約16個小時)。然后，使用由50/25/25的重量/重量/重量％的甲苯/甲基乙基酮/異丙醇組成的稀釋溶劑將熱塑性彈性體溶液稀釋至25％的固體濃度。使用正位移泵將熱塑性彈性體溶液縫型模頭涂布在50μm厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯的背襯上，形成干燥厚度為84μm。背襯事先涂覆5μm厚(干燥厚度)的底漆層，該底漆由10％的固體聚合物/溶劑的溶液組成，其中，溶劑由65/35重量/重量％的甲苯/甲基乙基酮的混合物組成，聚合物由等份的氯丁橡膠、樹脂酸鈣鋅(calciumzincresonate)和萜烯樹脂，以及等份的丙烯腈-丁二烯橡膠聚合物和酚醛樹脂的共混物組成，其中后兩種物質的總份數等于聚合物總重量的約60％。底漆和熱塑性彈性體溶液分別如下干燥使經濕涂布的薄膜分別以約7.6米/分鐘和3米/分鐘的線速度經過四區(qū)式沖擊空氣干燥烘箱(impingedairdryingoven)，第一區(qū)和第二區(qū)的溫度設置在約65℃，第三區(qū)設置在約80℃，第四區(qū)設置在約93℃。一旦離開烘箱，就將經硅氧烷涂覆的聚對苯二甲酸乙二醇酯剝離襯墊層壓在干燥的粘合劑表面上，然后輥壓該結構物。接著，在1000等級的清潔的室中將經輥壓的物品用Dusenberry剪切縱切機切成獨立的滾筒狀。然后，使用IC聚酰亞胺鈍化層和環(huán)氧化物系感光性樹脂層為基質，用半導體晶片打磨試驗評定實施例37。剝離粘合力的測量如半導體晶片打磨試驗中所述。結果見下表8，表8中還有除去晶片加工用膠帶后基質表面狀況的觀察結果。該表還示出了三種廣泛應用于制造半導體晶片的可購得的晶片加工用膠帶。一般來說，可購得的膠帶包括乙烯/乙酸乙烯酯共聚物背襯(厚約125-150μm)，以及在背襯上有丙烯酸粘合劑層(厚度小于25μm)。表8表8表明，與三種購得的廣泛使用的膠帶相比，本發(fā)明的晶片加工用膠帶具有優(yōu)越的性能。本發(fā)明晶片加工用膠帶在IC聚酰亞胺上只顯示偶然有痕量的沾污，而可購得的膠帶顯示較嚴重的沾污。在感光性樹脂層上，實施例37的晶片加工用膠帶不顯示任何沾污或損壞；而可購得的膠帶顯示破裂和沾污。雖然在表8中未具體示出，但是實施例37的儲能模量在Dahlquist標準線以上。實施例38至43制備一系列的本發(fā)明晶片加工用膠帶。在每個實施例中，粘合劑組合物如下制得制備由24％(重量)的熱塑性彈性體、69％(重量)的甲苯和7％(重量)的異丙醇組成的熱塑性彈性體的溶液。這些組分在1加侖的金屬罐中混合，然后在輥式研磨機上混合24個小時，直至看不見未溶解的熱塑性彈性體。然后，將粘合劑組合物涂布在聚對苯二甲酸乙二醇酯的背襯上，該背襯已經按實施例37中所述進行了底涂。使用9英寸寬的具有外圓角刀片的刀盒以每分鐘5英尺的速率進行粘合劑的涂覆，設置外圓角刀片，使得干燥的粘合劑厚度約為50μm。然后干燥經粘合劑涂布的膜。熱塑性彈性體和背襯厚度的變化見下表9。表9然后，對若干實施例的拉伸強度和伸長率性能如上所述進行測試，結果見下表10。表10中還示出了可購得的廣泛使用的晶片切片用膠帶NittoDenkoV-12-S，它包括厚度約為110μm的乙烯基聚合物背襯和厚度約為10μm的丙烯酸壓敏粘合劑。表10表10表明，與可購得的膠帶相比，本發(fā)明晶片加工用膠帶的橫向拉伸強度更高，伸長率(在兩個方向的)更小。當與半導體IC芯片取下用探針接觸時，具有低拉伸強度或高伸長率的永久性背襯會比具有較高的拉伸強度或較低的伸長率的永久性背襯伸長得厲害些。伸長得較厲害的背襯會導致減慢制造速度，因為探針運行的距離增加了。而且，隨著永久性背襯的剛性增加(即高拉伸強度，低伸長率)，處理現在越來越普遍的較大直徑的半導體晶片就更容易了。也使用試驗方法B來試驗這些實施例的對于各種基質的剝離粘合力，停壓時間和結果見表12。實施例44至49制備一系列經粘合劑涂覆的膠帶。在每個實施例中，粘合劑組合物包括28％固體的熱塑性彈性體的溶液，它如下制得在1夸脫的玻璃容器中，混合28％(重量)的熱塑性彈性體、64％(重量)的甲苯和8％(重量)的異丙醇，密封容器，使混合物在輥平臺(rollertable)上混合24個小時，直至看不見未溶解的熱塑性彈性體。然后，使用具有外圓角拉桿(bullnosedrawbar)的刮刀將粘合劑組合物涂布在厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯的背襯上，外圓角拉桿具有約為100μm的涂覆厚度間隙。然后，經粘合劑涂覆的膜在70℃下干燥30分鐘，得到干燥的粘合劑厚度約為20-30μm。熱塑性彈性體的變化見下表11中。表11</tables>使用試驗方法B測試這些實施例對于各種基質的剝離粘合力，停壓時間和結果見下表12。表12</tables>以上數據表明，本發(fā)明晶片加工用膠帶能夠與較薄的永久性背襯相結合。這是有利的，因為它允許使用較厚的粘合劑層，這使得半導體晶片的切片變得容易，而不會切到背襯。另外，背襯較薄可以增加繞芯軸卷繞成輥狀的膠帶量，這樣可以減少更換膠帶卷的次數，從而增加了制造效率。通過使用上述的粘合改性劑，可以有選擇地增加或減少這些實施例的粘合力。較好地，晶片加工用膠帶在兩周以上的時間內，更好的是在1個月以上的時間顯示最小的粘合力增長，以得到較長的使用壽命，并且不必在切片之后立刻取下半導體IC芯片，可以將它們貯存至實際需要時再取下。雖然在表12中未具體示出，但本發(fā)明的每個實施例的儲能模量均在Dahlquist標準線以上。使用上述半導體晶片切片試驗評定若干實施例。結果見下表13，它表示在晶片切片過程中洗去膠帶的模片的數目。表13</tables>表13表明，本發(fā)明的較佳實施例(實施例38和41)所給出的結果優(yōu)于廣泛使用的可購得的膠帶所得到的結果。而且，本發(fā)明晶片加工用膠帶比可購得的膠帶易于加工，因為本發(fā)明的膠帶具有較厚的粘合劑層。因此，使用本發(fā)明膠帶，半導體晶片的切片就不會切到背襯上。在不切到可購得的膠帶的背襯的情況下，不能進行半導體晶片的切片。如果在晶片切片過程中切到了晶片的背襯，它就會過早地失效。而且，即便使用厚的粘合劑層，本發(fā)明晶片加工用膠帶不會在切片的鋸片上留下粘合劑殘留物。在不偏離本發(fā)明范圍和精神的情況下，對于本領域技術人員而言，對本發(fā)明的各種改動和變化是顯而易見的。應該理解，本發(fā)明不限于本文所列的實施方案，這些實施方案僅作說明用。權利要求1.半導體晶片加工用膠帶，它包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，該粘合劑包括熱塑性彈性體嵌段共聚物。2.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述粘合劑組合物在室溫時的儲能模量大于1×106帕斯卡。3.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述熱塑性彈性體嵌段共聚物含有15至25％(重量)的苯乙烯。4.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述熱塑性彈性體嵌段共聚物為苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物。5.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述熱塑性彈性體嵌段共聚物為苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段共聚物。6.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述粘合劑還包括增粘性樹脂。7.如權利要求6所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述增粘性樹脂的含量少于10％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和增粘性樹脂的總重量計。8.如權利要求7所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述增粘性樹脂的含量約為3至8％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和增粘性樹脂的總重量計。9.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述粘合劑還包括液態(tài)橡膠。10.如權利要求9所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述液態(tài)橡膠的含量少于20％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和液態(tài)橡膠的總重量計。11.如權利要求10所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述液態(tài)橡膠的含量約為5％至少于20％(重量)，以熱塑性彈性體嵌段共聚物和液態(tài)橡膠的總重量計。12.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶還包括用于將粘合劑粘結在永久性背襯上的底漆。13.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶還包括在粘合劑的外露層上的臨時的可除去的保護性襯墊。14.如權利要求13所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于臨時的可除去的保護性襯墊為不含有防粘劑的聚酯膜。15.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶還包括在粘合劑的外露層上的半導體晶片。16.如權利要求1所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶對于以下基質顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至500克，這些基質選自硅、聚酰亞胺、氧氮化硅鈍化層以及感光性樹脂涂層。17.如權利要求16所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶對于以下基質顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克，這些基質選自硅、集成電路聚酰亞胺鈍化層、氧氮化硅鈍化層以及感光性樹脂涂層。18.如權利要求16所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶與所述基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至500克。19.如權利要求17所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶與所述基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。20.半導體晶片加工用膠帶，包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，其中，所述粘合劑含有氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物和粘合改性劑，所述粘合改性劑選自增粘性樹脂、液態(tài)橡膠和光致交聯劑。21.如權利要求20所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述粘合改性劑為增粘性樹脂，其含量約為3至8％(重量)，以氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物和增粘性樹脂的總重量計。22.如權利要求20所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述粘合改性劑為液態(tài)橡膠，其含量約為5％至少于20％(重量)，以氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物和液態(tài)橡膠的總重量計。23.如權利要求20所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶對于以下基質顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克，這些基質選自硅、集成電路聚酰亞胺鈍化層、氧氮化硅鈍化層以及感光性樹脂涂層。24.如權利要求23所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶與所述基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。25.半導體晶片加工用膠帶，包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，其中，所述粘合劑含有熱塑性彈性體嵌段共聚物和光致交聯劑。26.如權利要求25所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶對于以下基質顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克，這些基質選自硅、集成電路聚酰亞胺鈍化層、氧氮化硅鈍化層以及感光性樹脂涂層。27.如權利要求26所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶與所述基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，顯示的剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。28.半導體晶片加工用膠帶，包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，其中，所述粘合劑含有氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物，所述共聚物在20℃時的儲能模量為2.7×106至4.0×106帕斯卡。29.如權利要求28所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物為苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物。30.如權利要求28所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述氫化熱塑性彈性體嵌段共聚物為苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段共聚物。31.半導體晶片加工用膠帶，包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，其中，所述粘合劑在室溫時的儲能模量大于1×106帕斯卡，它含有熱塑性彈性體嵌段共聚物，此外，該膠帶在將其施用在以下基質上時，以及在與這些基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，對于這些基質均顯示剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至500克，這些基質選自硅、聚酰亞胺、氧氮化硅鈍化層以及感光性樹脂涂層。32.如權利要求31所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于該膠帶還包括粘合改性劑，所述粘合改性劑選自增粘性樹脂、液態(tài)橡膠和光致交聯劑。33.如權利要求31所述的半導體晶片加工用膠帶，其特征在于所述熱塑性彈性體嵌段共聚物包括苯乙烯嵌段和乙烯/丙烯嵌段。34.半導體晶片切片用膠帶，包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，其中，所述粘合劑在室溫時的儲能模量大于1×106帕斯卡，它含有熱塑性彈性體嵌段共聚物，此外，該膠帶對于半導體晶片的硅表面，在施用時，以及在與該基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少7天后，均顯示剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。35.如權利要求34所述的半導體晶片切片用膠帶，其特征在于在將該膠帶施用在所述基質上時，以及在與所述基質接觸，在環(huán)境條件下停壓至少15天后，剝離粘合力約為每線性英寸寬度20至200克。36.如權利要求26所述的半導體晶片切片用膠帶，其特征在于所述永久性背襯的厚度約為12至25μm。37.如權利要求26所述的半導體晶片切片用膠帶，其特征在于所述永久性背襯在縱向的斷裂伸長率約為120至165％。38.加工半導體晶片的方法，該方法包括以下步驟(a)得到半導體晶片；(b)將半導體晶片粘結到半導體晶片加工用膠帶的粘合劑面上，所述膠帶包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑，所述粘合劑含有熱塑性彈性體嵌段共聚物；(c)通過打磨晶片的背面或將晶片切片成集成電路半導體芯片來加工半導體晶片。全文摘要本發(fā)明揭示了半導體晶片加工用膠帶,它包括永久性背襯和在永久性背襯上的一層非壓敏粘合劑,所述粘合劑含有熱塑性彈性體嵌段共聚物。另外,粘合劑還可任選地含有粘合改性劑,如增粘性樹脂、液態(tài)橡膠或光致交聯劑。所述膠帶可用于晶片的打磨和晶片的切片。本發(fā)明還揭示了加工半導體晶片的方法。文檔編號C09J153/00GK1195424SQ96195436公開日1998年10月7日申請日期1996年6月13日優(yōu)先權日1995年7月11日發(fā)明者R·E·貝內特,G·C·伯德,M·K·內斯特加德,E·魯丁申請人:美國3M公司