專利名稱：沉積用于相變存儲(chǔ)器的硫族化物膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種相變存儲(chǔ)器，且更明確來說，涉及一種沉積作為用于 相變存儲(chǔ)器的相變膜的硫族化物膜的方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器是使用由硫族化物材料形成的相變膜的裝置，所述硫族化
物材料的電阻根據(jù)在存儲(chǔ)器單元中的結(jié)晶狀態(tài)(crystal state)(例如，非
晶態(tài)或晶體狀態(tài)(amorphous or crystalline state))而改變。歸因于非易
失特性、快速的讀取/寫入速度、低功率消耗、高可靠性和耐用性，以及裝
置的集成度，相變存儲(chǔ)器已受到關(guān)注。在此類相變存儲(chǔ)器中，由電流引起 的焦耳熱已用作用于相變的熱源。圖1說明常規(guī)相變存儲(chǔ)器單元陣列的結(jié)構(gòu)。
如圖1中所說明，存儲(chǔ)器單元具有一種結(jié)構(gòu)，其中一個(gè)單元晶體管 CTR (其柵極連接到字線WL)和相變單元PCC以及單元晶體管CTR的漏極與位 線BL之間的電阻R串聯(lián)連接。當(dāng)選擇字線WL和位線BL時(shí)，將電流施加到 選定的相變單元PCC，且PCC的結(jié)晶狀態(tài)發(fā)生改變。
圖2說明相變存儲(chǔ)器的原理。如圖2中所說明，在從安置在相變膜20 下方的晶體管經(jīng)由觸點(diǎn)10將約2 mA的高脈沖電流施加到相變膜20并持續(xù) 約50ns，并被加熱到熔融點(diǎn)L之后，在當(dāng)脈沖電流被攔截時(shí)使用快速冷卻 速度使相變膜20與觸點(diǎn)10彼此接觸的一部分中形成處于完全非晶態(tài)中的 具有高電阻的編程區(qū)30。此狀態(tài)被稱作重設(shè)狀態(tài)(reset state),且重設(shè)狀
態(tài)被界定為其中(例如)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"1"的狀態(tài)。
在此狀態(tài)中，從安置在相變膜20下方的晶體管經(jīng)由觸點(diǎn)10將約0. lmA 的脈沖電流施加到相變膜20，且相變膜20保持在結(jié)晶溫度 (crystallization temperature),且隨后相變膜20的溫度降^氐。由此，處 于重設(shè)狀態(tài)的編程區(qū)30恢復(fù)到具有低電阻的晶體狀態(tài)，且此狀態(tài)被稱作設(shè) 置狀態(tài)(set state),且設(shè)置狀態(tài)被界定為其中(例如)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"0"的狀 態(tài)。當(dāng)讀取所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，將低于重設(shè)電流和設(shè)置電流的電流施加到相 變膜20,且檢查電阻的改變
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題通過使用等離子體的等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、等離子體 增強(qiáng)型原子層沉積(PEALD)、游離基輔助式化學(xué)氣相沉積(radical assisted CVD, RACVD)或游離基輔助式原子層沉積(radical assisted ALD， RAALD) 來沉積用作相變膜的辟u族化物化合物。歸因于PECVD、 PEALD、 RACVD或RAALD 的特征，較容易地執(zhí)行組分調(diào)整。然而，硫族化物膜經(jīng)沉積為具有柱形結(jié) 構(gòu)，其中結(jié)晶度過度明顯，且硫族化物膜的均勻度不佳。
當(dāng)前，因?yàn)檠b置即使在相變存儲(chǔ)器中也已高度集成，所以存儲(chǔ)器單元 的尺寸減小，且可分配給存儲(chǔ)器單元的功率相應(yīng)減小。因此，使用低功率 驅(qū)動(dòng)相變存儲(chǔ)器非常重要。
另外，當(dāng)相變膜的晶粒尺寸過大或其表面粗糙度不佳時(shí)，硫族化物膜 的體積因相變而變化較大，且存儲(chǔ)器裝置的特性征可能降級(jí)。
以此方式，隨著裝置高度集成，相變膜的結(jié)晶度和晶粒尺寸變得較重 要。然而，在當(dāng)前沉積方法中存在限制。
技術(shù)解決方案
本發(fā)明提供一種沉積硫族化物膜的方法，通過所述方法來調(diào)整相變膜 的結(jié)晶度，并調(diào)整相變膜的晶粒尺寸，使得可獲得優(yōu)良的形態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種使用等離子體沉積用于相變存儲(chǔ)器的 硫族化物膜的方法。根據(jù)所述方法，可將包含He的反應(yīng)氣體用作等離子體 反應(yīng)氣體來沉積硫族化物膜。通過本發(fā)明沉積的硫族化物膜局部或全部是 非晶態(tài)(amorphous state)。
等離子體的頻率帶寬可為300 KHz到27. 12 MHz。辟。族化物膜可包括選 自由以下各物組成的群組的至少一者GaSb、 InSb、 InSe、 Sb2Te3、 GeTe、 Ge2Sb2Te5、 InSbTe、 GaSeTe、 SnSb2Te4、 InSbGe、 AglnSbTe、 (GeSn)SbTe、 GeSb (SeTe)或Te81Ge15Sb2S2,及其組合。
等離子體的頻率帶寬可為2 MHz到27， 12 MHz，且可調(diào)整He的量，使得 將包含在硫族化物膜中的雜質(zhì)的濃度調(diào)整1-10%。所述雜質(zhì)可包括存在于 作為所沉積膜的材料的源和反應(yīng)氣體中的固態(tài)溶液元素，例如，C、 N、 P、 B 及其組合。合適的He量取決于頻率區(qū)且可為50-1000 sccm。
在本發(fā)明的具體實(shí)施方式
和附圖中包含其它實(shí)施例的特定問題。
有利效果
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)通過使用等離子體的方法(例如，PECVD、 PEALD、 RACVD 或RAALD)來沉積相變膜時(shí)，使用包含He的反應(yīng)氣體。He具有較低的擊穿 電壓，且允許等離子體變得均勻且穩(wěn)定。通過使用He，在沉積的初始階段形 成相當(dāng)多的核產(chǎn)生位點(diǎn)(nuclear creation sites)，且可減小晶粒尺寸。通 過抑制過度的結(jié)晶生長，可調(diào)整相變膜的結(jié)晶度，且可使所沉積膜具有非 晶態(tài)，且本發(fā)明有利于降低功率。另外，可密集地形成硫族化物膜，且可形成具有較佳表面粗糙度和均勻度的膜。


圖l說明常規(guī)相變存儲(chǔ)器的單元陣列的結(jié)構(gòu)。
圖2說明圖1中所說明的相變存儲(chǔ)器的重設(shè)/設(shè)置原理。
圖3是可使用根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的沉積硫族化物膜的方法來實(shí)施
的相變存儲(chǔ)器的示意橫截面圖。
圖4A和圖4B是用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的沉積相變膜的方法
的設(shè)備的圖。
圖5A是繪示Ar根據(jù)壓力的擊穿電壓的曲線圖，且圖5B是繪示Hz和He 根據(jù)壓力的擊穿電壓的曲線圖。
圖6A繪示由于使用等離子體反應(yīng)氣體添加He而得的硫族化物膜的XRD 結(jié)果，且圖6B繪示由于使用等離子體反應(yīng)氣體添加&而得的硫族化物膜的 XRD結(jié)果。
圖7繪示由于使用等離子體反應(yīng)氣體添加He而得的形態(tài)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中繪示了本發(fā)明的示范性 實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式體現(xiàn)，且不應(yīng)被解釋為限于本文 所陳述的實(shí)施例；而是，提供這些實(shí)施例以使得本揭示案將詳盡且完整，且 將把本發(fā)明的概念完全傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。
圖3是可使用根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的沉積硫族化物膜的方法來實(shí)施 的相變存儲(chǔ)器的示意橫截面圖。
參看圖3，在通過源極S和形成于基底150上的M0S晶體管的導(dǎo)電插塞 170而彼此連接的第一金屬化物(metallization) 110與第二金屬化物120 之間沉積相變膜100。相變膜100分別通過下方電極觸點(diǎn)130和上方電極觸 點(diǎn)140連接到第一金屬化物110和第二金屬化物120。作為可用于形成相變膜 100的材料的一實(shí)例，二元化合物為GaSb、 InSb、 InSe、 Sb/Te3或GeTe，且 三元化合物為Ge2Sb2Te5、 InSbTe、 GaSeTe、 SnSbJe4或InSbGe，以及四元4匕 合物為AglnSbTe、 (GeSn)SbTe、 GeSb (SeTe)或Te81Ge15Sb2S2。
形成間隔物145以便減小與相變膜100的接觸區(qū)域，且下方電極觸點(diǎn) 130由Ti/TiN插塞形成。通過使用CVD在下方電極觸點(diǎn)孔中沉積Ti/TiN，且 通過使用化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical pol ishing， CMP)平面化所沉 積的Ti/TiN，而形成Ti/TiN插塞。通過調(diào)整間隔物145的尺寸，可4吏接觸區(qū)域 在40-70 nm左右。在相變膜100上形成Ti/TiN膜105以便改進(jìn)與上方電極 觸點(diǎn)140的粘附特性。上方電極觸點(diǎn)140由鴒(W)插塞形成。通過使用CVD在上方電極觸點(diǎn)孔中沉積W,且通過^f吏用CMP平面化所沉積的W，而形成W插 塞。還形成通過M0S晶體管160的漏極D和導(dǎo)電插塞170由第一金屬化物 110形成的漏極線?？墒褂?. 24口互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝來實(shí) 施MOS晶體管160。舉例來說，通過形成具有35 A左右的厚度的柵極絕緣 層，MOS晶體管160可在3V柵極電壓下傳輸大于2 mA的電流。為了減小 MOS晶體管160的源極S和漏極D以及觸點(diǎn)插塞170的串聯(lián)電阻成分，也可 將Co的自對(duì)準(zhǔn)硅化物(Co salicide)制造工藝添加到源極S/漏極D。
電流從下方電極觸點(diǎn)130穿過相變膜100流經(jīng)上方電極觸點(diǎn)140。歸因 于使用焦耳熱的加熱以及通過電流攔截進(jìn)行冷卻，相變發(fā)生在相變膜100 與下方電極觸點(diǎn)130之間的界面處。
圖4A和圖4B是用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的沉積相變膜100的 方法的設(shè)備的圖。
首先，參看圖4A，將第一交流(AC)電壓220施加到腔室200的噴淋頭 210的一側(cè)，以用于沉積作為相變膜100的硫族化物膜，且噴淋頭210的另 一側(cè)接地。將第二 AC電壓2、5Q.施加到用于支撐基底230 (其上沉積硫族化物 膜)的支撐件24Q的一側(cè)，且支撐件24Q的另一側(cè)接地。在此情況下，噴淋 頭210的接地部分和支撐件240的電壓施加部分以及噴'淋頭210的電壓施 加部分和支撐件240的接地部分分別可彼此面向。支撐件240根據(jù)設(shè)備類 型可4皮稱作晶座(susceptor)或階l殳加熱器(stage heater)。
在將基底230載入到設(shè)備中之后，第一 AC電壓220和第二 AC電壓250 中至少一者的頻率帶寬為300 KHz到27. 12 MHz,且在腔室200中產(chǎn)生等離 子體，且通過使用等離子體的例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、等 離子體增強(qiáng)型原子層沉積(PEALD)、游離基輔助式CVD (RACVD)或游離基輔助 式ALD(RAALD)等方法將硫族化物膜沉積在基底230上。此時(shí)，包含He的反 應(yīng)氣體被用作等離子體反應(yīng)氣體。舉例來說，使用He和Ar的混合氣體。
圖4B的設(shè)備類似于圖4A的設(shè)備。然而，僅存在一個(gè)差異僅將第一 AC電壓220施加到噴淋頭210且支撐件240接地。在將基底230載入到設(shè) 備中之后，第一 AC電壓220的頻率帶寬為300 KHz到27. 12 MHz，且在腔 室200中產(chǎn)生等離子體，且通過使用等離子體的例如PECVD、 PEALD、 RACVD 或RAALD等方法將辟u族化物膜沉積在基底230上。
使用上述設(shè)備所沉積的硫族化物膜可包括選自由以下各物組成的群組 的至少一種GaSb、 InSb、 InSe、 Sb2Te3、 GeTe、 Ge2Sb2Te5、 InSbTe、 GaSeTe、 SnSb2Te4、 InSbGe、 AglnSbTe、 (GeSn)SbTe、 GeSb (SeTe)或Te81Ge15Sb2S2，及 其組合。可沉積基于這些膜的任何變形膜。
圖5A是繪示根據(jù)壓力Ar的擊穿電壓的曲線圖(從"Low-pressure Argon breakdown in combined dc and rf fields，，摘錄,M. Radmi lovic-Rad jenovicJ.K.Lee, Z. Lj. Petrovic， XXVIIth ICPIG,愛恩德霍芬，荷蘭，2005年 7月18-22日)，且圖5B是繪示H2和He根據(jù)壓力的擊穿電壓的曲線圖(從"RF Breakdown Studies at 0亂，，摘錄，John Caughman、 A. V， W. B， D. S和 D. R.，橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室，ICRF技術(shù)研討組，關(guān)于等離子體中的射頻功率的 第15次專題會(huì)議，2003年Y月21日)。
首先，在圖5A中，實(shí)心正方形表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果，且空白正方形表示模擬 結(jié)果。虛線表示理論預(yù)測(cè)值。如圖5A中所見，Ar的擊穿電壓在大于l托下 為150-200 V。
接下來，在圖5B中，圓形表示H2的擊穿電壓，且三角形表示He的擊 穿電壓。如圖6B中所見，&的擊穿電壓在大于l托下為0. 2 V左右，且He 的擊穿電壓在大于l托下為0. 1 V左右。
在本發(fā)明中，具有較低擊穿電壓的氣體(例如，圖5B的He)被添加作為 等離子體反應(yīng)氣體，使得可改進(jìn)等離子體的穩(wěn)定性。舉例來說，Ar用作等 離子體反應(yīng)氣體的基礎(chǔ)氣體，且將He添加到Ar。當(dāng)均勻且穩(wěn)定地產(chǎn)生等離 子體時(shí)，在沉積的初始階段形成相當(dāng)多的核產(chǎn)生位點(diǎn)，使得可防止相變膜 的晶粒變得粗糙，且可減小晶粒尺寸。結(jié)晶度降級(jí)，使得可全部或局部地 執(zhí)行非晶態(tài)現(xiàn)象。另外，可密集地形成相變膜，且可形成具有較佳表面粗 糙度和均勻度的膜。因此，膜的結(jié)晶度可經(jīng)調(diào)整，且所沉積膜的晶粒尺寸 和形態(tài)可經(jīng)調(diào)整。
圖6A繪示由于使用等離子體反應(yīng)氣體添加He而導(dǎo)致的硫族化物膜的 XRD結(jié)果，且圖6B繪示由于使用等離子體反應(yīng)氣體添加&而導(dǎo)致的硫族化 物膜的XRD結(jié)果。
參看圖6A,通過從50 sccm到200 sccm將He的量循序地增加50 sccra 來執(zhí)行XRD測(cè)量。未繪示結(jié)晶峰值。通過如本發(fā)明中的那樣使用He，所沉 積膜可局部或全部形成為具有非晶態(tài)。因此，可通過使用根據(jù)本發(fā)明的方 法來調(diào)整硫族化物膜的結(jié)晶度。
如上文所描述，當(dāng)石危族化物膜的結(jié)晶度較明顯時(shí)，膜的電阻率較低，且 需要較大的功率來用于相變。然而，根據(jù)本發(fā)明，可使硫族化物膜處于非 晶態(tài)，且本發(fā)明有利于降低功率。相比而言，參看圖6B,從XRD峰值的強(qiáng) 度可知，當(dāng)添加Hz時(shí)，硫族化物膜的結(jié)晶度較明顯。
圖7繪示由于使用等離于.體反應(yīng)氣體添加He而導(dǎo)致的形態(tài)。
首先，圖7的(a)是繪示在等離子體頻率為27. 12 MHz時(shí)在使用He之 前硫族化物膜的表面和橫截面的掃描電子顯微鏡(scanning e 1 ec t ron microscope, SEM)照片。在圖7的(a)中，晶粒尺寸非常大，且表面形態(tài)不 佳。圖7的(b)是繪示在等離子體頻率為27. 12 MHz時(shí)在使用He之后硫族 化物膜的表面和橫截面的SEM照片。在圖7的(b)中，晶粒尺寸小于(a)，且表面形態(tài)較佳。即使通過簡(jiǎn)單地比較圖7的(a)和(b)，在使用了He后，形 態(tài)也得到改進(jìn)。實(shí)際上，(a)的厚度均勻度為27%，且(b)的厚度均勻度為 7 % ，使得在使用He后，可相當(dāng)大地改進(jìn)厚度均勻度。
接下來，圖7的(c)是繪示在等離子體頻率為300 KHz時(shí)在使用He之 前硫族化物膜的表面和橫截面的SEM照片。在圖7的(c)中，晶粒尺寸小于 圖7的(a)，但晶粒尺寸仍較大且表面形態(tài)不佳。圖7的(d)是繪示在等離 子體頻率為300 KHz時(shí)在使用He之后硫族化物膜的表面和橫截面的SEM照 片。在圖7的(d)中，晶粒尺寸較小且表面形態(tài)較佳。即使通過簡(jiǎn)單地比較 圖7的(c)和(d),在使用了 He后，形態(tài)也得到改進(jìn)。實(shí)際上，(c)的厚度 均勻度為9%，且(d)的厚度均勻度為0.8%,使得在使用He后，可相當(dāng)大 地改進(jìn)厚度均勻度。
總之，如圖7中所說明，在等離子體頻率分別為300 KHz和27. 12MHz 時(shí)由于添加He而導(dǎo)致的形態(tài)的改變較明顯，且將厚度均勻度的改變從2 0-30 %減小到小于1%。
作為本發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，在使用具有27.12 MHz的頻率的等 離子體所沉積的硫族化物膜中，不管還原氣體的量有多少，雜質(zhì)含量均小 于1%。然而，通過使用與本發(fā)明中相同的方法將He添加到反應(yīng)氣體來沉 積硫族化物膜，根據(jù)He的量，雜質(zhì)的濃度可增加若干％。在本發(fā)明中，等 離子體的頻率帶寬優(yōu)選為300 KHz到27. U MHz，且He的量經(jīng)調(diào)整以使得 可將硫族化物膜中所包含的雜質(zhì)的濃度調(diào)整1-10%。這里，雜質(zhì)可包括可 存在于作為所沉積膜的材料的源和反應(yīng)氣體中的固態(tài)溶液元素，例如，C、 N、 P、 B及其組合。合適的He量取決于頻率區(qū)且可為50-1000 sccm。
使用硫族化物相變膜的相變存儲(chǔ)器的低功率與硫族化物化合物中所含 有的固態(tài)溶液雜質(zhì)的濃度有關(guān)。因?yàn)殡s質(zhì)在相位中于晶格結(jié)構(gòu)中的產(chǎn)生應(yīng) 力，所以可減少施加驅(qū)動(dòng)所需功率時(shí)相變所需的能量。
在本發(fā)明中，通過添加作為反應(yīng)氣體的具有低擊穿電壓的He來穩(wěn)定等 離子體，使得可增加核產(chǎn)生位點(diǎn)的數(shù)目，且MO源的分解度經(jīng)調(diào)整，且具有 若干％的濃度的雜質(zhì)可保持在即使在高頻率區(qū)中沉積的硫族化物膜中。
在現(xiàn)有技術(shù)中，使用大于13.56 MHz的頻率來沉積硫族化物膜。在所 述頻率中，與其中源(source)的分解較強(qiáng)烈且分解溫度較低的相變存儲(chǔ)器 的一般特征相比，因?yàn)榇嬖谟傻入x子體中產(chǎn)生的離子、電子和中性粒子的 碰撞引起的溫度升高效應(yīng)，所以源中存在的雜質(zhì)(例如，C)過度地減少且被 移除，且雜質(zhì)不容易存在于膜中.。因此，必須執(zhí)行額外的摻雜操作。然而，根 據(jù)本發(fā)明，即使當(dāng)使用13. 56 MHz的頻率時(shí)，也在沉積期間使用包含He的 反應(yīng)氣體，使得可將雜質(zhì)包含在硫族化物膜中，而無需額外的摻雜操作。
因此，在本發(fā)明中，當(dāng)通過使用等離子體的例如PECVD、 PEALD、 RACVD或RAALD等方法來沉積相變膜時(shí)，使用包含He的反應(yīng)氣體，使得辟u族化物 膜的結(jié)晶度經(jīng)調(diào)整，所沉積膜的晶粒尺寸和形態(tài)經(jīng)調(diào)整，且在無需額外的 摻雜過程的情況下沉積包含合適量的雜質(zhì)的膜
雖然已參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例特定繪示并描述了本發(fā)明，但所屬 領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員將了解，在不脫離如由所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明 的精神和范圍的情況下，可在其中作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
工業(yè)適用性
隨著裝置高度集成，相實(shí)騰的結(jié)晶度和晶粒尺寸變得較重要。通過抑制 過度的結(jié)晶生長，可調(diào)整相變膜的結(jié)晶度,且可使所沉積膜具有非晶態(tài)，且 本發(fā)明有利于降低功率。另外，可密集地形成硫族化物膜，且可形成具有 較佳表面粗糙度和均勻度的膜。
權(quán)利要求
1、一種使用等離子體沉積用于相變存儲(chǔ)器的硫族化物膜的方法，其特征在于將包含He的反應(yīng)氣體用作等離子體反應(yīng)氣體來沉積所述硫族化物膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述等離子體的頻率帶寬 為300 KHz至27.12 MHz。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述硫族化物膜包括選自 由以下各物組成的群組的至少一種GaSb、 InSb、 InSe、 Sb2Te3、 GeTe、 Ge2Sb2Te5、 InSbTe、 GaSeTe、 SnSb2Te4、 InSbGe、 AglnSbTe、 (GeSn)SbTe、 GeSb (SeTe)或Te81Ge15Sb2S2,及其組合。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述等離子體的頻率帶寬 為2 MHz至27. 12 MHz，且經(jīng)由調(diào)整氦的含量，使得將包含在所述^i矣化物膜中的雜質(zhì)的濃度調(diào)整為1-10%。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述雜質(zhì)包括固態(tài)溶液元素。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述雜質(zhì)包括選自由以下 各物組成的群組的一種C、 N、 P和B，及其組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種沉積用于相變存儲(chǔ)器的硫族化物膜的方法。當(dāng)通過使用等離子體的方法(例如，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)或等離子體增強(qiáng)型原子層沉積(plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD))沉積用于相變存儲(chǔ)器的硫族化物膜時(shí)，使用包含He的等離子體反應(yīng)氣體，使得硫族化物膜的結(jié)晶度經(jīng)調(diào)整，且所沉積膜的晶粒尺寸和形態(tài)經(jīng)調(diào)整。
文檔編號(hào)H01L21/205GK101473417SQ200780022602
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月29日
發(fā)明者李起熏, 鄭有珉 申請(qǐng)人:Ips股份有限公司