專利名稱：一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種加工工藝方法，尤其是涉及一種同軸線與連接器連 ^接的加工工藝方法。
背景技術(shù)：
極細(xì)同軸線大多由多層線體所構(gòu)成，由外到內(nèi)依次包括外皮層、屏 蔽線層、絕緣體層以及芯線導(dǎo)體層，其中，屏蔽線層主要作為芯線導(dǎo)體 層在導(dǎo)接信號(hào)時(shí)防止電^ 茲干擾的產(chǎn)生。此種線材在廠內(nèi)制出時(shí)為整條同 軸線，因而必需進(jìn)行線端剝切加工以露出屏蔽線層和芯線導(dǎo)體層以分別 與地線板和連接器端子焊接。
公開號(hào)為1328364A的中國專利公開了 一種極細(xì)同軸線與連接器端 子連接的加工方法，依次包括如下步驟
1、 切出所需極細(xì)同軸線線材的長度后，直接在相關(guān)位置對(duì)極細(xì)同 軸線段進(jìn)行裁切，剝線出端子鉚接段與地線板結(jié)合段；
2、 將此已裁切、剝線的極細(xì)同軸線端子鉚接段送入另一鉚合機(jī)構(gòu) 與端子進(jìn)行鉚接；
3、 將線材已鉚合端子段插入預(yù)設(shè)膠殼中；
4、 將地線板焊設(shè)于上述預(yù)切的地線板結(jié)合段；
5、 排線貼齊。
然而，采用上述工藝方法在極細(xì)同軸線與連接器端子之間進(jìn)行鉚 接，連接器端子與同軸線之間連接的精度不高，線路的機(jī)械連接不可靠， 影響電信號(hào)的傳輸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供 一種極細(xì)同軸線與連接器連接
5的加工工藝方法，極細(xì)同軸線與連接器端子焊接的精度高，品質(zhì)好。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種極 細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括如下步驟
A. 把整列的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；
B. 用激光割斷所述同軸線的外皮層；
C. 把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
D. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使接地片和屏蔽線層連成一個(gè)回路；
E. 用激光將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破；
F. 把步驟E中被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；
G. 用激光割斷步驟F中所露出的絕緣體層；
H. 把步驟G中被割后的絕緣體層挪移開，露出芯線導(dǎo)體；
I. 在步驟H中露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫； J.根據(jù)所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導(dǎo)體切斷； K.用230度以上的高溫將切好的極細(xì)同軸線的芯線導(dǎo)體和要連接的
連接器端子進(jìn)行焊接。
其中，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連接器端子 間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為0.2mm~ 1.5mm。
其中，在步驟E中，在用激光將焊接地片后的屏蔽線層割斷或割破 后，切斷焊接時(shí)屏蔽線兩側(cè)多出來的接地片的毛頭，然后再彎折多次將 屏蔽線層折斷。
其中，在步驟K進(jìn)行之前，在所述與極細(xì)同軸線連接的連接器端子 上加上錫絲條或錫膏。
其中，在步驟B中，所述激光為CCV激光，在步驟E中，所述激光 為YAG激光。
其中，在步驟D、 K中，所述230度以上的高溫采用脈沖加熱或者 激光加熱的方式獲得。
本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括如下步驟
A. 把整列的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；
B. 用激光割斷所述同軸線的外皮層；
C. 用挪移機(jī)把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
D. 用激光將步驟C中露出的屏蔽線層割斷或割破；
E. 用挪移機(jī)把被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；
F. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層連成一個(gè)回路；
G用激光割斷步驟E中露出的絕緣體層；
H. 用挪移才幾把步驟G中被割后的絕緣體層挪移開，露出芯線導(dǎo)體；
I. 將步驟H中露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫； J.根據(jù)所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導(dǎo)體切斷； K.用230度以上的高溫將切好的極細(xì)同軸線和要連接的連接器端子
進(jìn)行焊接。
其中，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連接器端子 間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為0.2mm~ 1.5mm。
其中，在步驟D中，所迷用激光將焊接地片后的屏蔽線層割斷或割
石ic^，切斷焊接時(shí)屏蔽線層兩側(cè)多出來的接地片的毛頭，然后再彎折多
次將屏蔽線層折斷，在步驟B中，所述激光為C02激光，在步驟E中， 所述激光為YAG激光。
其中，在步驟K進(jìn)行之前，所述與極細(xì)同軸線連接的連接器端子上 加上錫絲條或錫膏，在步驟F、 K中，所述230度以上的高溫采用脈沖 加熱或者激光加熱的方式獲得。
本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有極細(xì)同軸線與連接器端子之間采 用鉚接方式進(jìn)行連接而導(dǎo)致連接精度不高的情況，本發(fā)明將極細(xì)同軸線 的每一層線體分別進(jìn)行激光割斷并采用高溫將芯線導(dǎo)體與連接器的端 子焊接，采用激光割切精度高、品質(zhì)得到了保證，高溫焊接保證了極細(xì) 同軸線與連接器端子線路連接的穩(wěn)固，從而保證了電信號(hào)的傳輸?shù)姆€(wěn)定。


圖l是本發(fā)明極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第一種實(shí)
施例的流程圖2是本發(fā)明極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第二種實(shí) 施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以 下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。
極細(xì)同軸線大多由多層線體構(gòu)成，由外到內(nèi)依次包括外皮層、屏蔽 線層、絕緣體層以及芯線導(dǎo)體層。本發(fā)明極細(xì)同軸線與連接器(包括軟 性電路板FPC/電路板PCB )焊接的加工工藝方法的第一實(shí)施例依次包括 如下步驟
(1) .根據(jù)所要連接的連接器的間距要求用膠帶把同軸線粘連成間距 為0.2mm~ 1.5mm的等間距的排線；
(2) .把粘連好的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；
(3) .用C02激光割斷步驟(2)中所述同軸線的外皮層；
(4) .用挪移機(jī)把步驟(3)中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
(5) .用230度以上高溫采用脈沖加熱或激光加熱的方式把鍍有錫的 銅接地片和步驟(4)中露出的屏蔽線層焊接，4吏銅接地片和屏蔽線層連成 一個(gè)回路；
(6) .用YAG激光將焊接有銅接地片后的屏蔽線層割斷或割破后，切 斷屏蔽線層兩側(cè)的多余的接地片的毛頭，再彎折幾次將屏蔽線層折斷；
(7) .再用挪移機(jī)把步驟(6)中被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體
層；
(8) .用C02激光割斷步驟(7)中所露出絕緣體層；
(9) ,用挪移機(jī)把步驟(8)中被割后的絕緣體層挪移開，使露出芯線導(dǎo)
體；(10) .在步驟(9)中露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫；
(11) .根據(jù)所要焊接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導(dǎo)體切
斷；
(12) .在連接器要連接的端子上加上錫絲條或錫膏；
(13) .用230度以上的高溫采用脈沖加熱或激光加熱的方式將切好的 極細(xì)同軸線和步驟(12)中已經(jīng)在端子上加好錫的連接器端子與同軸線的 芯線導(dǎo)體焊接成產(chǎn)品所需要的回路。
請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第 二實(shí)施例與所述第一實(shí)施例基本相同，其不同之處在于，步驟(5)為用 YAG激光將屏蔽線層割斷或割破，再彎折幾次將屏蔽線層折斷； 步驟(6)為用挪移機(jī)把被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層； 步驟(7)為用230度以上高溫采用脈沖加熱或激光加熱的方式把鍍有 錫的銅接地片和步驟(4)中露出的屏蔽線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層 連成一個(gè)回路。
區(qū)別于現(xiàn)有的極細(xì)同軸線與連接器端子連接采用鉚接的方法，連接 器端子與同軸線之間連接的精度不高，線路連接不穩(wěn)定的情況。本發(fā)明 極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法將極細(xì)同軸線的每一層線體 分別進(jìn)行激光割斷并采用高溫將芯線導(dǎo)體與連接器的端子焊接，每一步 驟都做到精細(xì)，精度高、品質(zhì)得到了保證，從而保證了極細(xì)同軸線與連 接器端子線路連接的穩(wěn)固，保證了電信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。本實(shí)施例中， 所述焊接溫度的最佳溫度范圍為230度~ 250度。
綜上所述，本發(fā)明極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法將極細(xì) 同軸線的每一層線體分別進(jìn)行激光割斷并采用高溫將芯線導(dǎo)體與連接 器的端子焊接，精度高、品質(zhì)得到了保證，從而保證了極細(xì)同軸線與連 接器端子線路連接的穩(wěn)固，保證了電信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍， 凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或 直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保 護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特征在于，包括如下步驟A.把整列的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；B.用激光割斷所述同軸線的外皮層；C.把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；D.用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽線層焊接，使接地片和屏蔽線層連成一個(gè)回路；E.用激光將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破；F.把步驟E中被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；G.用激光割斷步驟F中所露出的絕緣體層；H.把步驟G中被割后的絕緣體層挪移開，露出芯線導(dǎo)體；I.在步驟H中露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫；J.根據(jù)所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導(dǎo)體切斷；K.用230度以上的高溫將切好的極細(xì)同軸線的芯線導(dǎo)體和要連接的連接器端子進(jìn)行焊接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特征在于，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連 接器端子間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為 0.2mm ~ 1.5mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特征在于，在步驟E中，在用激光將焊接地片后的屏蔽線層割 斷或割石^，切斷焊接時(shí)屏蔽線兩側(cè)多出來的接地片的毛頭，然后再彎 折多次將屏蔽線層折斷。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接 的加工工藝方法，其特征在于，在步驟K進(jìn)行之前，在所述與極細(xì)同軸 線連接的連接器端子上加上錫絲條或錫膏。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特征在于，在步驟B中，所述激光為C02激光，在步驟E中， 所述激光為YAG激光。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特征在于，在步驟D、 K中，所述230度以上高溫采用脈沖加 熱或激光加熱的方式獲得。
7. —種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特征在于，包 括如下步驟A. 把整列的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；B. 用激光割斷所述同軸線的外皮層；C. 用挪移才幾把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；D. 用激光將步驟C中露出的屏蔽線層割斷或割破；E. 用挪移機(jī)把被割后的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；F. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層連成一個(gè)回路；G. 用激光割斷步驟E中露出的絕緣體層；H. 用挪移機(jī)把步驟G中被割后的絕緣體層挪移開，露出芯線導(dǎo)體；I. 將步驟H中露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫；K.用230度以上的高溫將切好的極細(xì)同軸線和要連接的連接器端子 進(jìn)行焊接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特征在于，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連 接器端子間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為 0.2mm ~ 1.5mm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特征在于，在步驟D中，所述用激光將焊接地片后的屏蔽線層 割斷或割破后，切斷焊接時(shí)屏蔽線層兩側(cè)多出來的接地片的毛頭，然后 再彎折多次將屏蔽線層折斷，在步驟B中，所述激光為C02激光，在步 驟E中，所述激光為YAG激光。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的一種極細(xì)同軸線與連接器連接 的加工工藝方法，其特征在于，在步驟K進(jìn)行之前，所述與極細(xì)同軸線 連接的連接器端子上加上錫絲條或錫膏，在步驟F、 K中，所述230度 以上高溫采用脈沖加熱或者激光加熱的方式獲得。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種極細(xì)同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括步驟首先把整列的同軸排線切成產(chǎn)品所要的長度；再用激光割斷同軸線的外皮層并挪移開割斷的外皮層以露出屏蔽線層；接著用230℃以上高溫把鍍有錫的銅接地片和露出的屏蔽線層進(jìn)行焊接；再用激光將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破并挪移開被割后的屏蔽線層以露出絕緣體層；然后用激光割斷露出的絕緣體層并挪移開被割后的絕緣體層以露出芯線導(dǎo)體；在露出的芯線導(dǎo)體的表面鍍上一層錫；根據(jù)所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導(dǎo)體切斷；最后用230℃以上高溫將芯線導(dǎo)體和要連接的連接器端子進(jìn)行焊接。本發(fā)明方法制作精度高、做成的產(chǎn)品品質(zhì)有保證。
文檔編號(hào)H01R43/20GK101635424SQ20091010939
公開日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月19日
發(fā)明者賀建和 申請(qǐng)人:賀建和