專利名稱：銅電鍍浴及使用該銅電鍍浴的電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及銅電鍍浴及使用該銅電鍍浴的電鍍方法，尤其是涉及可以良好地適 用于盲孔和通孔混合存在的基板的銅電鍍浴、以及使用該電鍍銅浴的電鍍方法。
背景技術(shù)：
伴隨著電子零部件小型化的進展，提高集成度的要求，封裝技術(shù)也從外周終 端封裝(peripheral terminal packaging)、區(qū)域終端封裝(area terminal packaging)向三維 封裝轉(zhuǎn)變。因此，對于半導體芯片和插入元件(interposer)也向通過貫穿電極(through electrode貫通電極)而導聯(lián)和結(jié)合的實用化的方向進行研究。謀求像貫穿電極對銅鑲嵌 (copper damocene 銅夕· > )及印制基板的盲孔填充(via filling ^ r 7 > f) 一樣 地通過銅電鍍而用銅電鍍膜對盲孔進行填充。此外，在印制基板中，因為孔內(nèi)壁面形成銅鍍膜的通孔和孔內(nèi)填充銅電鍍(盲 孔填充)的閉塞盲孔(blind via hole)混合存在，故需要同時進行盲孔填充和和通孔電鍍。然而，若使用以盲孔填充為目的的現(xiàn)有的電鍍浴進行通孔電鍍，則通孔的角部 的鍍膜厚度異常地薄，而成為角裂紋的原因之一，故不能應(yīng)用于通孔電鍍。此外，例如 專利文獻1中記載的技術(shù)那樣的以通孔電鍍?yōu)槟康牡碾婂?，會導致盲孔的?nèi)底部的膜厚 度變薄，難于用銅電鍍析出物填充盲孔。因此，期望可同時電鍍盲孔和通孔的電鍍浴。參考文獻專利文獻[專利文獻1]日本特開2003-321792號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題因此，本發(fā)明是參考這樣的目前的實際情況而提出的，其目的在于提供能夠?qū)?混合存在盲孔和通孔的基板進行對盲孔的孔封埋性良好且對通孔的包覆性良好的電鍍處 理的銅電鍍浴及使用此銅電鍍浴進行電鍍的方法。解決課題的手段本發(fā)明是作為對上述問題進行了深入討論結(jié)果的發(fā)現(xiàn)的，并基于以下認知通 過使用將直鏈結(jié)構(gòu)的不含季氮及叔酰胺結(jié)構(gòu)的聚酰胺多胺化合物作為整平劑添加的銅電 鍍浴能夠進行通孔的包覆性良好且盲孔的孔封埋性良好的電鍍處理，所述聚酰胺多胺化 合物是通過對由二乙烯三胺、己二酸和ε-己內(nèi)酰胺構(gòu)成的縮聚物的環(huán)氧氯丙烷改性物 進行加熱處理而生成的化合物。即，本發(fā)明的銅電鍍浴是以水溶性銅鹽、硫酸及氯離子作為主要構(gòu)成成分并且 添加下述式(1)表示的化合物而形成的，[化1]
權(quán)利要求
1.銅電鍍浴，其是以水溶性銅鹽、硫酸及氯離子為主要構(gòu)成成分，且添加下述式(1) 表示的化合物而形成的，
2.權(quán)利要求1的銅電鍍浴，其中，上述式(1)表示的化合物為將下述式(5)表示的化 合物加熱處理而生成的物質(zhì)
3.權(quán)利要求2的銅電鍍浴，其中，上述式(5)表示的化合物為由二乙烯三胺、己二酸 和ε-己內(nèi)酰胺構(gòu)成的縮聚物的環(huán)氧氯丙烷改性物。
4.權(quán)利要求1 3中任一項的銅電鍍浴，其是進一步添加選自下述式(6) (9)的含 硫化合物而形成的，
5.權(quán)利要求4的銅電鍍浴，其是進一步添加下述式(10)表示的聚亞烷基二醇或聚亞烷基二醇衍生物而形成的，HO- (R6-O) e-H ....(10)式中，R6表示碳原子數(shù)為2或3的亞烷基，e表示4以上的整數(shù)。
6.權(quán)利要求5的銅電鍍浴，其中，上述聚亞烷基二醇為聚乙二醇、聚丙二醇或乙二醇 和丙二醇的共聚物。
7.銅電鍍方法，其中，將具有盲孔和通孔的被電鍍物浸沒于權(quán)利要求1 6中任一項 的銅電鍍浴中，將該被電鍍物作為陰極進行電鍍，同時電鍍上述通孔內(nèi)部和盲孔內(nèi)部。
全文摘要
本發(fā)明提供對于通孔和盲孔混合存在的基板而言，對通孔的包覆性良好且對盲孔的孔封埋性良好的銅電鍍浴及使用該銅電鍍浴的電鍍方法。本發(fā)明涉及使用銅電鍍浴的電鍍方法，其特征在于，以水溶性銅鹽、硫酸及氯離子為主要構(gòu)成成分，且含有對由二乙烯三胺、己二酸及ε-己內(nèi)酰胺構(gòu)成的縮聚物的環(huán)氧氯丙烷改性物進行加熱處理而生成的聚酰胺多胺作為整平劑。
文檔編號H01L21/288GK102021616SQ20101029349
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月16日
發(fā)明者大村直之, 清水宏治, 礒野敏久, 立花真司 申請人:上村工業(yè)株式會社