本發(fā)明涉及圖像傳感器，尤其涉及一種圖像傳感器的金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是將光信號轉(zhuǎn)化為電信號的半導(dǎo)體器件，現(xiàn)有的圖像傳感器根據(jù)感光元件及運作機理的不同分為CCD和CMOS兩種，CMOS圖像傳感器由于其高集成度等諸多特性已經(jīng)廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦、車載、視頻監(jiān)控領(lǐng)域。CMOS圖像傳感器包括器件層及位于器件層表面的若干金屬層；現(xiàn)有的金屬層的形成過程為形成金屬層，覆蓋金屬層的介質(zhì)層，通過平臺化工藝將介質(zhì)層表面平坦，再在介質(zhì)層表面形成另一金屬層。此類做法的工藝實現(xiàn)較容易，但會導(dǎo)致相鄰金屬層之間距離較大，圖像傳感器的厚度較大，并且電學(xué)性能較差。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為了減少CMOS圖像傳感器相鄰金屬層之間的距離本發(fā)明提供一種圖像傳感器的金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)，包括：設(shè)置于器件層上的若干層金屬層；位于金屬層之間的介質(zhì)層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優(yōu)選的，所述介質(zhì)層的厚度大于等于100埃。
優(yōu)選的，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
本發(fā)明還提供一種圖像傳感器的金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：
依次形成設(shè)置于器件層上的若干層金屬層及位于相鄰金屬層之間的介質(zhì)層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優(yōu)選的，至少一對相鄰金屬層的形成方法包括：
形成下一層金屬層；
形成第一介質(zhì)層覆蓋于下一金屬層上；
形成上一層金屬層，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
優(yōu)選的，所述介質(zhì)層的厚度大于等于100埃。
優(yōu)選的，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
本發(fā)明上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度，以減少相鄰金屬層之間的距離，提高圖像傳感器的電學(xué)性能。
附圖說明
通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯。
圖1為本發(fā)明一實施例中的圖像傳感器金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)示意圖。
在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標記表示相同或相似的裝置（模塊）或步驟。
具體實施方式
在以下優(yōu)選的實施例的具體描述中，將參考構(gòu)成本發(fā)明一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的特定的實施例。示例的實施例并不旨在窮盡根據(jù)本發(fā)明的所有實施例。可以理解，在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結(jié)構(gòu)性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述并非限制性的，且本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求所限定。
本發(fā)明提供一種圖像傳感器的金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)，包括：設(shè)置于器件層上的若干層金屬層；位于金屬層之間的介質(zhì)層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細說明。請參考圖1，圖1為本發(fā)明一實施例中的圖像傳感器金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)示意圖。在器件層500的一面上形成第一金屬層100，于第一金屬層100的表面鋪設(shè)形成第一介質(zhì)層300，第一介質(zhì)層的厚度大于等于100埃（A），并且材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一介質(zhì)層300部分區(qū)域的頂面低于第一金屬層100的底面，再在第一介質(zhì)層300上形成第二金屬層200，第二金屬層200的底面的豎直高度低于第一金屬層100的頂面的豎直高度。這樣第一金屬層100與第二金屬層200的厚度相較現(xiàn)有技術(shù)就減少了，第一介質(zhì)層300部分區(qū)域的頂面低于第一金屬層100的底面的實現(xiàn)方式通過鋪設(shè)第一介質(zhì)層300，通過曝光、顯影、刻蝕去掉部分區(qū)域的介質(zhì)層至低于第一金屬層100的頂面。在另一實施例中，還可以將第二金屬層200與金屬層400做成MIM的電容，由于第二金屬層200的高度降低，導(dǎo)致該電容較大，擊穿電壓較低。
本發(fā)明還提供一種圖像傳感器的金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征包括：依次形成設(shè)置于器件層上的若干層金屬層及位于相鄰金屬層之間的介質(zhì)層；其中，在至少一對相鄰金屬層中，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
至少一對相鄰金屬層的形成方法包括：形成下一層金屬層；形成第一介質(zhì)層覆蓋于下一金屬層上；形成上一層金屬層，上一層金屬層的底面的豎直高度低于下一層金屬層的頂面的豎直高度。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論如何來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明顯的，“包括”一詞不排除其他元素和步驟，并且措辭“一個”不排除復(fù)數(shù)。裝置權(quán)利要求中陳述的多個元件也可以由一個元件來實現(xiàn)。第一，第二等詞語用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。