技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例公開了一種半導(dǎo)體存儲器及其制作方法，所述半導(dǎo)體存儲器包括自下而上依次堆疊的至少兩個存儲芯片組，上下相鄰的兩個所述存儲芯片組的重布線層通過層間導(dǎo)電柱電連接，且位于最下方的存儲芯片組的重布線層與對外連接凸塊電連接；所述存儲芯片組包括依次堆疊的至少兩個存儲芯片，以及位于所述至少兩個存儲芯片下方的復(fù)合絕緣層，所述至少兩個存儲芯片包封為一體結(jié)構(gòu)，所述重布線層設(shè)置在所述復(fù)合絕緣層中，所述至少兩個存儲芯片的層內(nèi)導(dǎo)電柱錯開預(yù)設(shè)角度，以分別與所述重布線層電連接。本發(fā)明實現(xiàn)了半導(dǎo)體存儲器的大容量和高集成度，并且有效提高了存儲器的堆疊效率，降低了堆疊難度。

技術(shù)研發(fā)人員：陸原;陳峰
受保護的技術(shù)使用者：華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
文檔號碼：201610980670
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.08
技術(shù)公布日：2017.05.10