本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置。

背景技術(shù)：

1、為了正確地對(duì)合格半導(dǎo)體芯片和不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行分選，使作為半導(dǎo)體元件的電氣試驗(yàn)的結(jié)果而輸出的映射圖數(shù)據(jù)(map?data)中的半導(dǎo)體芯片的位置信息與實(shí)際在半導(dǎo)體晶片形成的大量半導(dǎo)體芯片的位置信息準(zhǔn)確地一致的技術(shù)是重要的。在專利文獻(xiàn)1中提出了如下技術(shù)，即，準(zhǔn)備在未形成半導(dǎo)體元件的非形成區(qū)域形成了墨標(biāo)(ink?mark)的基準(zhǔn)顆粒，通過基于該基準(zhǔn)顆粒的坐標(biāo)進(jìn)行合格顆粒及不合格顆粒的檢查。

2、專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-184819號(hào)公報(bào)

3、上述這樣的通過墨實(shí)現(xiàn)的標(biāo)記技術(shù)使半導(dǎo)體裝置的制造工序中的管理變得困難。例如，需要進(jìn)行適于墨的干燥及墨的剝離等標(biāo)記處理的墨的選定及工藝開發(fā)的管理。謀求不使用墨就容易且正確地對(duì)合格半導(dǎo)體芯片和不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行分選。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明為了解決上述課題，目的在于提供能夠容易且正確地對(duì)合格半導(dǎo)體芯片和不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行分選的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

2、本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含數(shù)據(jù)取得工序、切斷工序及識(shí)別工序。數(shù)據(jù)取得工序取得針對(duì)在半導(dǎo)體晶片形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行的電氣試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果。該試驗(yàn)結(jié)果被與多個(gè)半導(dǎo)體芯片的配置信息相關(guān)聯(lián)。切斷工序?qū)⒃诎雽?dǎo)體晶片內(nèi)設(shè)定的基點(diǎn)作為基準(zhǔn)，將該半導(dǎo)體晶片切斷，形成切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片。識(shí)別工序基于切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片的外觀信息和切斷加工前的半導(dǎo)體晶片的試驗(yàn)結(jié)果，對(duì)切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片中的合格半導(dǎo)體芯片及不合格半導(dǎo)體芯片中的至少一者進(jìn)行識(shí)別。切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片包含大于或等于2個(gè)半導(dǎo)體芯片。外觀信息是包含基點(diǎn)的區(qū)域的圖像。

3、發(fā)明的效果

4、根據(jù)本發(fā)明，提供能夠容易且正確地對(duì)合格半導(dǎo)體芯片和不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行分選的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

5、本發(fā)明的目的、特征、方案及優(yōu)點(diǎn)通過以下的詳細(xì)說明和附圖變得更清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其還具有以下工序：

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

12.一種半導(dǎo)體制造裝置，其具有：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其還具有：

技術(shù)總結(jié)
提供能夠容易且正確地對(duì)合格半導(dǎo)體芯片和不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行分選的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置。在數(shù)據(jù)取得工序中，取得針對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行的電氣試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果。該試驗(yàn)結(jié)果被與多個(gè)半導(dǎo)體芯片的配置信息相關(guān)聯(lián)。在切斷工序中，將在半導(dǎo)體晶片內(nèi)設(shè)定的基點(diǎn)作為基準(zhǔn)將半導(dǎo)體晶片切斷。在識(shí)別工序中，基于切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片的外觀信息和切斷加工前的半導(dǎo)體晶片的試驗(yàn)結(jié)果，對(duì)切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片中的合格半導(dǎo)體芯片或不合格半導(dǎo)體芯片進(jìn)行識(shí)別。切斷加工完成后半導(dǎo)體晶片包含大于或等于2個(gè)半導(dǎo)體芯片。外觀信息是包含基點(diǎn)的區(qū)域的圖像。

技術(shù)研發(fā)人員：中島一敬,野尻祐二,野口貴也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5