本發(fā)明涉及在有效區(qū)域和圍繞該有效區(qū)域的外周的端部具有倒角部的晶片的加工方法以及倒角部去除裝置。

背景技術(shù)：

1、關(guān)于正面上形成有ic、lsi等多個(gè)器件被交叉的多條分割預(yù)定線劃分的器件區(qū)域的晶片，在將該晶片的背面磨削而加工成期望的厚度之后，利用切削裝置、激光加工裝置分割成各個(gè)器件芯片，分割得到的器件芯片用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備。

2、在晶片的外周形成有倒角部，當(dāng)對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而薄化時(shí)，該倒角部如刀刃那樣變得銳利，存在操作者受傷或者從晶片的外周產(chǎn)生龜裂而損傷器件的問(wèn)題。

3、因此，本申請(qǐng)人提出了如下的技術(shù)：在對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削之前，將對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位于倒角部的內(nèi)側(cè)而進(jìn)行照射，在晶片的內(nèi)部呈環(huán)狀形成改質(zhì)層，由此在實(shí)施磨削加工時(shí)去除倒角部(參照專利文獻(xiàn)1)。

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2020-088187號(hào)公報(bào)

5、根據(jù)專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)，通過(guò)磨削加工時(shí)施加的外力而去除倒角部，但從晶片脫落的倒角部的碎片會(huì)滯留在將包含磨削加工時(shí)產(chǎn)生的磨削屑的磨削水排出的排水盤(pán)內(nèi)，必須多次對(duì)該排水盤(pán)內(nèi)進(jìn)行清掃，存在不勝其煩的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明的目的在于提供晶片的加工方法和倒角部去除裝置，能夠在實(shí)施基于磨削裝置的磨削加工之前有效地從晶片的外周去除倒角部。

2、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供晶片的加工方法，該晶片具有有效區(qū)域以及位于圍繞該有效區(qū)域的外周的端部的倒角部，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：改質(zhì)層形成工序，將對(duì)于該晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位于該有效區(qū)域與該倒角部的邊界部的內(nèi)部而進(jìn)行照射，沿著該倒角部而形成改質(zhì)層；倒角部去除工序，對(duì)該晶片的該有效區(qū)域進(jìn)行保持，對(duì)該晶片的外周賦予外力而去除該倒角部；以及加工工序，對(duì)去除了該倒角部的該晶片的背面進(jìn)行磨削而加工成期望的厚度。

3、優(yōu)選在該倒角部去除工序中，對(duì)晶片的外周賦予的外力是高壓空氣、高壓水、高壓空氣和高壓水的混合流體以及拾取器中的任意方式。優(yōu)選該晶片是將第一晶片與第二晶片貼合而得的貼合晶片，對(duì)該第一晶片實(shí)施該改質(zhì)層形成工序、該倒角部去除工序以及該加工工序。

4、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供倒角部去除裝置，其從具有有效區(qū)域以及位于圍繞該有效區(qū)域的外周的端部的倒角部并且沿著該倒角部而形成有改質(zhì)層的晶片去除該倒角部，其中，該倒角部去除裝置具有：保持單元，其具有對(duì)該晶片的該有效區(qū)域進(jìn)行保持的保持面；以及倒角部去除單元，其對(duì)被該保持單元保持的從該保持面向外側(cè)探出的外周賦予外力而從該有效區(qū)域去除倒角部。

5、優(yōu)選該倒角部去除單元是利用高壓空氣、高壓水、高壓空氣和高壓水的混合流體以及拾取器中的任意方式對(duì)外周賦予外力的單元。

6、根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法，在對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而加工成期望的厚度之前，能夠有效地從晶片的外周去除倒角部，倒角部不會(huì)滯留在實(shí)施該加工工序的磨削裝置的排水盤(pán)中，解決了必須多次對(duì)該排水盤(pán)進(jìn)行清掃而不勝其煩的問(wèn)題。

7、根據(jù)本發(fā)明的倒角部去除裝置，能夠在對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而加工成期望的厚度之前有效地從晶片的外周去除倒角部，倒角部的碎片不會(huì)滯留在實(shí)施上述晶片的加工方法中的加工工序的磨削裝置的排水盤(pán)中，解決了必須多次對(duì)該排水盤(pán)進(jìn)行清掃而不勝其煩的問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種晶片的加工方法，該晶片具有有效區(qū)域以及位于圍繞該有效區(qū)域的外周的端部的倒角部，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

4.一種倒角部去除裝置，其從具有有效區(qū)域以及位于圍繞該有效區(qū)域的外周的端部的倒角部并且沿著該倒角部而形成有改質(zhì)層的晶片去除該倒角部，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒角部去除裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供晶片的加工方法和倒角部去除裝置，能夠在實(shí)施基于磨削裝置的磨削加工之前有效地從晶片的外周去除倒角部。該晶片的加工方法對(duì)具有有效區(qū)域以及位于圍繞該有效區(qū)域的外周的端部的倒角部的晶片進(jìn)行加工，其中，該晶片的加工方法包含如下的工序：改質(zhì)層形成工序，將對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位于該有效區(qū)域與該倒角部的邊界部的內(nèi)部而進(jìn)行照射，沿著該倒角部而形成改質(zhì)層；倒角部去除工序，對(duì)該晶片的有效區(qū)域進(jìn)行保持，對(duì)晶片的外周賦予外力而去除倒角部；以及加工工序，對(duì)去除了該倒角部的晶片的背面進(jìn)行磨削而加工成期望的厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：平田和也,伊賀勇人,田中敬人,水谷彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社迪思科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5