晶圓卡盤平臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體集成電路技術領域，尤其涉及一種晶圓卡盤平臺。
【背景技術】
[0002]參考圖1所示，在現(xiàn)有的某些特定的半導體工藝中，需要在晶圓11表面形成金屬合成物的凸塊12 (Bump)，形成凸塊晶圓I (Bump Wafer)。之后，需要對凸塊晶圓I的背面進行涂膠，在涂膠過程中，凸塊晶圓I位于卡盤2上，并且卡盤2上凸塊晶圓I的周圍采用墊片3，使得凸塊晶圓I位于卡盤2中心，便于之后涂膠?？ūP2中與凸塊晶圓I接觸的區(qū)域形成有排氣口，一般的，排氣口僅由一個抽氣裝置抽氣，將凸塊晶圓I與卡盤2之間的氣體排出。接著，卡盤2移動，使得凸塊晶圓I與網版對準并結合，采用刮刀，在凸塊晶圓I的背面形成一層石墨膠?，F(xiàn)有技術中的卡盤2與凸塊晶圓I之間難以形成密封的結構，使得凸塊晶圓2難以形成很好的吸附力。而不能牢固的吸附在卡盤2上，凸塊晶圓I脫離卡盤I吸附在網版上，從而影響凸塊晶圓I的工藝流程。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于，提供一種晶圓卡盤平臺，使得凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的密封性更好，從而保證涂膠過程之后凸塊晶圓可以吸附在晶圓卡盤平臺。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型提供一種晶圓卡盤平臺，所述晶圓卡盤平臺包括基底，所述基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。
[0005]可選的，所述凹槽中形成有三個排氣口。
[0006]可選的，三個所述排氣口分別采用三個抽氣裝置同時排氣。
[0007]可選的，所述凹槽為圓形。
[0008]可選的，所述凹槽的半徑比承載的晶圓的半徑的大一預定常數(shù)。
[0009]可選的，所述預定常數(shù)大于等于1000 μπι。
[0010]可選的，所述凹槽的深度大于等于850 μπι。
[0011]可選的，所述倒角的角度為45°。
[0012]可選的，所述柔性材料層為高分子聚合物層。
[0013]可選的，所述基底為金屬基底
[0014]本實用新型提供的晶圓卡盤平臺，晶圓卡盤平臺包括有基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，經過若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，從而凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術中凸塊晶圓與卡盤的連接結構的剖面示意圖；
[0016]圖2為本實用新型一實施例中晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓連接結構的剖面示意圖；
[0017]圖3為本實用新型一實施例中涂膠過程中的主視圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合示意圖對本實用新型的晶圓卡盤平臺進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型，而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。
[0019]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0020]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據(jù)下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0021]本實用新型的核心思想在于，提供的晶圓卡盤平臺包括基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，經過若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
[0022]以下結合圖2-圖3對本實用新型的晶圓卡盤平臺進行詳細的描述。
[0023]參考圖2所不，本實用新型中的晶圓卡盤平臺包括基底4，基底4的表面中心形成有一凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，較佳的，所述倒角A的角度為45°。在所述倒角的斜坡上覆蓋有一層柔性材料層5。一般的晶圓卡盤平臺的基底4由金屬等剛性材料形成，為金屬基底，在所述倒角的斜坡上增加柔性材料5可以使得倒角與凸塊晶圓I的邊緣之間更好的密封，較佳的，所述柔性材料層5可以為高分子聚合物材料層。在本實用新型中，所述晶圓卡盤平臺中形成有多個排氣口 6，較佳的，所述晶圓卡盤平臺中形成三個排氣口 6。同樣的，晶圓卡盤平臺上覆蓋墊片3，便于后續(xù)對凸塊晶圓I涂膠。在本實施例中，所述凹槽的深度大于等于850 μπι。可以理解的是，所述凹槽為圓形，為了便于放置凸塊晶圓1，凹槽需要比凸塊晶圓I的尺寸要大，所述凹槽的半徑比承載的凸塊晶圓I的半徑的大一預定常數(shù)，所述預定常數(shù)大于等于1000 μπι。例如，承載的凸塊晶圓I的為12英寸的，則凹槽的直徑比12英寸大2000 μ m。
[0024]將凸塊晶圓I倒置在晶圓卡盤平臺上，凸塊晶圓I邊緣與柔性材料層5接觸。由于柔性材料層5的存在，使得凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間更好的密封。接著，通過排氣口 6將凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，分別對應采用三個抽氣裝置(圖中為示出)，使得三個排氣口 6同時排氣，從而增加抽氣的效果?？梢岳斫獾氖?，經過本實用新型的晶圓卡盤平臺，凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間可以很好的密封，并且增加抽氣效果之后，凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺之間的氣體基本排出，從而凸塊晶圓I很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，不容易脫落。
[0025]對凸塊晶圓I背面涂膠的過程中的主視圖參考圖3所示，凸塊晶圓I倒置在晶圓卡盤平臺上，置于網板7下方，在涂膠的過程中，先將晶圓卡盤平臺向上移動，使得凸塊晶圓I的背面正對著網板7中的圓孔。之后，凸塊晶圓I與所述網板7結合，在所述網板7 —側放置有石墨膠(圖中為示出)，采用刮刀將石墨膠均勻的涂在凸塊晶圓I的背面，再將晶圓卡盤平臺向下移動，凸塊晶圓I很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，從而凸塊晶圓I與晶圓卡盤平臺一起向下移，完成涂膠過程，可以將凸塊晶圓I取下，以進行后續(xù)的工藝流程。
[0026]可以理解的是，本實用新型的晶圓卡盤平臺并不限于僅用于凸塊晶圓的涂膠工藝流程，只要需要將晶圓很好的吸附在一平臺上，亦可使用本實用新型的晶圓卡盤平臺，此亦在本實用新型的保護的思想范圍之內。
[0027]綜上所述，本實用新型提供的晶圓卡盤平臺包括基底，基底的中心具有凹槽，凹槽的邊緣形成有倒角，并且倒角的斜坡上覆蓋有柔性材料層。在涂膠的過程中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善涂膠的工藝流程。
[0028]顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述晶圓卡盤平臺包括基底，所述基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。
2.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽中形成有三個排氣口。
3.如權利要求2所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，三個所述排氣口分別采用三個抽氣裝置同時排氣。
4.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽為圓形。
5.如權利要求4所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽的半徑比承載的晶圓的半徑的大一預定常數(shù)。
6.如權利要求5所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述預定常數(shù)大于等于1000μm。
7.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于850μ m。
8.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述倒角的角度為45°。
9.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述柔性材料層為高分子聚合物層O
10.如權利要求1所述的晶圓卡盤平臺，其特征在于，所述基底為金屬基底。
【專利摘要】本實用新型的晶圓卡盤平臺中，所述晶圓卡盤平臺包括基底，基底中間形成有凹槽，所述凹槽的邊緣形成倒角，所述倒角的斜坡上覆蓋一柔性材料層，所述凹槽中間形成有若干排氣口。本實用新型中，晶圓卡盤平臺與凸塊晶圓之間的密封性很好，若干個排氣口同時排氣，從而將凸塊晶圓與晶圓卡盤平臺之間的氣體基本排出，使得凸塊晶圓可以很好的吸附在晶圓卡盤平臺上，改善晶圓涂膠的工藝流程。
【IPC分類】H01L21-687
【公開號】CN204391082
【申請?zhí)枴緾N201520108888
【發(fā)明人】彭及仁
【申請人】中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年2月13日