劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著電子封裝技術(shù)的高速發(fā)展，新的封裝形式不斷出現(xiàn)，晶圓級封裝的出現(xiàn)為低成本封裝提供了極佳的解決思路。由于對生產(chǎn)成本和性能的不斷追求，逐漸出現(xiàn)了在圓片級芯片封裝的堆疊，其中尤以雙層RDL
[0003](重布線層)的堆疊應(yīng)用較為普遍，但是由于堆疊材料間的膨脹系數(shù)不一致性，易引起晶圓內(nèi)部應(yīng)力無法釋放，從而導(dǎo)致圓片翹曲嚴(yán)重，進(jìn)而提高設(shè)備運(yùn)行成本及工藝成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]在下文中給出關(guān)于本實(shí)用新型的簡要概述，以便提供關(guān)于本實(shí)用新型的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個概述并不是關(guān)于本實(shí)用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實(shí)用新型的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本實(shí)用新型的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實(shí)用新型提供一種能夠能降低材料間由于膨脹系數(shù)不一致而引起的應(yīng)力的劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:
[0007]一種劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括焊錫球，所述焊錫球下設(shè)有再布線金屬層，所述再布線金屬層下設(shè)有第一鈍化層，所述第一鈍化層下設(shè)有圓片襯底，所述第一鈍化層外圍的圓片襯底上設(shè)有圓片線路層，所述圓片線路層上設(shè)有至少一第一正性聚酰亞胺層，所述第一正性聚酰亞胺層位于所述圓片線路層與所述再布線金屬層之間，每個第一正性聚酰亞胺層對應(yīng)一第二正性聚酰亞胺層，所述第二正性聚酰亞胺層設(shè)置在所述圓片線路層上，所述第一正性聚酰亞胺層與所述第二正性聚酰亞胺層之間設(shè)有第一開口。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0009]本實(shí)用新型通過設(shè)置第一開口，降低材料間由于膨脹系數(shù)不一致而引起的應(yīng)力，可以有效的提高工藝穩(wěn)定性并降低由此導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行成本。另外由于晶圓材料的特殊性，在晶圓劃片槽區(qū)域覆蓋聚酰亞胺(Polyimide，PI)層以減免由于劃片槽材料帶來的工藝影響。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的封裝過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的正性聚酰亞胺層與負(fù)性聚酰亞胺層的多層堆疊的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的負(fù)性聚酰亞胺層多層顯影后劃片道形狀的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的正性聚酰亞胺層與負(fù)性聚酰亞胺層的多層堆疊的圓片級封裝完的結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的劃片道光刻板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖標(biāo)記:
[0018]1-焊錫球；2_圓片線路層；3_第一鈍化層；4_圓片襯底；5_再布線金屬層；6_第二正性聚酰亞胺層；7_圓片互連區(qū)域；8_第一負(fù)性聚酰亞胺層；9_第二鈍化層；10-第一正性聚酰亞胺層；11-第二負(fù)性聚酰亞胺層；12第一開口 ； 13-第二開口。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。在本實(shí)用新型的一個附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本實(shí)用新型無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]參見圖1，一種劃片槽阻隔分離型保護(hù)層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括焊錫球1，焊錫球I下設(shè)有再布線金屬層5，再布線金屬層5下設(shè)有第一鈍化層3，第一鈍化層3下設(shè)有圓片襯底4，第一鈍化層3外圍的圓片襯底4上設(shè)有圓片線路層2，圓片線路層2上設(shè)有至少一第一正性聚酰亞胺層10，每個第一正性聚酰亞胺層10對應(yīng)一第二正性聚酰亞胺層6，第一正性聚酰亞胺層10位于圓片線路層2與再布線金屬層5之間，圓片線路層2上設(shè)有第二正性聚酰亞胺層6，第一正性聚酰亞胺層10與第二正性聚酰亞胺層6之間設(shè)有第一開口 12。
[0021]正性聚酰亞胺層可設(shè)置多層，在正性聚酰亞胺層上通過設(shè)置第一開口，降低材料間由于膨脹系數(shù)不一致而引起的應(yīng)力，可以有效的提高工藝穩(wěn)定性并降低由此導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行成本。
[0022]參見圖2，進(jìn)一步地，還包括圓片互連區(qū)域7，圓片互連區(qū)域7設(shè)有第二鈍化層9，第二鈍化層9設(shè)置在圓片線路層2之間的圓片襯底4上，圓片互連區(qū)域7設(shè)有第二正性聚酰亞胺層6，第二正性聚酰亞胺層6設(shè)置在第二鈍化層9的上方及四周。
[0023]本實(shí)用新型通過光罩的設(shè)計，在晶圓上進(jìn)行PI的形成(通過幾次涂膠、曝光、顯影、固化)的制作，在圓片表面形成分離型PI層，從而減少由于PI膨脹帶來的應(yīng)力，同時由于PI開口間的分離，芯片內(nèi)漏電流可以有效消除，提高產(chǎn)品可靠性。另外劃片道內(nèi)通過正性PI的選擇性覆蓋，可以杜絕劃片道內(nèi)不同材料帶來的工藝影響。
[0024]優(yōu)選地，第一鈍化層3和第二鈍化層9的寬度均為30-200um，圓片互連區(qū)域的寬度為60-100um，主要為增加工藝的穩(wěn)定性。
[0025]參見圖3、圖4和圖5，優(yōu)選地，第一正性聚酰亞胺層10上設(shè)有第一負(fù)性聚酰亞胺層8，第二正性聚酰亞胺層6上設(shè)有第二負(fù)性聚酰亞胺層11，第一負(fù)性聚酰亞胺層8和第二負(fù)性聚酰亞胺層11之間設(shè)有第二開口 13，第二開口 13位于第一大開口 12的正上方，第二開口 13的開口尺寸大于第一開口 12的開口尺寸，第一負(fù)性聚酰亞胺層10的部分位于再布線金屬層5與凸點(diǎn)金屬層之間。
[0026]優(yōu)選地，第二開口 13的開口尺寸比第一開口 12的開口尺寸大8-12um，更優(yōu)選地為1um0
[0027]進(jìn)一步地，圓片互連區(qū)域7設(shè)有第二鈍化層9，第二鈍化層9設(shè)置在圓片線路層2之間的圓片襯底4上，圓片互連區(qū)域7上方依次設(shè)有第二正性聚酰亞胺層6和第二負(fù)性聚酰亞胺層11，第二正性聚酰亞胺層6和第二負(fù)性聚酰亞胺層11依次設(shè)置在第