支撐臺36、和配置在帶固化性層的支撐基板14的上部的板狀的加熱板38。
[0140]圖3中只示出了 2根支撐銷34，但對其根數(shù)沒有特別限定。
[0141]此外，在加熱處理裝置30的上部設(shè)置有與排氣手段(未圖示)連接的排氣管40，從未圖示的氣體供給口供給到加熱處理裝置30內(nèi)的空氣、從固化性有機硅組合物層12揮發(fā)的溶劑等自排氣管40排出。進而，在加熱處理裝置30的側(cè)面設(shè)置有用于將帶固化性層的支撐基板14搬入搬出的搬入搬出口 42。
[0142]作為本工序S104的步驟，經(jīng)由搬入搬出口 42將帶固化性層的支撐基板14搬入加熱處理裝置30內(nèi)，將帶固化性層的支撐基板14載置在支撐銷34上。
[0143]并且，在如上所述地將帶固化性層的支撐基板14搬入加熱處理裝置30內(nèi)時，首先，先將在同一加熱處理裝置30內(nèi)的加熱(預(yù)烘處理)結(jié)束了的其它帶固化性層的支撐基板14經(jīng)由搬入搬出口 42搬出。
[0144]此時，若因加熱而蒸發(fā)了的溶劑以蒸氣的形式充滿加熱處理裝置30內(nèi)，則該溶劑蒸氣有時也會從搬入搬出口 42泄漏到外部。泄漏到外部的溶劑蒸氣有時冷卻而以液滴51的形式滴落，附著在將要搬入加熱處理裝置30內(nèi)的帶固化性層的支撐基板14的固化性有機硅組合物層12的表面12a上(參照圖6)。
[0145]<第I加熱工序〉
[0146]第I加熱工序S106是如下的工序:在帶固化性層的支撐基板的固化性有機硅組合物層上部配置加熱板，邊進行排氣，邊在第I溫度以下對帶固化性層的支撐基板進行加熱處理，去除殘留在固化性有機硅組合物層中的溶劑。本工序S106是所謂的預(yù)烘工序，通過實施本工序S106，能夠去除殘留在固化性有機硅組合物層中的溶劑去除并通過以適合的溫度加熱而使固化性有機硅組合物表面平滑化。如此實施預(yù)烘處理后，在后述的第2加熱工序SllO中實施后烘處理，由此進一步去除形成的有機硅樹脂層中殘留的溶劑，從而表面面狀變得更平坦，與玻璃基板的密合性進一步提高。
[0147]本工序S106中，如圖3所示，在帶固化性層的支撐基板14的上部配置加熱板38，實施加熱處理。需要說明的是，如圖3所示，加熱板38與固化性有機硅組合物層12相對向。
[0148]對加熱板38與固化性有機硅組合物層12的距離沒有特別限定，從自固化性有機硅組合物層12有效地去除溶劑、抑制固化性有機硅的分解的方面考慮，優(yōu)選30?120_，更優(yōu)選60?90mm。
[0149]作為本工序S106的加熱處理的條件，根據(jù)所使用的溶劑、固化性有機硅的種類來適當選擇最佳的條件，從溶劑的去除性更優(yōu)異、固化性有機硅組合物層的表面變平坦、而且進一步抑制固化性有機硅的分解的方面考慮，第I溫度優(yōu)選為溶劑的初餾點_30°C?溶劑的初饋點+30°C的范圍內(nèi)。換言之，第I溫度X優(yōu)選滿足以下的關(guān)系式。
[0150]式:溶劑的初餾點-30°C<溫度X <溶劑的初餾點+30°C
[0151]需要說明的是，溶劑的初餾點是指根據(jù)JIS K0066(1992)測定的值。
[0152]進而，作為本工序S106中的第I溫度，從固化性有機硅組合物層的表面變平坦、而且進一步抑制固化性有機硅的分解的方面考慮，優(yōu)選為210°C以下。其中，從能夠進一步抑制有機硅樹脂層的內(nèi)聚破壞的方面考慮，優(yōu)選為150?210°C，更優(yōu)選為180?205°C。
[0153]對加熱時間沒有特別限定，根據(jù)所使用的溶劑、固化性有機硅的種類適當選擇最佳的條件，從殘留溶劑的去除性、及生產(chǎn)率的方面考慮，優(yōu)選為I?5分鐘，更優(yōu)選為2?3分鐘。
[0154]本工序S106中，邊實施排氣邊進行加熱處理。如圖3所示，在加熱處理裝置30中設(shè)置有排氣管40，在加熱處理時，用該排氣管40進行排氣。對排氣量沒有特別限定，從溶劑的去除更有效地進行的方面考慮，優(yōu)選為1500L/min以上，更優(yōu)選為1800L/min以上。對上限沒有特別限定，從裝置的性能及經(jīng)濟性方面考慮，優(yōu)選為3000L/min以下，更優(yōu)選為2500L/min 以下。
[0155]在實施本工序S106時，可以自未圖示的氣體供給口供給氣體。通過供給氣體，能夠有效地去除加熱腔室32內(nèi)的揮發(fā)溶劑。對所供給的氣體的種類沒有特別限定，可以列舉出空氣、氮氣等非活性氣體等。所供給的氣體也可以是加熱空氣。
[0156]對氣體的供給量沒有特別限定，從溶劑的去除更有效地進行的方面考慮，優(yōu)選為1500L/min以上，更優(yōu)選為1800L/min以上。對上限沒有特別限定，從裝置的性能及經(jīng)濟性的方面考慮，優(yōu)選為3000L/min以下，更優(yōu)選為2500L/min以下。
[0157]此外，作為所供給的氣體，從固化性有機硅組合物層中的殘留溶劑的去除性更優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選加熱空氣。對加熱空氣的溫度沒有特別限定，從溶劑的去除性和固化性有機硅組合物層的表面平滑性的方面考慮，優(yōu)選為100?150°C。
[0158]在本發(fā)明的帶樹脂層的支撐基板的制造中，通過調(diào)整氣體的供給量及排氣量來抑制溶劑的液滴對有機硅樹脂層的附著、使后述的凸部的高度H與寬度W之比H/W小于3X10 5O
[0159]<搬出工序>
[0160]搬出工序S108是自加熱處理裝置將帶固化性層的支撐基板搬出的工序。
[0161]本工序S108中，經(jīng)由加熱處理裝置30的搬入搬出口 42，帶固化性層的支撐基板14自加熱處理裝置30內(nèi)被搬出。即，打開搬入搬出口 42，自加熱處理裝置30內(nèi)回收帶固化性層的支撐基板14。
[0162]<第2加熱工序>
[0163]第2加熱工序SllO是如下的工序:以比上述第I溫度高的第2溫度對上述搬出工序S108中回收的帶固化性層的支撐基板進行加熱處理，得到有機硅樹脂層。本工序SllO是所謂的后烘處理，通過實施本工序SllO而進一步去除固化性有機硅組合物層中的溶劑，從而進行固化性有機硅的固化，得到有機硅樹脂層。通過實施本工序，得到如圖2的(B)所示的具備支撐基板10和有機硅樹脂層16的帶樹脂層的支撐基板18。
[0164]對本工序SllO中的加熱處理的方法沒有特別限定，可以使用烘箱等公知的加熱
目.ο
[0165]本工序SI 10的加熱處理在比上述第I加熱工序S106的第I溫度高的溫度下實施。對第I溫度與第2溫度之差沒有特別限定，根據(jù)所使用的固化性有機硅、溶劑的種類適當選擇最佳的條件，從進一步抑制有機硅樹脂層的內(nèi)聚破壞的方面考慮，優(yōu)選為10?100°C，更優(yōu)選為30?70°C。
[0166]其中，作為第2溫度，優(yōu)選超過210°C。從自固化性有機硅組合物層12中去除溶劑、及固化反應(yīng)更優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選超過210°C且為250°C以下。加熱時間根據(jù)所使用的材料適當選擇最佳的條件，從生產(chǎn)率及溶劑的去除性的方面考慮，優(yōu)選為10?120分鐘，更優(yōu)選為20?60分鐘。
[0167]〔帶樹脂層的支撐基板〕
[0168]通過經(jīng)由上述工序，得到具備支撐基板10和固定在支撐基板10上的有機硅樹脂層16的帶樹脂層的支撐基板18。
[0169]該帶樹脂層的支撐基板18用于如圖4所示地在有機硅樹脂層16上層疊玻璃基板20而制造玻璃層疊體100。
[0170]帶樹脂層的支撐基板18中的有機硅樹脂層16通過在支撐基板10上實施固化性有機硅組合物層12的固化反應(yīng)而被固定在支撐基板10的一面上，并且與后述的玻璃基板20可剝離地密合。有機硅樹脂層16用于防止玻璃基板20的位置偏移直至進行將玻璃基板20與支撐基板10分離的操作、且通過分離操作而自玻璃基板20容易地剝離，防止玻璃基板20等因分離操作而破損。此外，有機硅樹脂層16被固定于支撐基板10，在分離操作中有機硅樹脂層16與支撐基板10不剝離、通過分離操作而得到帶樹脂層的支撐基板18。
[0171]有機硅樹脂層16的與玻璃基板20接觸的表面同玻璃基板20的第I主面可剝離地密合。本發(fā)明中，將該有機硅樹脂層16表面的能夠容易地剝離的性質(zhì)稱為易剝離性(剝離性)。
[0172]本發(fā)明中，上述固定和上述可剝離的密合在剝離強度(即剝離所需要的應(yīng)力)上存在差異，固定的剝離強度比密合大。此外，可剝離的密合還指，能夠剝離、同時不使固定的面產(chǎn)生剝離地進行剝離。具體是指，在本發(fā)明的玻璃層疊體中，進行將玻璃基板20和支撐基板10分離的操作時，在密合的面剝離并且在固定的面不剝離。因此，進行將玻璃層疊體分離為玻璃基板20和支撐基板10的操作時，玻璃層疊體被分離為玻璃基板20和帶樹脂層的支撐基板18這2部分。
[0173]S卩，有機硅樹脂層16對支撐基板10的表面的結(jié)合力比有機硅樹脂層16對玻璃基板20的第I主面的結(jié)合力相對更高。
[0174]對有機硅樹脂層16的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為2?100 μm，更優(yōu)選為3?50 μm，進一步優(yōu)選為7?20 μπι。有機硅樹脂層16的厚度為這樣的范圍時，即使有機硅樹脂層16和玻璃基板20之間存在氣泡、異物，也能夠抑制玻璃基板20產(chǎn)生變形缺陷。此外，有機硅樹脂層16的厚度過厚時，形成需要時間和材料，因而不經(jīng)濟，而且有時耐熱性降低。此外，有機硅樹脂層16的厚度過薄時，有時有機硅樹脂層16與玻璃基板20的密合性降低。
[0175]然后，以在搬入工序S104中附著有液滴51的狀態(tài)(參照圖6)經(jīng)由第I加熱工序S106、搬出工序S108、及第2加熱工序SllO得到的帶樹脂層的支撐基板18中，如上所述，有時在有機硅樹脂層16的表面16a形成有凸部61 (參照圖7)。
[0176]但是，在本發(fā)明中，凸部61的高度H(單位:μπι)與寬度W(單位:μπι)之比H/W小于3X10 5。通過使凸部61的比值H/W滿足該范圍，從而即使存在凸部61，也能夠抑制顯示不均的產(chǎn)生。
[0177]例如，即使凸部61的高度較大，在還具有一定程度的寬度、且比值H/W滿足上述范圍時，也能抑制顯示不均的發(fā)生。
[0178]凸部61的高度H及寬度W之比H/W只要滿足上述范圍就沒有特別限定。
[0179]進而，凸部61的高度H優(yōu)選為0.10 μπι以下，更優(yōu)選為0.05 μπι以下。高度H不在該范圍時，LCD的層間隙(cell gap)變窄，容易產(chǎn)生顯示不均，而在該范圍內(nèi)時，能夠進一步抑制顯示不均的發(fā)生。
[0180]另一方面，凸部61的寬度W優(yōu)選為3Χ103μπι以下，更優(yōu)選為1Χ103μπι以下。寬度W不在該范圍時，LCD的層間隙變窄的范圍變大，容易產(chǎn)生顯示不均，而在該范圍內(nèi)時，能夠進一步抑制顯示不均的發(fā)生。
[0181]需要說明的是，凸部61的個數(shù)在1300mmX1100mm的范圍內(nèi)優(yōu)選為20個以下，更優(yōu)選為15個以下，進一步優(yōu)選為10個以下。
[0182][玻璃層疊體及其制造方法]
[0183]〔玻璃層疊體的制造方法〕
[0184]如上所述，經(jīng)由上述工序而得到的帶樹脂層的支撐基板用于在有機硅樹脂層上層置玻璃基板而制造玻璃層置體。
[0185]對制造該玻璃層疊體的方法