本發(fā)明涉及一種晶圓表面處理液。
背景技術(shù):
1、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展,集成電路逐漸朝著高集成度、超細(xì)線寬方向發(fā)展,因而芯片制造過程中涉及到的高深寬比結(jié)構(gòu)越來越多(半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi),一般將深度/高度和寬度的比值大于等于10的結(jié)構(gòu)定義為高深寬比)。高深寬比結(jié)構(gòu)不僅在刻蝕及沉積過程中面臨巨大挑戰(zhàn),而且刻蝕后的清洗也存在很大的問題。一方面,目前主流清洗方法依然是基于水化學(xué)的濕法清洗,對(duì)這些開口很小但深度大的微納米結(jié)構(gòu),液體很難進(jìn)入凹槽底部達(dá)到清洗的目的;另一方面,清洗液體一旦進(jìn)入深溝槽內(nèi),液體在表面張力的作用下很難去除,導(dǎo)致留下污染物殘留,成為后續(xù)制程的潛在威脅,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致器件失效。同時(shí),在這些高深寬比結(jié)構(gòu)干燥過程中存在的毛細(xì)力也可能會(huì)導(dǎo)致這些結(jié)構(gòu)的坍塌,從而導(dǎo)致器件失效。
2、傳統(tǒng)ipa(異丙醇)甩干工藝,當(dāng)柵極ar比(深寬比)大于等于10以后,ipa和柵極間會(huì)產(chǎn)生較大的作用力(來自于ipa的表面張力),在甩干過程中會(huì)與柵極發(fā)生黏連,使柵極在干燥過程中發(fā)生塌陷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中柵極在甩干過程中塌陷的問題,而提供了一種晶圓表面處理液。本發(fā)明的表面處理液處理晶圓之后,ipa接觸角明顯增大,在干燥過程中柵極間不會(huì)發(fā)生黏連,從而避免了柵極倒塌的發(fā)生。
2、本發(fā)明主要是通過以下技術(shù)手段解決上述技術(shù)問題的。
3、本發(fā)明提供了一種晶圓表面處理液,包括0.1-20%含硅烷偶聯(lián)劑和有機(jī)溶劑;各組分質(zhì)量分?jǐn)?shù)之和為100%;所述的有機(jī)溶劑補(bǔ)足余量;
4、所述硅烷偶聯(lián)劑為:其中,r1、r2和r3獨(dú)立地為c1-c10烷基、氨基、羧基、-nhc(o)nhr4、c1-ci0烷氧基、羥基或h;所述r1、r2和r3至少一個(gè)為c1-c10烷氧基;
5、r4為氫或c1-c6烷基;
6、所述有機(jī)溶劑為c1-c4醇類溶劑、丙二醇甲醚醋酸酯(pgmea)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、正己烷、環(huán)己酮、四氫呋喃、二氯甲烷、丙酮和二甲苯中的一種或多種。
7、在本發(fā)明的某一方案中,所述晶圓為高深寬比晶圓。
8、在本發(fā)明的某一方案中,所述晶圓的深度與寬度的比值為大于等于10,優(yōu)選為10-100,更優(yōu)選為10-50,進(jìn)一步優(yōu)選為10-15,更進(jìn)一步優(yōu)選為10。
9、在本發(fā)明的某一方案中,所述硅烷偶聯(lián)劑的含量為5-20%;更優(yōu)選為5-15%;例如5%、8%、10%或15%。
10、在本發(fā)明的某一方案中,所述r1、r2和r3獨(dú)立地為c1-c10烷氧基、-nh2或-cooh。
11、在本發(fā)明的某一方案中,所述c1-c4醇類溶劑為異丙醇(ipa)。
12、在本發(fā)明的某一方案中,所述有機(jī)溶劑為c1-c4醇類溶劑和/或丙二醇甲醚醋酸酯。
13、在本發(fā)明的某一方案中,所述有機(jī)溶劑為異丙醇、丙二醇甲醚醋酸酯或者異丙醇與丙二醇甲醚醋酸酯的混合溶劑。
14、在本發(fā)明的某一方案中,r1、r2和r3中,所述的c1-c10烷氧基獨(dú)立地為c1-c6烷氧基,優(yōu)選為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基或叔丁氧基,例如甲氧基。
15、在本發(fā)明的某一方案中,所述硅烷偶聯(lián)劑為:
16、在本發(fā)明的某一方案中,所述醇類溶劑為異丙醇。
17、在本發(fā)明的某一方案中,所述有機(jī)溶劑為異丙醇和/或丙二醇甲醚醋酸酯。
18、在本發(fā)明的某一方案中,當(dāng)所述的有機(jī)溶劑為異丙醇和丙二醇甲醚醋酸酯的混合溶液時(shí),所述的異丙醇與所述的丙二醇甲醚醋酸酯質(zhì)量比為1∶(1-2)。
19、在本發(fā)明的某一方案中,所述的晶圓表面處理液的ph為7-12。
20、在本發(fā)明的某一方案中,所述的晶圓表面處理液中,其包括:5-15%和有機(jī)溶劑;所述的有機(jī)溶劑補(bǔ)足余量;
21、所述有機(jī)溶劑為異丙醇、丙二醇甲醚醋酸酯或質(zhì)量比為1:(1-2)的異丙醇和丙二醇甲醚醋酸酯的混合溶劑。
22、在一些方案中,所述的晶圓表面處理液,其原料包括下述質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分任一方案:
23、方案1:5%和異丙醇,異丙醇補(bǔ)足余量;
24、方案2:8%和異丙醇,異丙醇補(bǔ)足余量;
25、方案3:10%和異丙醇,異丙醇補(bǔ)足余量;
26、方案4:15%和異丙醇,異丙醇補(bǔ)足余量;
27、方案5:5%和丙二醇甲醚醋酸酯,丙二醇甲醚醋酸酯補(bǔ)足余量;
28、方案6:8%和丙二醇甲醚醋酸酯,丙二醇甲醚醋酸酯補(bǔ)足余量;
29、方案7:10%和丙二醇甲醚醋酸酯,丙二醇甲醚醋酸酯補(bǔ)足余量;
30、方案8:15%和丙二醇甲醚醋酸酯,丙二醇甲醚醋酸酯補(bǔ)足余量;
31、方案9:5%和質(zhì)量比為1∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇的混合溶劑,質(zhì)量比為1∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇混合溶劑補(bǔ)足余量;
32、方案10:8%和質(zhì)量比為1∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇的混合溶劑,質(zhì)量比為1∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇混合溶劑補(bǔ)足余量;
33、方案11:10%和質(zhì)量比為2∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇的混合溶劑,質(zhì)量比為2∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇混合溶劑補(bǔ)足余量;
34、方案12:15%和質(zhì)量比為2∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇的混合溶劑,質(zhì)量比為2∶1的丙二醇甲醚醋酸酯和異丙醇混合溶劑補(bǔ)足余量;
35、較佳地,所述的晶圓表面處理液的原料由上述任一方案組成。
36、在一些方案中,所述的晶圓表面處理液用于清洗高深寬比的晶圓。
37、本發(fā)明術(shù)語“高深寬比”;半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi),一般將深度和寬度的比值大于等于10的結(jié)構(gòu)定義為高深寬比。
38、本發(fā)明“室溫”是指25±5℃。
39、在不違背本領(lǐng)域常識(shí)的基礎(chǔ)上,上述各優(yōu)選條件,可任意組合,即得本發(fā)明各較佳實(shí)例。
40、本發(fā)明所用試劑和原料均市售可得。
41、本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于:本發(fā)明的表面處理液處理晶圓之后,ipa接觸角明顯增大,在干燥過程中柵極間不會(huì)發(fā)生黏連,從而避免了柵極倒塌的發(fā)生。
1.一種晶圓表面處理液,其特征在于,其包括以質(zhì)量分?jǐn)?shù)計(jì)的如下組分:0.1-20%含硅烷偶聯(lián)劑和有機(jī)溶劑;各組分質(zhì)量分?jǐn)?shù)之和為100%;所述的有機(jī)溶劑補(bǔ)足余量;
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液滿足下述條件中的一種或兩種:
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓表面處理液,其特征在于,r1、r2和r3中,所述的c1-c10烷氧基獨(dú)立地為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基或叔丁氧基。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液滿足下述條件中的一種或多種:
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液滿足下述條件中的一種或兩種:
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液滿足下述條件中的一種或多種:
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述硅烷偶聯(lián)劑的含量為5-15%,優(yōu)選為5%、8%、10%或15%。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓表面處理液,其特征在于,其包括:5-15%的和有機(jī)溶劑;所述的有機(jī)溶劑補(bǔ)足余量;
9.如權(quán)利要求1-8所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液,其原料包括下述質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分任一方案:
10.如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的晶圓表面處理液,其特征在于,所述的晶圓表面處理液的由所述的含硅烷偶聯(lián)劑和所述的有機(jī)溶劑組成;所述的含硅烷偶聯(lián)劑的種類和質(zhì)量分?jǐn)?shù)以及所述的有機(jī)溶劑的種類和質(zhì)量分?jǐn)?shù)均如權(quán)利要求1~9中的任一項(xiàng)所述。