技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種SiC結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法，包括：在N+?SiC襯底上形成N??SiC外延層；在N??SiC外延層形成光刻膠；利用具有完全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū)的掩膜版對光刻膠圖案化，形成與完全透光區(qū)對應(yīng)的第一區(qū)域，與部分透光區(qū)對應(yīng)的第二區(qū)域以及與不透光區(qū)對應(yīng)的第三區(qū)域；利用Al離子注入，在與第一區(qū)域?qū)?yīng)的外延層中形成P+結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，在與第二區(qū)域?qū)?yīng)的外延層中形成P?結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用一次Al離子注入可以同時形成P+的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和P?的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)，避免了多次Al離子注入，簡化了器件制備工藝，在提高器件擊穿電壓的同時降低了工藝難度和工藝成本。

技術(shù)研發(fā)人員：朱繼紅;藺增金;趙小瑞
受保護的技術(shù)使用者：北京燕東微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.30
技術(shù)公布日：2017.07.28