相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

2016年4月22日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的名稱為“透明導(dǎo)電膜和包括該透明導(dǎo)電膜的電子設(shè)備”、申請(qǐng)?zhí)枮?0-2016-0049339的韓國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用被整體合并于此。

本公開涉及透明導(dǎo)電膜和包括該透明導(dǎo)電膜的電子設(shè)備，更特別地，涉及柔性透明導(dǎo)電膜和包括該柔性透明導(dǎo)電膜的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

一般而言，氧化銦錫(ito)膜(其中錫被摻雜到氧化銦中)已被廣泛用作用于顯示設(shè)備(諸如液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器)的電極材料的透明導(dǎo)電膜，或光電元件(諸如太陽(yáng)能電池)。ito膜具有優(yōu)異的透明度、電導(dǎo)率和對(duì)基底的粘附性，并且可以對(duì)ito膜施加蝕刻工藝。然而，由于ito膜可能容易破裂，因此它可能不容易應(yīng)用于可拉伸或可彎曲的電子設(shè)備。

在此背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)理解，因此其可能包含不形成在該國(guó)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的示例性實(shí)施例提供一種透明導(dǎo)電膜，包括金屬氧化物、金屬和環(huán)氧樹脂，其中所述金屬的折射率低于所述環(huán)氧樹脂的折射率。

所述透明導(dǎo)電膜可以進(jìn)一步包括：包括所述金屬氧化物的第一層；位于所述第一層上并包括所述金屬的第二層；和位于所述第二層上并包括所述環(huán)氧樹脂的第三層。

所述第二層可以接觸所述第三層。

所述第三層可以具有絕緣特性。

所述第一層、所述第二層和所述第三層可以分別包括被布置為彼此平行的側(cè)壁。

所述第一層的厚度可以等于或小于約50nm。

第二層的厚度可以為約3nm至約10nm。

所述第三層的厚度可以為約60nm至約100nm。

所述金屬可以包括銅、銀、金、鋁、鎳、鉬、鉻、鉭和鈦中的至少一種。

所述金屬氧化物可以包括ito或izo。

所述透明導(dǎo)電膜的薄層電阻可以等于或小于約50ω/sq。

本公開的另一實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，包括：第一電極；與所述第一電極重疊的第二電極；和位于第一電極和第二電極之間的發(fā)射層，其中所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)包括透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜包括金屬氧化物、金屬和環(huán)氧樹脂，并且所述金屬的折射率低于所述環(huán)氧樹脂的折射率。

所述第一電極可以是反射電極，并且所述第二電極可以包括所述透明導(dǎo)電膜。

所述發(fā)射層可以由多個(gè)發(fā)射層的組合形成以發(fā)射白光。

所述電子設(shè)備可以進(jìn)一步包括位于所述多個(gè)發(fā)射層之間的電荷產(chǎn)生層。

所述透明導(dǎo)電膜可以包括：包括所述金屬氧化物的第一層；位于所述第一層上并包括所述金屬的第二層；以及位于所述第二層上并包括所述環(huán)氧樹脂的第三層。

所述第二層可以接觸所述第三層。

所述第三層可以具有絕緣特性。

所述第一層、所述第二層和所述第三層可以分別包括被布置為彼此平行的側(cè)壁。

所述金屬可以包括銅、銀、金、鋁、鎳、鉬、鉻、鉭和鈦中的至少一種。

所述金屬氧化物可以包括ito或izo。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以通過(guò)形成包括環(huán)氧樹脂的透明導(dǎo)電膜來(lái)實(shí)現(xiàn)可以提高其柔性同時(shí)保持高電導(dǎo)率和透明度的電子設(shè)備。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)特征將變得顯而易見(jiàn)，附圖中：

圖1示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的透明導(dǎo)電膜被設(shè)置在基底上的狀態(tài)的剖視圖。

圖2示出圖1的透明導(dǎo)電膜被圖案化的部分的剖視圖。

圖3示出銅和環(huán)氧樹脂的根據(jù)波長(zhǎng)而定的折射率之間的關(guān)系的曲線圖。

圖4示出對(duì)比較例1的透明度與示例1的透明度進(jìn)行比較的圖。

圖5示出在銅膜被形成在玻璃基底上以及ito膜和銅膜被形成在玻璃基底上的情況下根據(jù)銅膜的厚度而定的薄層電阻的曲線圖。

圖6示出對(duì)比較例1的透射率與示例1的透射率進(jìn)行比較的曲線圖。

圖7示出對(duì)比較例2的透射率與示例1的透射率進(jìn)行比較的曲線圖。

圖8示出透明導(dǎo)電膜根據(jù)曲率半徑的變化被彎曲的形狀。

圖9示出在比較例2、比較例3和示例1中根據(jù)透明導(dǎo)電膜彎曲的曲率半徑的倒數(shù)而定的電阻變化的曲線圖。

圖10示出在比較例2、比較例3和示例1中根據(jù)透明導(dǎo)電膜彎曲的次數(shù)而定的電阻變化的曲線圖。

圖11示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光設(shè)備的剖視圖。

圖12示出一示例性實(shí)施例的剖視圖，在該示例性實(shí)施例中，電荷產(chǎn)生層被添加到圖11的示例性實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，示例實(shí)施例可以以不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為受限于本文中所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使得本公開將全面與完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)示例性實(shí)施方式。

為了清楚地描述本公開，與描述無(wú)關(guān)的部分將被省略，相同的附圖標(biāo)記在整個(gè)說(shuō)明書中表示相同的元件。

此外，在圖中，為了便于描述，將任意地示出每個(gè)元件的尺寸和厚度，本公開不必受限于圖中所示的那些。在圖中，為了清楚起見(jiàn)，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被放大了。在圖中，為了便于描述，一些層和區(qū)域的厚度被放大了。

應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。此外，在說(shuō)明書中，詞語(yǔ)“上”或“上方”意味著位于目標(biāo)部分上或下方，并不一定意味著位于目標(biāo)部分的基于重力方向的上側(cè)。

另外，除非明確描述為相反，詞語(yǔ)“包括”及諸如“包含”或“含有”的變型將被理解為暗示包括所述元件，但不排除任何其它元件。

此外，在整個(gè)說(shuō)明書中，短語(yǔ)“在平面上”表示從上觀察靶部分，短語(yǔ)“在橫截面上”表示從一側(cè)觀察通過(guò)垂直切割靶部分形成的橫截面。

圖1示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的透明導(dǎo)電膜被設(shè)置在基底上的狀態(tài)的剖視圖。參見(jiàn)圖1，透明導(dǎo)電膜500位于基底110上?；?10可以是未經(jīng)處理的玻璃基底。

基底110是用于說(shuō)明用于沉積透明導(dǎo)電膜500的靶的基底，但是其不受限于術(shù)語(yǔ)“基底”，其可以被可以沉積包括在電子設(shè)備中的透明導(dǎo)電膜的各種靶代替。靶可以被形成為具有各種形狀，例如，可以具有諸如晶片的圓盤形狀。

當(dāng)透明導(dǎo)電膜500被用在柔性設(shè)備中時(shí)，基底110可以包括聚合物材料，諸如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、或它們的組合。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的透明導(dǎo)電膜500包括金屬氧化物、金屬和環(huán)氧樹脂，金屬的折射率低于環(huán)氧樹脂的折射率。環(huán)氧樹脂在可見(jiàn)光波長(zhǎng)帶中可具有約1.6的折射率。在本公開的示例性實(shí)施例中描述的環(huán)氧樹脂是指分子中包含兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)氧基團(tuán)的聚合物化合物和通過(guò)環(huán)氧基團(tuán)的開環(huán)反應(yīng)產(chǎn)生的合成樹脂。例如，環(huán)氧樹脂可以是雙酚a和環(huán)氧氯丙烷的線型縮合物。此外，環(huán)氧樹脂可以是雙酚a酚醛環(huán)氧樹脂。

如圖1所示，透明導(dǎo)電膜500包括：包括金屬氧化物的第一層500a；在第一層500a上并包括金屬的第二層500b，例如直接在第一層500a上；以及在第二層500b上并包括環(huán)氧樹脂的第三層500c，例如直接在第二層500b上。

第一層500a可以具有等于或小于約50納米(nm)的厚度。第二層500b可以具有約3nm至約40nm的厚度，第三層500c可以具有約60nm至約100nm的厚度?？商娲?，第二層500b可以具有約6nm至約14nm的厚度，第三層500c可以具有約70nm至約90nm的厚度。在一示例中，第二層500b可具有約3nm至約10nm的厚度。

由于第一層500a中的例如氧化銦錫(ito)的金屬氧化物可具有低的柔性，所以第一層500a的厚度，例如沿z軸的厚度，可等于或小于約50nm，以提高透明導(dǎo)電膜500的柔性。當(dāng)?shù)谝粚?00a的厚度等于或小于約50nm時(shí)，透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率降低。然而，當(dāng)包括例如低成本銅之類的金屬的第二層500b具有約3nm至約40nm的厚度時(shí)，例如具有約6nm至約14nm的厚度時(shí)，透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率可以被提高。

雖然該第二層500b可能降低透明導(dǎo)電膜的透明度，但可以使用包括具有約60nm至約100nm，例如約70nm至約90nm，的厚度的透明環(huán)氧樹脂的第三層500c來(lái)提高透明導(dǎo)電膜的透明度。雖然增加包括環(huán)氧樹脂的第三層500c的厚度可以增加透明度，但是隨著包括環(huán)氧樹脂的層的厚度增加，例如等于或大于約1000nm，由于在旋轉(zhuǎn)涂布之后頻繁出現(xiàn)波紋效應(yīng)，在測(cè)量透射率時(shí)可能在每個(gè)波長(zhǎng)中發(fā)生變化效應(yīng)。

包括在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的第一層500a中的金屬氧化物可以是ito或氧化銦鋅(izo)。包括在第二層500b中的金屬可以包括銅、銀、金、鋁、鎳、鉬、鉻、鉭和鈦中的至少一種。金屬的折射率可以低于包括在第三層500c中的環(huán)氧樹脂的折射率，除了上述金屬之外，可以利用與環(huán)氧樹脂相比具有更低的折射率的各種金屬材料。

從基底110的下部入射在透明導(dǎo)電膜500上的光分別在第二層500b和第三層500c上被反射，以產(chǎn)生反射光。在第二層500b和第三層500c上產(chǎn)生的各反射光由于第二層500b和第三層500c之間的折射率差異而引起相消干涉，從而提高透明導(dǎo)電膜500的透射率。相消干涉可以通過(guò)優(yōu)化透明導(dǎo)電膜500的各層的厚度而產(chǎn)生。

為了使電極或?qū)щ娔ね该?，電極或?qū)щ娔さ耐干渎蕦⒌扔诨虼笥诩s75％，例如約85％。透射率可以指在可見(jiàn)光區(qū)域上的透射率。

圖2示出圖1的透明導(dǎo)電膜被圖案化的部分的剖視圖。參見(jiàn)圖2，第一層500a、第二層500b和第三層500c分別包括被布置為彼此平行的、例如沿著z軸的側(cè)壁。第一層500a、第二層500b和第三層500c可以被同時(shí)圖案化以形成一個(gè)透明導(dǎo)電膜500，因此其圖案化形狀是相同的，例如沿著x和y軸具有相同的尺寸，同時(shí)沿著z軸堆疊。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的透明導(dǎo)電膜500可以通過(guò)半導(dǎo)體工藝中通常使用的光學(xué)工藝被圖案化。經(jīng)圖案化的透明導(dǎo)電膜500可具有更高的透射率。當(dāng)透明導(dǎo)電膜500被圖案化時(shí)，由于膜本身的寬度變窄，因此存在透射率變得較高的傾向。

圖3示出銅和環(huán)氧樹脂的根據(jù)波長(zhǎng)而定的折射率之間的關(guān)系的曲線圖。參見(jiàn)圖3，環(huán)氧樹脂的折射率在可見(jiàn)光波長(zhǎng)帶的大部分中為約1.6，銅的折射率隨波長(zhǎng)變化。銅的折射率在約400nm至約550nm的低波長(zhǎng)帶中較高，在約600nm至約800nm的高波長(zhǎng)帶中較低，但是在整個(gè)可見(jiàn)光波長(zhǎng)帶中低于環(huán)氧樹脂的折射率。

圖4示出對(duì)比較例1的透明度與示例1的透明度進(jìn)行比較的圖。比較例1包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的具有約50nm的厚度的ito膜和在ito膜上的銅膜。示例1包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的具有約50nm的厚度的ito膜、在ito膜上的銅膜、以及在銅膜上的具有約80nm的厚度的環(huán)氧樹脂膜。圖4示出在將銅膜的厚度改變?yōu)?nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、12nm、14nm、16nm、18nm和20nm時(shí)測(cè)量的透明度。

如在圖4中可見(jiàn)，其中環(huán)氧樹脂膜被覆蓋在比較例1的導(dǎo)電膜上的示例1與比較例1相比具有提高的透明度。此外，如在圖4中可見(jiàn)，透明度隨著銅膜的厚度增加而減小。

圖5示出在銅膜被形成在玻璃基底上的參考例以及ito膜和銅膜被順序形成在玻璃基底上的比較例1二者中的每個(gè)中根據(jù)銅膜的厚度而定的薄層電阻的曲線圖。在這種情況下，當(dāng)ito膜具有約50nm的厚度時(shí)，其薄層電阻為約200ω/sq。

參見(jiàn)圖5，在參考例中，由于膜在等于或小于約8nm的厚度時(shí)不被良好地形成，所以其薄層電阻非常高。在比較例1的情況下，與市售的厚度約120nm的ito膜相比，具有約50nm的厚度的ito膜和在ito膜上的具有約6nm至約8nm的厚度的銅膜的薄層電阻等于或小于約100ω/sq。當(dāng)在比較例1中銅膜厚度等于或大于約7nm時(shí)，其薄層電阻為約50ω/sq。

圖6示出對(duì)比較例1的透射率與示例1的透射率進(jìn)行比較的曲線圖。如上所述，比較例1包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜和在ito膜上的銅膜，示例1包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜、在ito膜上的銅膜和在銅膜上的環(huán)氧樹脂膜。

參見(jiàn)圖6，隨著銅膜的厚度增加，比較例1和示例1的各自的透射率顯著減小。與比較例1相比，示例1中的透射率高，并且當(dāng)銅膜的厚度為約7nm并且波長(zhǎng)等于或大于接近紅外波長(zhǎng)帶的約700nm時(shí)，示例1的透射率等于或大于約80％。

圖7示出對(duì)比較例2的透射率與示例1的透射率進(jìn)行比較的圖。比較例2包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜、在ito膜上的銅膜和在銅膜上的ito膜。示例1(如上所述)包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜、在ito膜上的銅膜和在銅膜上的環(huán)氧樹脂膜。

參見(jiàn)圖7，隨著銅膜的厚度增加，比較例2的透射率和示例1的透射率顯著減小，但是與比較例2的透射率相比，示例1的透射率高。盡管比較例2具有與作為現(xiàn)有技術(shù)中被用來(lái)提高透明度和電阻的電極結(jié)構(gòu)的ito/ag/ito結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)，但是示例1的透明度在整個(gè)可見(jiàn)光波長(zhǎng)帶內(nèi)大于比較例2的透明度。如圖7所示，當(dāng)ito膜為約50nm時(shí)，其透射率為約80％，并且在波長(zhǎng)為約700nm的示例1中測(cè)量出與其類似的透射率。

圖8示出透明導(dǎo)電膜根據(jù)曲率半徑的變化被彎曲的形狀。圖9示出在比較例2、比較例3和示例1中根據(jù)透明導(dǎo)電膜彎曲的曲率半徑的倒數(shù)而定的電阻變化的曲線圖。

在圖9中，比較例2(如上所述)包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜、在ito膜上的銅膜和在銅膜上的ito膜；比較例3包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜，示例1(如上所述)包括在未經(jīng)處理的玻璃基底上的ito膜、在ito膜上的銅膜和在銅膜上的環(huán)氧樹脂膜。

圖8示意性地示出根據(jù)曲率半徑彎曲的透明導(dǎo)電膜的形狀，隨著圖8所示的曲率半徑的倒數(shù)增加，變形程度增加。

參見(jiàn)圖9，隨著曲率半徑的倒數(shù)增加，電阻趨于增加，因?yàn)樽冃纬潭入S著透明導(dǎo)電膜被彎曲而增加。因此，透明導(dǎo)電膜的電阻改變。即使當(dāng)變形程度小時(shí)，示例1的電阻與比較例3的電阻相比也小，當(dāng)曲率半徑的倒數(shù)等于或大于約1.2cm^-1時(shí)，示例1的電阻與比較例2的電阻以及比較例3的電阻相比最小。

圖10示出在比較例2、比較例3和示例1中根據(jù)透明導(dǎo)電膜的彎曲的次數(shù)而定的電阻變化的曲線圖。

參見(jiàn)圖10，與比較例2和比較例3的電阻變化相比，在透明導(dǎo)電膜被彎曲100次時(shí)示例1的電阻變化最小，因此示例1的機(jī)械柔性最好。

在下文中，將參考圖11描述形成有上述透明導(dǎo)電膜的有機(jī)發(fā)光設(shè)備。有機(jī)發(fā)光設(shè)備是電子設(shè)備的示例，上述透明導(dǎo)電膜可在除了有機(jī)發(fā)光設(shè)備之外的使用量子點(diǎn)、太陽(yáng)能電池等的發(fā)光設(shè)備中用作電極、導(dǎo)線等。

圖11示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光設(shè)備的剖視圖。圖12示出一示例性實(shí)施例的剖視圖，在該示例性實(shí)施例中，電荷產(chǎn)生層被添加到圖11的示例性實(shí)施例。

參見(jiàn)圖11，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光設(shè)備包括第一電極10、在第一電極10上的空穴傳輸區(qū)域20、在空穴傳輸區(qū)域20上的發(fā)射層30、在發(fā)射層30上的電子傳輸區(qū)域40、以及在電子傳輸區(qū)域40上的第二電極50。

在本示例性實(shí)施例中，第一電極10可以是反射電極。在本示例性實(shí)施例中，反射電極可以被定義為包括用于將從發(fā)射層30產(chǎn)生的光反射到第二電極50的光反射材料的電極。第一電極10可以包括銀(ag)、鋁(al)、鉻(cr)、鉬(mo)、鎢(w)、鈦(ti)、金(au)、鈀(pd)或它們的合金層，并且可以被形成為三層，諸如銀(ag)/氧化銦錫(ito)/銀(ag)、氧化銦錫(ito)/銀(ag)/氧化銦錫(ito)等。

第一電極10可以通過(guò)使用濺射法、氣相沉積法、離子束沉積法或電子束沉積法形成。

空穴傳輸區(qū)域20可以包括在第一電極10和發(fā)射層30之間的輔助層?？昭▊鬏攨^(qū)域可以至少包括空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一個(gè)。空穴傳輸層可用于順利地傳輸從第一電極10發(fā)射的空穴?？昭▊鬏攲涌梢园ㄓ袡C(jī)材料。

發(fā)射層30可以包括藍(lán)色發(fā)射材料、紅色發(fā)射材料或綠色發(fā)射材料，并且發(fā)射層30可以包括主體和摻雜劑。形成發(fā)射層30的材料不限于上述。

如圖11所示，發(fā)射層30可以包括發(fā)射不同顏色的兩個(gè)層31和32。這可以是串聯(lián)式白色有機(jī)發(fā)光設(shè)備，并且發(fā)射不同顏色的兩個(gè)層可以被混合以發(fā)射白光。例如，兩個(gè)層31和32中的一個(gè)可以是藍(lán)色發(fā)射層，其中的另一個(gè)可以是黃色發(fā)射層?？商娲?，發(fā)射層30可以由三層形成，并且該三層可以分別發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色，或者藍(lán)色、黃色和藍(lán)色。

如圖12所示，通過(guò)改變圖11的示例性實(shí)施例，電荷產(chǎn)生層35可以位于兩個(gè)層31和32之間。電荷產(chǎn)生層35通常被形成在相鄰的發(fā)射層之間，以用于調(diào)節(jié)相鄰的發(fā)射層之間的電荷平衡。

圖11所示的多個(gè)發(fā)射層30的組合僅僅是示例，多個(gè)發(fā)射層的結(jié)構(gòu)可以改變以通過(guò)發(fā)射彼此不同的顏色的發(fā)射層之間的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)白光。

圖11與圖12中所示的發(fā)射層30在結(jié)構(gòu)上通過(guò)堆疊多個(gè)層而被形成，作為示例，發(fā)射層30可以通過(guò)分別在子像素單元中沉積紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層而被形成。紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層可以被水平地設(shè)置在第一電極10的上表面上，以彼此平行。

往回參見(jiàn)圖11，電子傳輸區(qū)域40可以在發(fā)射層30上。電子傳輸區(qū)域40可以包括在發(fā)射層30和第二電極50之間的輔助層。電子傳輸區(qū)域40可以包括電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。

在本示例性實(shí)施例中，第二電極50可以是用于實(shí)現(xiàn)前述類型的有機(jī)發(fā)光設(shè)備的透明電極。在本說(shuō)明書中，透明電極可以被定義為將從發(fā)射層30產(chǎn)生的光或從發(fā)射層30產(chǎn)生并從作為反射電極的第一電極10反射的光大部分傳送到達(dá)用戶的電極。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的第二電極50可以是圖1和圖2中所示的透明導(dǎo)電膜。換句話說(shuō)，第二電極50包括包含金屬氧化物的第一層50a、在第一層50a上并包括金屬的第二層50b、以及在第二層50b上并包括環(huán)氧樹脂的第三層50c。上述對(duì)圖1和圖2的透明導(dǎo)電膜的描述可以被完全應(yīng)用于本示例性實(shí)施例。

在本示例性實(shí)施例中，第二電極50在可見(jiàn)光區(qū)域的透射率可以等于或大于約75％，例如約85％，其薄層電阻可以等于或小于約50ω/sq。

在本示例性實(shí)施例中，盡管描述了第一電極10是反射電極并且第二電極50是透明電極，但是第一電極10可以是透明電極，并且第二電極50可以是反射電極。可替代地，第一電極10和第二電極50都可以是透明電極，在這種情況下，第一電極10和第二電極50都可以使用圖1和圖2中所示的透明導(dǎo)電膜。

除了有機(jī)發(fā)光設(shè)備之外，上述透明導(dǎo)電膜可以被應(yīng)用于可穿戴電子設(shè)備或可拉伸電子設(shè)備，并且其可以被有利地用在需要柔性或拉伸的觸摸面板和顯示面板中。

在說(shuō)明書中，可穿戴電子設(shè)備是指通過(guò)將智能電話或計(jì)算機(jī)的功能添加到手表、眼鏡、附件、衣服等上而將電子產(chǎn)品的便攜性和便利性最大化的設(shè)備。

作為總結(jié)和回顧，本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例旨在透明導(dǎo)電膜和包括該透明導(dǎo)電膜的電子設(shè)備，其可以在保持高電導(dǎo)率和透明度的同時(shí)提高其柔性。根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的另一方面旨在使用可以施加圖案化工藝的透明導(dǎo)電膜的電子設(shè)備。

本文已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語(yǔ)，但是它們僅在一般和描述性意義上使用和解釋，并且不是為了限制的目的。在一些情況下，如自遞交本申請(qǐng)起對(duì)本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的那樣，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可單獨(dú)使用或與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有明確說(shuō)明。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不脫離如在所附權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。