集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]集成傳感器是一種內(nèi)部集成了多個(gè)傳感器單元的傳感器芯片(例如由壓力傳感器單元和溫度傳感器單元集成的集成傳感器)，并且作為一個(gè)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)多種傳感功能的獨(dú)立的芯片進(jìn)行使用。目前集成傳感器的封裝一般是將其各個(gè)傳感器單元的MEMS傳感器芯片和ASIC芯片貼裝于基板上，最終封裝在一個(gè)腔體內(nèi)進(jìn)行集成，例如圖1和圖2所示:外殼2覆蓋在第一基板I上圍成一個(gè)大的腔體，腔體內(nèi)設(shè)置有貼裝在第一基板I上的兩個(gè)傳感器單元。其中一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5，兩者之間通過(guò)引線4電連接，AISC芯片5通過(guò)引線連接至第一基板I。另一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片8和ASIC芯片7，兩者之間同樣通過(guò)引線電連接，AISC芯片7通過(guò)引線連接至第一基板I。外殼2設(shè)有傳感器單元傳感所需的開(kāi)口 6，第一基板I的背面設(shè)有焊盤(pán)9，傳感器單元通過(guò)焊盤(pán)9與外部電路電連接。
[0003]現(xiàn)有集成傳感器的這種封裝方式是將集成傳感器的全部傳感器單元封裝在一個(gè)腔體內(nèi)，這種情況下不同傳感器單元之間容易造成電、磁、熱、光等相互干擾，嚴(yán)重影響集成傳感器的整體性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，盡量減少集成傳感器的各個(gè)傳感器單元之間的互相干擾，本發(fā)明提出了關(guān)于集成傳感器封裝的新的技術(shù)方案。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括:第一基板以及設(shè)置在所述第一基板上的多個(gè)傳感器，每個(gè)所述傳感器均包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片；其中，每個(gè)所述傳感器均與其它傳感器隔離地封裝在所述第一基板上。
[0006]優(yōu)選的，包括至少一個(gè)由外殼和所述第一基板圍成的第一封裝腔體，所述第一封裝腔體內(nèi)通過(guò)側(cè)壁隔離為至少兩個(gè)第二封裝腔體，每個(gè)所述第二封裝腔體內(nèi)設(shè)置有一個(gè)所述傳感器。
[0007]優(yōu)選的，包括至少一個(gè)由獨(dú)立外殼和所述第一基板圍成的第三封裝腔體，每個(gè)所述第三封裝腔體內(nèi)部設(shè)置有一個(gè)所述傳感器。
[0008]優(yōu)選的，所述傳感器直接設(shè)置于所述第一基板上或者通過(guò)第二基板設(shè)置于所述第一基板上。
[0009]優(yōu)選的，至少一個(gè)所述傳感器的MEMS傳感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
[0010]優(yōu)選的，互不干擾的傳感器的ASIC芯片集成在一起或者M(jìn)EMS傳感器芯片集成在一起。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，還提供了一種集成傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括:第一基板以及設(shè)置在所述第一基板上的多個(gè)傳感器，每個(gè)所述傳感器均包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片；其中，所述傳感器包括敏感傳感器和非敏感傳感器，每個(gè)所述敏感傳感器均與其它傳感器隔離地封裝在所述第一基板上。
[0012]優(yōu)選的，包括至少一個(gè)由外殼和所述第一基板圍成的第一封裝腔體，所述第一封裝腔體內(nèi)通過(guò)側(cè)壁隔離為至少兩個(gè)第二封裝腔體，其中至少一個(gè)第二封裝腔體內(nèi)設(shè)置有一個(gè)所述敏感傳感器。
[0013]優(yōu)選的，包括至少一個(gè)由獨(dú)立外殼和所述第一基板圍成的第三封裝腔體，其中至少一個(gè)第三封裝腔體內(nèi)部設(shè)置有一個(gè)所述敏感傳感器。
[0014]優(yōu)選的，多個(gè)所述傳感器包括壓力傳感器、麥克風(fēng)、以及濕度傳感器，所述麥克風(fēng)和所述濕度傳感為敏感傳感器，所述壓力傳感器為非敏感傳感器。
[0015]優(yōu)選的，所述傳感器直接設(shè)置于所述第一基板上或者通過(guò)第二基板設(shè)置于所述第一基板上。
[0016]優(yōu)選的，至少一個(gè)所述傳感器的MEMS傳感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
[0017]優(yōu)選的，互不干擾的傳感器的ASIC芯片集成在一起或者M(jìn)EMS傳感器芯片集成在一起。
[0018]本發(fā)明通過(guò)腔體分立，將集成傳感器的每個(gè)傳感器單元都進(jìn)行隔離封裝，或者將容易受到干擾的敏感傳感器單元進(jìn)行隔離封裝，以屏蔽掉集成傳感器的各個(gè)傳感器單元之間的彼此干擾，有效提升了集成傳感器的產(chǎn)品性能。
【附圖說(shuō)明】
[0019]構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0020]圖1、2是現(xiàn)有集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3、4是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖5、6是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖7、8是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖9、10是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖11是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖12、13是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖14、15是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖16、17是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖18、19是本發(fā)明集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0031]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0032]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0033]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0034]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0035]集成傳感器中包括多個(gè)傳感器單元，其中某些傳感器單元相對(duì)更為敏感，即更容易受到集成傳感器中的其它傳感器單元的干擾，這里將容易受到其它傳感器單元干擾的傳感器單元稱之為“敏感傳感器”，敏感傳感器之外的傳感器單元稱之為“非敏感傳感器”。本發(fā)明令每個(gè)敏感傳感器均與其它傳感器隔離，進(jìn)一步也可以令任何一個(gè)傳感器均與其它傳感器隔離。例如在一個(gè)包括壓力傳感器、麥克風(fēng)、以及濕度傳感器的集成傳感器中，壓力傳感器會(huì)釋放電磁信號(hào)和熱能成為干擾源，麥克風(fēng)很容易被壓力傳感器釋放出的電磁信號(hào)所干擾，濕度傳感器很容易被壓力傳感器釋放出的熱能所干擾，所以壓力傳感器為非敏感傳感器，麥克風(fēng)和濕度傳感器為敏感傳感器，所以本發(fā)明會(huì)將麥克風(fēng)與其它傳感器隔離開(kāi)，將濕度傳感器也與其它傳感器隔離開(kāi)。在本發(fā)明公開(kāi)的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)品和環(huán)境確定敏感傳感器和非敏感傳感器，這些也應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0036]參考圖3和圖4所示為集成傳感器封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，集成傳感器一共包含兩個(gè)傳感器單元，其中一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5，兩者之間通過(guò)一引線4電連接，ASIC芯片5通過(guò)一引線與第一基板I電連接。另一個(gè)傳感器單元包括MEMS傳感器芯片8和ASIC芯片7，兩者之間同樣通過(guò)一引線電連接，ASIC芯片7通過(guò)一引線與第一基板I電連接。兩個(gè)傳感器單元均貼裝于第一基板I上，通過(guò)第一基板I背面的焊盤(pán)9與外部電路電連接?？梢钥闯?，第一實(shí)施例是通過(guò)外殼2和第一基板I圍成一個(gè)大封裝腔體(第一封裝腔體)，在大封裝腔體內(nèi)部設(shè)置側(cè)壁將大封裝腔體隔離為兩個(gè)小封裝腔體(第二封裝腔體)，兩個(gè)傳感器單元分別設(shè)置于各自的第二封裝腔體內(nèi)，在第二封裝腔體的頂部開(kāi)設(shè)有傳感器單元傳感所需的開(kāi)口 6。
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