一種基于pcb工藝的超寬帶微波低噪聲放大器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，由三級相同的放大器級聯(lián)組成，放大器的輸入端、放大器的輸出端及各放大級之間均使用相同的超寬帶電容隔直流；微波PCB背面導(dǎo)體與腔體使用導(dǎo)電膠粘接，射頻絕緣子、饋電絕緣子的外導(dǎo)體與腔體使用錫鉛焊料焊接；射頻絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體與微波PCB上的微帶導(dǎo)體和SMA連接器的彈性內(nèi)導(dǎo)體電連接；饋電絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體與微波PCB上的焊盤及電源板連接；腔體的內(nèi)腔寬度不超過最高工作頻率信號波長的二分之一。用微波PCB工藝加工的PCB替換混合集成工藝使用的陶瓷薄膜電路可以大大降低無源電路本身的制造成本， 可 滿足0.05～10GHz頻率范圍內(nèi)的駐波、增益平坦度和穩(wěn)定性要求。
【專利說明】—種基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及放大器，具體涉及一種超寬帶微波低噪聲放大器，該放大器基于PCB工藝實現(xiàn)。

【背景技術(shù)】
[0002]超寬帶低噪聲放大器在測試儀器、超寬帶通信、電子對抗等領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用，其常規(guī)實現(xiàn)方法是基于單片或混合集成電路工藝。
[0003]單片集成電路工藝由于所有有源和無源元件均集成在同一塊半導(dǎo)體介質(zhì)基片上，無需使用金絲或金帶來完成有源電路與無源電路之間的互聯(lián)，也就徹底消除了因為金絲或金帶引入寄生參數(shù)而犧牲管芯的可匹配帶寬及產(chǎn)生性能離散性的問題；另一方面，同一半導(dǎo)體介質(zhì)基片上相互靠近的有源元件之間能夠獲得非常好的直流跨導(dǎo)一致性，使得分布式放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的實現(xiàn)非常容易，從而單片放大器的低端頻率理論上可以低到直流。因此，如果單從放大器的可實現(xiàn)帶寬來著眼，單片集成電路工藝在帶寬方面具有絕對的優(yōu)勢。
[0004]然而單片集成電路中無源電路要占用很多的昂貴半導(dǎo)體基片面積，同時單片集成電路的開發(fā)成本要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它微波工藝，因此除非是具有大批量應(yīng)用的場合，單片集成電路工藝在成本上沒有優(yōu)勢，而很多的非民用超寬帶低噪聲放大器應(yīng)用恰恰就具有小批量的特點(diǎn)，同時多數(shù)的微波寬帶放大器并沒有必要工作到直流，這種應(yīng)用要求就不適合采用單片集成電路工藝來滿足。
[0005]混合集成電路的基本做法是有源元件使用未封裝的分離管芯，無源電路由陶瓷薄膜電路加上一些分離無源元件如芯片電容構(gòu)成，管芯和無源電路同時用導(dǎo)電膠粘接或共晶焊接安裝在一塊低熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電金屬載板上，金屬載板與管芯和無源電路的結(jié)合面是整個放大器微帶電路的地，使用金絲或金帶鍵合工藝來完成有源電路與無源電路之間的電氣互聯(lián)?；旌霞晒に囉捎谛枰褂媒鸾z或金帶，其可以實現(xiàn)的帶寬不如單片集成電路，同時由于分離管芯之間的直流跨導(dǎo)一致性問題，因而不適于使用分布式放大器拓?fù)潆娐?，而是比較適合使用反饋放大器的方式來實現(xiàn)超寬帶低噪聲放大器電路，但陶瓷薄膜電路相當(dāng)高的制造價格限制了混合集成工藝在價格敏感場合的應(yīng)用，同時由于陶瓷材料本身的易碎性及高介電常數(shù)，對電路本身和結(jié)構(gòu)件加工精度的要求很高，這就更進(jìn)一步增加了這種工藝的成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于此，本實用新型目的在于提供一種低成本的超寬帶微波低噪聲放大器。
[0007]為解決以上技術(shù)問題，本實用新型提供的技術(shù)方案是，提供一種基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，由三級相同的放大器Al、A2和A3級聯(lián)組成，放大器Al的輸入端、放大器A3的輸出端及各放大級之間均使用相同的超寬帶電容C1、C2、C3和C4隔直流；微波PCB背面導(dǎo)體與腔體使用導(dǎo)電膠粘接，射頻絕緣子、饋電絕緣子的外導(dǎo)體與腔體使用錫鉛焊料焊接；射頻絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB上的微帶導(dǎo)體焊接，射頻絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與SMA連接器的彈性內(nèi)導(dǎo)體電連接；饋電絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB上的焊盤通過導(dǎo)線焊接，饋電絕緣子的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與電源板焊接；腔體的內(nèi)腔寬度不超過最高工作頻率信號波長的二分之一。
[0008]進(jìn)一步地，所述放大器的結(jié)構(gòu)為:低噪聲場效應(yīng)管芯T位于微波PCB的開槽內(nèi)且使用導(dǎo)電膠與腔體粘接，低噪聲場效應(yīng)管芯左邊的柵極焊盤通過兩根金絲與微波PCB上的微帶電路鍵合，低噪聲場效應(yīng)管芯右邊的漏極焊盤使用兩根金絲與微波PCB上的微帶電路鍵合，低噪聲場效應(yīng)管芯中間上下兩個源極焊盤分別使用三根金絲與腔體表面直接鍵合；反饋電阻Rfb、反饋電容Cfb、反饋電感Lfb、柵極饋電電阻R1、柵極退耦電容、漏極饋電電感Lc、漏極饋電退耦電容均使用導(dǎo)電膠與微波PCB上的電路粘接，反饋電容Cfb上表面電極使用金絲鍵合連接到柵極微帶電路；微波PCB上的微帶電路構(gòu)成低通匹配電路；柵極電壓Vg和漏極電壓Vd由微波PCB背面的電源板提供。
[0009]優(yōu)選地,所述反饋電阻Rfb為表貼電阻,尺寸為0.508mm*0.254mm。
[0010]優(yōu)選地，所述反饋電容Cfb為單層電容，尺寸為0.254mm*0.254mm。
[0011]進(jìn)一步地，所述超寬帶電容由單層電容Cs和多層電容Cm并聯(lián)構(gòu)成。
[0012]優(yōu)選地，微波PCB上與寬帶電容相關(guān)的微帶導(dǎo)體加工有縫隙，縫隙將微帶導(dǎo)體分隔為第一微帶導(dǎo)體和第二微帶導(dǎo)體之間，單層電容Cs下表面電極與第二微帶導(dǎo)體之間用導(dǎo)電膠粘接，粘接好的單層電容Cs上表面電極使用鍵合金絲與第一微帶導(dǎo)體連接；多層電容Cm其中一端的電極與單層電容Cs的上表面電極之間用導(dǎo)電膠粘接，多層電容Cm另一端的電極與第二微帶導(dǎo)體之間用導(dǎo)電膠粘接。
[0013]優(yōu)選地，所述多層電容Cm為0201封裝尺寸的二類介質(zhì)電容。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案中的一個技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0015]1、用微波PCB工藝加工的PCB替換混合集成工藝使用的陶瓷薄膜電路可以大大降低無源電路本身的制造成本，同時這一類微波PCB板材具有的介電常數(shù)范圍很寬，因此可以選用低介電常數(shù)的材料來大幅度降低電路元件的對地分布電容，這有利于維持高頻時反饋放大器的集中參數(shù)性質(zhì)及降低電路板和結(jié)構(gòu)件需要的加工精度。微波PCB代替薄膜電路的一個額外優(yōu)點(diǎn)是PCB不像陶瓷那么硬而易碎，所以在加工金屬化過孔、處理電路之間的互聯(lián)方面PCB更加靈活、方便，而且成本非常低廉。
[0016]2、整個放大器由三級放大器A1、A2、A3級聯(lián)組成，放大器的輸入/輸出端及各放大級之間均使用相同的超寬帶電容Cl、C2、C3、C4完成隔直流功能。
[0017]3、放大器Al?A3為完全相同的放大器,均使用以Triquint生產(chǎn)的低噪聲砷化鎵場效應(yīng)管管芯TGF4350為中心構(gòu)成的寬帶反饋放大器結(jié)構(gòu)以滿足0.05?1GHz頻率范圍內(nèi)的駐波、增益平坦度和穩(wěn)定性要求。
[0018]4、無源電路PCB使用Rogers公司生產(chǎn)的微波板材RT/Duroid5880來實現(xiàn)，這種微波介質(zhì)的介電常數(shù)為2.2、厚度為0.254_，從而避免了使用昂貴的薄膜電路工藝。同時這種微波板材的低介電常數(shù)使得相同物理尺寸電路對應(yīng)的電長度更短，從而更易于維持反饋通路在高頻端的集中參數(shù)性質(zhì)，也降低了對電路板的制造精度要求。PCB電路導(dǎo)體鍍金以保證無源電路到有源管芯之間可以使用金絲鍵合工藝來完成電氣連接。
[0019]5、反饋電阻使用小尺寸0201表貼電阻以保證反饋網(wǎng)絡(luò)的集中參數(shù)性質(zhì)以及反饋放大器的高頻穩(wěn)定性。
[0020]6、反饋電路中的隔直電容使用高介電常數(shù)介質(zhì)、小尺寸的單層電容以保證反饋網(wǎng)絡(luò)的集中參數(shù)性質(zhì)以及反饋放大器的高頻穩(wěn)定性。
[0021]7、反饋電路中隔直電容的鍵合金絲電感同時被用于實現(xiàn)頻率選擇性反饋，阻止高頻信號反饋到場效應(yīng)晶體管的輸入端而導(dǎo)致放大器高頻不穩(wěn)定或高頻噪聲系數(shù)惡化，同時無需再專門繞制和安裝電感線圈，簡化了裝配工藝。
[0022]8、使用雙電源方式為場效應(yīng)管供電，從而使放大器高端增益達(dá)到最高，場效應(yīng)管高頻端噪聲系數(shù)的惡化最小。
[0023]9、超寬帶電容Cl、C2、C3、C4不是使用現(xiàn)成的商業(yè)型號，而是使用一個單層電容和一個多層陶瓷電容并聯(lián)組合來實現(xiàn)，其成本遠(yuǎn)低于商業(yè)型號的超寬帶電容其性能更加適合特定的頻率范圍，因此更適于大量使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本實用新型一較佳實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0025]圖2是本實用新型一較佳實施例的組成結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖3是本實用新型一較佳實施例的單級反饋放大器的電路組成示意圖。
[0027]圖4是本實用新型一較佳實施例的超寬帶電容的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖5是圖4的仰視示意圖。
[0029]圖中I腔體，2射頻絕緣子，3SMA連接器，4饋電絕緣子，5微波PCB，5a微帶電路，5b第二微帶導(dǎo)體，5c第一微帶導(dǎo)體，6導(dǎo)電膠粘接點(diǎn)，7鍵合金絲，Al第一級放大器，A2第二級放大器，A3第三級放大器，Cl第一超寬帶電容，C2第二超寬帶電容，C3第三超寬帶電容，C4第四超寬帶電容。

【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖與一個具體實施例進(jìn)行說明。
[0031]參見圖1至圖4。本實施例所描述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，由三級相同的放大器Al、A2和A3級聯(lián)組成，放大器Al的輸入端、放大器A3的輸出端及各放大級之間均使用相同的超寬帶電容Cl、C2、C3和C4隔直流。即Cl第一超寬帶電容，Al第一級放大器，C2第二超寬帶電容，A2第二級放大器，C3第三超寬帶電容，A3第三級放大器，C4第四超寬帶電容順次連接。微波PCB5背面導(dǎo)體與腔體I使用導(dǎo)電膠粘接，射頻絕緣子2、饋電絕緣子4的外導(dǎo)體與腔體I使用錫鉛焊料焊接；射頻絕緣子2的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB5上的微帶導(dǎo)體焊接，射頻絕緣子2的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與SMA連接器3的彈性內(nèi)導(dǎo)體電連接；，從而完成PCB 5上的微帶電路與外部的射頻輸入、輸出連接。饋電絕緣子4的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB5上的焊盤通過導(dǎo)線焊接，饋電絕緣子4的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與電源板焊接；從而完成背面電源對微波PCB 5上的微帶電路提供柵極負(fù)壓和漏極正壓的功能，并維持腔體I正面微波腔的氣密性，防止管芯受到不良大氣影響長期可靠性。通過版圖的優(yōu)化設(shè)計保證腔體I的內(nèi)腔寬度不超過最高工作頻率信號波長的二分之一。
[0032]Al第一級放大器，A2第二級放大器，A3第三級放大器均為相同的放大器，其結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)為:低噪聲場效應(yīng)管芯T位于微波PCB5的開槽內(nèi)且使用導(dǎo)電膠與腔體I粘接，低噪聲場效應(yīng)管芯左邊的柵極焊盤通過兩根直徑15um金絲與微波PCB5上的微帶電路鍵合來實現(xiàn)兩者之間的電氣連接，低噪聲場效應(yīng)管芯右邊的漏極焊盤使用兩根直徑15um金絲與微波PCB5上的微帶電路鍵合來實現(xiàn)兩者之間的電氣連接，低噪聲場效應(yīng)管芯中間上下兩個源極焊盤分別使用三根15um金絲金絲與腔體表面直接鍵合；反饋電阻Rfb、反饋電容Cfb、反饋電感Lfb、柵極饋電電阻R1、柵極退耦電容Cl、漏極饋電電感Lc、漏極饋電退耦電容C2均使用導(dǎo)電膠與微波PCB5上的電路粘接，反饋電容Cfb上表面電極使用金絲鍵合連接到柵極微帶電路，金絲兼做反饋電感用于阻止高頻端的反饋造成電路不穩(wěn)定。微波PCB5上的微帶電路5a構(gòu)成低通匹配電路，完成高頻端的阻抗匹配而對低頻端沒有影響。柵極電壓Vg和漏極電壓Vd由微波PCB5背面的電源板提供。低噪聲場效應(yīng)管芯T選用Triquint公司生產(chǎn)的TGF4350，這種管芯使用0.25um的GaAs pHEMT工藝制造，有效工作頻率為DC_22GHz，其在1GHz頻率點(diǎn)的最低噪聲系數(shù)在0.8dB以下，漏極饋電電感Lc使用外購的超寬帶錐形電感以達(dá)到所需要的工作帶寬。
[0033]反饋通路中的集中參數(shù)元件選用外形尺寸盡量小的類型，保證在高頻端仍能維持反饋電路的集中參數(shù)性質(zhì)，這對于維持反饋放大器的高頻穩(wěn)定性非常關(guān)鍵。反饋電阻Rfb為表貼電阻，尺寸為0.508mm*0.254mm。反饋電容Cfb為單層電容，尺寸為0.254^^0.254mm。
[0034]商業(yè)型號的超寬帶電容使用一個單層電容和一個多層陶瓷電容并聯(lián)組合來實現(xiàn)，由于其生產(chǎn)廠家不可能針對具體的頻段開發(fā)相應(yīng)的型號，因此已有型號品種很少、覆蓋的帶寬非常寬，這導(dǎo)致其成本很高而且實際應(yīng)用往往并不需要這么寬的帶寬。使用品種繁多的分離單層電容和多層陶瓷電容組合實現(xiàn)的超寬帶電容成本優(yōu)勢非常明顯，而且因為可以針對特定頻率通過不同單層電容和多層電容的組合實現(xiàn)量身定做，所以在需要的特定頻率范圍內(nèi)反而可以得到更好的性能。本實施例中，超寬帶電容由單層電容Cs和多層電容Cm并聯(lián)構(gòu)成。
[0035]微波PCB5上與寬帶電容相關(guān)的微帶導(dǎo)體加工有縫隙，縫隙將微帶導(dǎo)體分隔為第一微帶導(dǎo)體5c和第二微帶導(dǎo)體5b之間,單層電容Cs下表面電極與第二微帶導(dǎo)體5b之間用導(dǎo)電膠粘接，粘接好的單層電容Cs上表面電極使用鍵合金絲7與第一微帶導(dǎo)體5c連接；多層電容Cm其中一端的電極與單層電容Cs的上表面電極之間用導(dǎo)電膠粘接，多層電容Cm另一端的電極與第二微帶導(dǎo)體5b之間用導(dǎo)電膠粘接，圖中示出了導(dǎo)電膠粘接點(diǎn)6。利用反饋電路中隔直電容的鍵合金絲固有電感實現(xiàn)頻率選擇性反饋，使得低頻時有強(qiáng)的負(fù)反饋從而壓低管芯本身過高的低頻增益、改善輸入駐波及實現(xiàn)絕對穩(wěn)定，同時阻止高頻端信號反饋到場效應(yīng)晶體管的輸入端而導(dǎo)致放大器的高頻不穩(wěn)定或高頻噪聲系數(shù)惡化，同時無需再專門繞制和安裝電感線圈，簡化了裝配工藝。
[0036]為了降低組合電容因強(qiáng)烈諧振對信號傳送產(chǎn)生的不利影響，多層電容Cm應(yīng)使用0201封裝的小外形多層電容以減小其寄生電感，同時應(yīng)選用二類介質(zhì)的電容以使得多層電容在微波頻率有足夠的損耗電阻，這樣可以降低兩個電容組合所產(chǎn)生并聯(lián)諧振的強(qiáng)度，多層電容Cm的電容值不關(guān)鍵只要能滿足低端頻率的容抗要求即可，對于50MHz的下限頻率取0.0luF就足夠了，單層電容Cs的值要按實際測試的傳輸曲線進(jìn)行優(yōu)化，使傳輸曲線最接近一條直線的電容值是最佳單層電容值。本實用新型使用低介電常數(shù)的微波板材制造無源電路，避免了使用昂貴的薄膜電路工藝。同時微波板材的低介電常數(shù)使得相同物理尺寸電路對應(yīng)的電長度更短，從而更易于維持反饋通路在高頻端的集中參數(shù)性質(zhì)，提高了反饋放大器的高頻穩(wěn)定性，也降低了對電路板的制造精度要求。
[0037]PCB電路導(dǎo)體表面鍍金，從而無源電路到有源管芯之間可以使用金絲鍵合來實現(xiàn)電氣連接。為了降低腔體效應(yīng)對高頻端信號響應(yīng)的影響程度，PCB版圖的布局盡力壓縮腔體的寬度，保證腔體寬度不超過最高工作頻率信號波長的二分之一，這樣可以保證屏蔽腔內(nèi)所有非微帶主模的傳輸均是衰減的，從而消除了這些寄生高次模引起的駐波惡化、增益波動惡化及穩(wěn)定性惡化問題。
[0038]以上僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實施方式不應(yīng)視為對本實用新型的限制，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，由三級相同的放大器(Al、A2、A3)級聯(lián)組成，第一級放大器Al的輸入端、第三級放大器A3的輸出端及各放大級之間均使用相同的超寬帶電容(Cl、C2、C3、C4)隔直流；微波PCB (5)背面導(dǎo)體與腔體(I)使用導(dǎo)電膠粘接，射頻絕緣子(2)、饋電絕緣子(4)的外導(dǎo)體與腔體(I)使用錫鉛焊料焊接；射頻絕緣子(2)的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB (5)上的微帶導(dǎo)體焊接，射頻絕緣子(2)的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與SMA連接器(3)的彈性內(nèi)導(dǎo)體電連接；饋電絕緣子(4)的內(nèi)導(dǎo)體一端與微波PCB(5)上的焊盤通過導(dǎo)線焊接，饋電絕緣子(4)的內(nèi)導(dǎo)體的另一端與電源板焊接；腔體(I)的內(nèi)腔寬度不超過最高工作頻率信號波長的二分之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，所述放大器的結(jié)構(gòu)為:低噪聲場效應(yīng)管芯(T)位于微波PCB (5)的開槽內(nèi)且使用導(dǎo)電膠與腔體(I)粘接，低噪聲場效應(yīng)管芯左邊的柵極焊盤通過兩根金絲與微波PCB (5)上的微帶電路鍵合，低噪聲場效應(yīng)管芯右邊的漏極焊盤使用兩根金絲與微波PCB (5)上的微帶電路鍵合，低噪聲場效應(yīng)管芯中間上下兩個源極焊盤分別使用三根金絲與腔體表面直接鍵合；反饋電阻(Rfb )、反饋電容(Cfb )、反饋電感(Lfb )、柵極饋電電阻(Rl )、柵極退稱電容、漏極饋電電感(Lc),漏極饋電退耦電容均使用導(dǎo)電膠與微波PCB (5)上的電路粘接，反饋電容(Cfb)上表面電極使用金絲鍵合連接到柵極微帶電路(5)上的微帶電路(5a)構(gòu)成低通匹配電路；柵極電壓(Vg)和漏極電壓(Vd)由微波PCB (5)背面的電源板提供。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，所述反饋電阻(Rfb)為表貼電阻，尺寸為0.508mm*0.254mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，所述反饋電容(Cfb)為單層電容，尺寸為0.254mm*0.254mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，所述超寬帶電容由單層電容(Cs)和多層電容(Cm)并聯(lián)構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，微波PCB (5)上與寬帶電容相關(guān)的微帶導(dǎo)體加工有縫隙，縫隙將微帶導(dǎo)體分隔為第一微帶導(dǎo)體(5c)和第二微帶導(dǎo)體(5b)之間，單層電容(Cs)下表面電極與第二微帶導(dǎo)體(5b)之間用導(dǎo)電膠粘接，粘接好的單層電容(Cs)上表面電極使用鍵合金絲(7)與第一微帶導(dǎo)體(5c)連接；多層電容(Cm)其中一端的電極與單層電容(Cs)的上表面電極之間用導(dǎo)電膠粘接，多層電容(Cm)另一端的電極與第二微帶導(dǎo)體(5b)之間用導(dǎo)電膠粘接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基于PCB工藝的超寬帶微波低噪聲放大器，其特征在于，所述多層電容(Cm)為0201封裝尺寸的二類介質(zhì)電容。
【文檔編號】H03F1/26GK204190707SQ201420550549
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月23日
【發(fā)明者】鐘名慶 申請人:成都玖信科技有限公司