本技術(shù)涉及射頻，尤其涉及一種功率放大器、射頻前端模組及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、射頻前端模組廣泛應(yīng)用于無線通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居等領(lǐng)域，功率放大器作為射頻前端模組的核心單元，其性能對射頻前端模組的信號輸出指標(biāo)具有較大的影響。

2、目前，射頻信號經(jīng)過功率放大電路進(jìn)行功率放大之后，通常會產(chǎn)生諧波，在功率放大電路的輸出端，通常需要設(shè)置諧波抑制結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)中，通常在功率放大電路的輸出端分別設(shè)置二階諧波抑制網(wǎng)絡(luò)和三階諧波抑制網(wǎng)絡(luò)，通過不同的諧波抑制網(wǎng)絡(luò)分別獨(dú)立對二階諧波和三階諧波進(jìn)行抑制，該諧波抑制結(jié)構(gòu)不利于提高諧波抑制水平。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上問題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種功率放大器、射頻前端模組及電子設(shè)備，以解決上述不利于提高諧波抑制水平的技術(shù)問題。

2、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種功率放大器，包括：

3、差分功率放大電路；

4、巴倫，所述巴倫包括第一線圈以及與所述第一線圈耦合的第二線圈，所述第一線圈的第一端連接所述差分功率放大電路的第一輸出端，所述第一線圈的第二端連接所述差分功率放大電路的第二輸出端，所述第二線圈的第一端為所述功率放大器的輸出端，所述第二線圈的第二端接地；

5、第一諧波抑制單元，所述第一諧波抑制單元串接于接地端與所述第二線圈的第一端之間，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于二次諧波的頻率且小于三次諧波的頻率。

6、可選地，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于基波頻率的2.5倍且小于三次諧波的頻率。

7、可選地，所述第一諧波抑制單元包括串聯(lián)連接的第一電容和第一電感，所述第一電容、所述第一電感、所述第二線圈的等效電感以及與所述第一諧波抑制單元連接的外部電路的寄生電容共同產(chǎn)生的諧振頻率大于或等于三次諧波的頻率。

8、可選地，所述功率放大器的輸出端用于連接射頻開關(guān)，所述第一諧波抑制單元連接的外部電路的寄生電容包括所述射頻開關(guān)的寄生電容。

9、可選地，所述射頻開關(guān)包括串聯(lián)支路和并聯(lián)支路，所述串聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和天線端口之間，所述并聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和接地端之間，所述寄生電容包括所述并聯(lián)支路關(guān)斷時的寄生電容。

10、可選地，所述第一電容的電容值為0.9～1.3pf；所述第一電感的電感值為0.5～0.7nh。

11、可選地，所述第一電容為貼片電容，所述第一電感繞設(shè)于基板上。

12、可選地，所述功率放大器還包括第二諧波抑制單元，所述第二諧波抑制單元包括第二電容和所述第一線圈的等效電感，所述第二電容的第一端連接于所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二電容的第二端接地。

13、可選地，所述第一線圈包括第一線圈段和第二線圈段，所述第一線圈段從所述第一線圈的所述第一端延伸至所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二線圈段從所述第一線圈的所述中點(diǎn)延伸至所述第一線圈的第二端；

14、所述第二電容和所述第一線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波的頻率且小于二次諧波的頻率；

15、所述第二電容和所述第二線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波的頻率且小于二次諧波的頻率。

16、可選地，所述第二諧波抑制單元還用于抑制共模信號。

17、可選地，所述第二電容的電容值為5～13pf；所述第一線圈的等效電感量為0.3～1.2nh。

18、可選地，所述功率放大器使三次諧波的衰減小于或等于-20db，所述功率放大器使二次諧波的衰減小于或等于-30db。

19、可選地，所述第二電容和所述第一線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波頻率的1.5倍且小于二次諧波的頻率；所述第二電容和所述第二線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波頻率的1.5倍且小于二次諧波的頻率。

20、可選地，所述第一線圈為單圈結(jié)構(gòu)，且所述第一線圈段和所述第二線圈段呈軸對稱布置。

21、可選地，所述功率放大器的輸出端用于連接射頻開關(guān)，所述巴倫和所述第一諧波抑制單元還用于匹配所述差分功率放大電路的輸出端與所述射頻開關(guān)之間的阻抗。

22、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種功率放大器，包括：

23、差分功率放大電路；

24、巴倫，所述巴倫包括第一線圈以及與所述第一線圈耦合的第二線圈，所述第一線圈的第一端連接所述差分功率放大電路的第一輸出端，所述第一線圈的第二端連接所述差分功率放大電路的第二輸出端，所述第二線圈的第一端為所述功率放大器的輸出端，所述第二線圈的第二端接地；

25、第一諧波抑制單元，所述第一諧波抑制單元串接于接地端與所述第二線圈的第一端之間；

26、第二諧波抑制單元，所述第二諧波抑制單元包括第二電容和所述第一線圈的等效電感，所述第二電容的第一端連接于所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二電容的第二端接地；

27、其中，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于所述第二諧波抑制單元的諧振頻率，所述第二諧波抑制單元的諧振頻率為所述第一線圈的中點(diǎn)至所述第一線圈任一端的等效電感與所述第二電容的諧振頻率。

28、可選地，所述第一諧波抑制單元包括串聯(lián)連接的第一電容和第一電感，所述第一電容的電容值小于所述第二電容的電容值。

29、可選地，所述第二電容的電容值為所述第一電容的電容值的6～12倍；第一線圈的等效電感值為所述第一電感的電感值的0.8～1.6倍。

30、可選地，所述第一電容的電容值為0.9～1.3pf，所述第二電容的容值為8～10pf。

31、可選地，第一線圈的等效電感為0.6～0.8nh，所述第一電感的電感值為0.5～0.7nh。

32、可選地，所述第一電容為貼片電容，所述第二電容為貼片電容，所述第一電感繞設(shè)于基板上。

33、可選地，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于n次諧波的頻率且小于(n+1)次諧波的頻率；所述第二諧波抑制單元的諧振頻率為大于基波的頻率且小于n次諧波的頻率，其中n為整數(shù)且n≥2。

34、可選地，n為偶數(shù)。

35、可選地，所述第一線圈包括第一線圈段和第二線圈段，所述第一線圈段從所述第一線圈的所述第一端延伸至所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二線圈段從所述第一線圈的所述中點(diǎn)延伸至所述第一線圈的第二端；

36、所述第二電容和所述第一線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波的頻率且小于二次諧波的頻率；

37、所述第二電容和所述第二線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波的頻率且小于二次諧波的頻率。

38、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種射頻前端模組，包括上述的功率放大器。

39、可選地，所述射頻前端模組還包括射頻開關(guān)，所述射頻開關(guān)與所述功率放大器的輸出端連接，所述第一電容、所述第一電感、所述第二線圈的等效電感以及所述射頻開關(guān)的寄生電容共同產(chǎn)生的諧振頻率大于或等于三次諧波的頻率。

40、可選地，所述射頻開關(guān)包括串聯(lián)支路和并聯(lián)支路，所述串聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和天線端口之間，所述并聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和接地端之間，所述射頻開關(guān)的寄生電容包括所述并聯(lián)支路關(guān)斷時的寄生電容。

41、第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，包括上述的射頻前端模組。

42、本技術(shù)實(shí)施例提供的功率放大器、射頻前端模組及電子設(shè)備，包括差分功率放大電路；巴倫，所述巴倫包括第一線圈以及與所述第一線圈耦合的第二線圈，所述第一線圈的第一端連接所述差分功率放大電路的第一輸出端，所述第一線圈的第二端連接所述差分功率放大電路的第二輸出端，所述第二線圈的第一端為所述功率放大器的輸出端，所述第二線圈的第二端接地；第一諧波抑制單元，所述第一諧波抑制單元串接于接地端與所述第二線圈的第一端之間，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于二次諧波的頻率且小于三次諧波的頻率；通過在巴倫的第二線圈的一端連接第一諧波抑制單元，并將第一諧波抑制單元的諧振頻率設(shè)置在二次諧波的頻率與三次諧波的頻率之間，能夠同時提高二次諧波和三次諧波的抑制水平，提高了諧波抑制效果。

43、本技術(shù)的這些方面或其他方面在以下實(shí)施例的描述中會更加簡明易懂。