1.一種功率放大器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于基波頻率的2.5倍且小于三次諧波的頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一諧波抑制單元包括串聯(lián)連接的第一電容和第一電感，所述第一電容、所述第一電感、所述第二線圈的等效電感以及與所述第一諧波抑制單元連接的外部電路的寄生電容共同產(chǎn)生的諧振頻率大于或等于三次諧波的頻率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的輸出端用于連接射頻開關(guān)，所述第一諧波抑制單元連接的外部電路的寄生電容包括所述射頻開關(guān)的寄生電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述射頻開關(guān)包括串聯(lián)支路和并聯(lián)支路，所述串聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和天線端口之間，所述并聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和接地端之間，所述寄生電容包括所述并聯(lián)支路關(guān)斷時(shí)的寄生電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容的電容值為0.9～1.3pf；所述第一電感的電感值為0.5～0.7nh。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容為貼片電容，所述第一電感繞設(shè)于基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器還包括第二諧波抑制單元，所述第二諧波抑制單元包括第二電容和所述第一線圈的等效電感，所述第二電容的第一端連接于所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二電容的第二端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述第一線圈包括第一線圈段和第二線圈段，所述第一線圈段從所述第一線圈的所述第一端延伸至所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二線圈段從所述第一線圈的所述中點(diǎn)延伸至所述第一線圈的第二端；
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述第二諧波抑制單元還用于抑制共模信號(hào)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述第二電容的電容值為5～13pf；所述第一線圈的等效電感量為0.3～1.2nh。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器使三次諧波的衰減小于或等于-20db，所述功率放大器使二次諧波的衰減小于或等于-30db。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述第二電容和所述第一線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波頻率的1.5倍且小于二次諧波的頻率；所述第二電容和所述第二線圈段形成的諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率大于基波頻率的1.5倍且小于二次諧波的頻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率放大器，其特征在于，所述第一線圈為單圈結(jié)構(gòu)，且所述第一線圈段和所述第二線圈段呈軸對稱布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的輸出端用于連接射頻開關(guān)，所述巴倫和所述第一諧波抑制單元還用于匹配所述差分功率放大電路的輸出端與所述射頻開關(guān)之間的阻抗。
16.一種功率放大器，其特征在于，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述第一諧波抑制單元包括串聯(lián)連接的第一電容和第一電感，所述第一電容的電容值小于所述第二電容的電容值。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述第二電容的電容值為所述第一電容的電容值的6～12倍；第一線圈的等效電感值為所述第一電感的電感值的0.8～1.6倍。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容的電容值為0.9～1.3pf，所述第二電容的容值為8～10pf。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的功率放大器，其特征在于，第一線圈的等效電感為0.6～0.8nh，所述第一電感的電感值為0.5～0.7nh。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容為貼片電容，所述第二電容為貼片電容，所述第一電感繞設(shè)于基板上。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的功率放大器，其特征在于，所述第一諧波抑制單元的諧振頻率大于n次諧波的頻率且小于(n+1)次諧波的頻率；所述第二諧波抑制單元的諧振頻率為大于基波的頻率且小于n次諧波的頻率，其中n為整數(shù)且n≥2。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的功率放大器，其特征在于，n為偶數(shù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述第一線圈包括第一線圈段和第二線圈段，所述第一線圈段從所述第一線圈的所述第一端延伸至所述第一線圈的中點(diǎn)，所述第二線圈段從所述第一線圈的所述中點(diǎn)延伸至所述第一線圈的第二端；
25.一種射頻前端模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～24任一項(xiàng)所述的功率放大器。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括射頻開關(guān)，所述射頻開關(guān)與所述功率放大器的輸出端連接，所述第一電容、所述第一電感、所述第二線圈的等效電感以及所述射頻開關(guān)的寄生電容共同產(chǎn)生的諧振頻率大于或等于三次諧波的頻率。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻開關(guān)包括串聯(lián)支路和并聯(lián)支路，所述串聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和天線端口之間，所述并聯(lián)支路連接于所述功率放大器的輸出端和接地端之間，所述射頻開關(guān)的寄生電容包括所述并聯(lián)支路關(guān)斷時(shí)的寄生電容。
28.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求25～27任一項(xiàng)所述的射頻前端模組。