本實(shí)用新型涉及OLED(Organic Light Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種蒸鍍坩堝及蒸鍍設(shè)備。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于同時(shí)具備自發(fā)光、不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制作過程較簡單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。OLED分為PMOLED和AMOLED，即被動(dòng)式和主動(dòng)式，其中，AMOLED是目前主流產(chǎn)品，AMOLED顯示的實(shí)現(xiàn)方式有背板+金屬掩膜板方式，此方式多用于中小尺寸的顯示面板，應(yīng)用與手機(jī)和移動(dòng)產(chǎn)品。目前，此方法已經(jīng)初步成熟，步入了量產(chǎn)階段。

目前，有機(jī)OLED線性蒸發(fā)源包括蒸鍍坩堝，如圖1所示，蒸鍍坩堝主要包括坩堝本體10、設(shè)置在坩堝本體10內(nèi)的防爆沸板(Inner plate)20以及設(shè)置在坩堝本體10上的噴嘴(Nozzle)30。在蒸鍍時(shí)，坩堝本體10加熱，盛放在坩堝本體10內(nèi)的有機(jī)材料在高溫下蒸發(fā)或升華為氣體，氣體上升通過防爆沸板(Inner plate)20均一化后，經(jīng)過噴嘴30，并遇到位于噴嘴30上方的LTPS基板，在LTPS基板上發(fā)生凝華，從而將有機(jī)材料蒸鍍到LTPS基板上。

如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍坩堝中所使用的防爆沸板20采用的是線性矩形塊排布的方式，包括間隔設(shè)置的寬矩形塊21和窄矩形塊22，其中窄矩形塊22與坩堝本體10內(nèi)壁之間形成用于使得氣體通過的開孔空間。目前采用這種防爆沸板存在以下問題：

由于窄矩形塊與坩堝本體的內(nèi)壁之間形成的開孔空間面積較大，容易引起材料飛濺，材料灰化產(chǎn)生的異物(Particle)直接蒸鍍到器件表面上或者蒸鍍到傳感器(Rate Sensor)上導(dǎo)致器件產(chǎn)生不良或者導(dǎo)致蒸鍍速率發(fā)生波動(dòng)等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種蒸鍍坩堝及蒸鍍設(shè)備，通過對防爆沸板進(jìn)行改進(jìn)，可以有效的降低材料飛濺或者因材料灰化產(chǎn)生異物影響器件良率，提高器件整體良率，確保器件性能。

本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案如下：

一種蒸鍍坩堝，包括：

坩堝本體，所述坩堝本體具有一用于容置有機(jī)材料的容置腔；

設(shè)置在所述坩堝本體的容置腔內(nèi)的防爆沸板；

以及，設(shè)置在所述坩堝本體的容置腔的開口處的蓋體，所述蓋體上設(shè)有噴嘴；

所述防爆沸板上分布有多個(gè)通孔，所述通孔的內(nèi)徑小于預(yù)設(shè)值。

進(jìn)一步的，所述防爆沸板包括四周邊緣區(qū)域和中間區(qū)域，所述多個(gè)通孔均勻分布于整個(gè)所述中間區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述防爆沸板包括四周邊緣區(qū)域和中間區(qū)域，其中，所述中間區(qū)域包括與所述噴嘴正對的第一區(qū)域，其中所述多個(gè)通孔設(shè)置在所述中間區(qū)域，并位于所述第一區(qū)域之外的區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述蓋體上設(shè)有多個(gè)噴嘴，且多個(gè)噴嘴在第一方向上呈線性依次排列；

所述防爆沸板為沿第一方向延伸的長條形板結(jié)構(gòu)，在所述防爆沸板上間隔設(shè)置有與多個(gè)噴嘴一一對應(yīng)的多個(gè)所述第一區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述第一區(qū)域在所述第一方向上的寬度大于所述噴嘴在所述第一方向上的寬度。

進(jìn)一步的，在所述坩堝本體內(nèi)分層設(shè)置有至少兩層所述防爆沸板。

進(jìn)一步的，至少兩層所述防爆沸板中，相鄰的兩層所述防爆沸上的通孔不重合。

進(jìn)一步的，在所述坩堝本體內(nèi)設(shè)置有三層所述防爆沸板。

一種蒸鍍設(shè)備，包括如上所述的蒸鍍坩堝。

本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝及蒸鍍設(shè)備，通過對蒸鍍坩堝內(nèi)的防爆沸板進(jìn)行改進(jìn)，將防爆粉板設(shè)計(jì)為內(nèi)孔式結(jié)構(gòu)，在其上分布多個(gè)通孔，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于防爆沸板的開孔面積較大而易導(dǎo)致材料飛濺或者材料灰化產(chǎn)生的雜質(zhì)直接蒸鍍到器件表面上或者蒸鍍到傳感器上導(dǎo)致器件產(chǎn)生不良或蒸鍍速率波動(dòng)等問題，提高器件整體良率，確保器件性能。

附圖說明

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍坩堝的防爆沸板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4表示本實(shí)用新型第一種實(shí)施例所提供的蒸鍍坩堝中防爆沸板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5表示本實(shí)用新型第二種實(shí)施例所提供的蒸鍍坩堝中防爆沸板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6表示本實(shí)用新型第三種實(shí)施例所提供的蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

針對現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍坩堝中所使用的防爆沸板采用線性矩形塊排布的結(jié)構(gòu)，易導(dǎo)致材料飛濺或材料灰化產(chǎn)生的異物(Particle)直接蒸鍍到器件表面上或者蒸鍍到傳感器(Rate Sensor)上導(dǎo)致器件產(chǎn)生不良或者導(dǎo)致蒸鍍速率發(fā)生波動(dòng)等問題，本實(shí)用新型提供了一種蒸鍍坩堝，其通過對防爆沸板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，可以有效的降低材料飛濺或者因材料灰化產(chǎn)生異物影響器件良率，提高器件整體良率，確保器件性能。

如圖3所示，本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝包括：

坩堝本體100，所述坩堝本體100具有一用于容置有機(jī)材料的容置腔；

設(shè)置在所述坩堝本體100的容置腔內(nèi)的防爆沸板200；

以及，設(shè)置在所述坩堝本體100的容置腔的開口處的蓋體300，所述蓋體300上設(shè)有噴嘴301；

其中所述防爆沸板200上分布有多個(gè)通孔201，所述通孔201的內(nèi)徑小于預(yù)設(shè)值。

上述方案中，蒸鍍坩堝中坩堝本體100內(nèi)的有機(jī)材料在高溫下蒸發(fā)或升華為氣體，防爆沸板200起到將氣體進(jìn)行均一化的作用，氣體經(jīng)防爆沸板200均一化之后再經(jīng)過噴嘴301而蒸鍍到基板上。在本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝中，對防爆沸板200進(jìn)行了結(jié)構(gòu)改進(jìn)，具體地，將現(xiàn)有技術(shù)中防爆沸板200的線性矩形塊排布的結(jié)構(gòu)改進(jìn)為在防爆沸板200上分布多個(gè)通孔201的結(jié)構(gòu)，且通孔201的內(nèi)徑小于預(yù)設(shè)值，也就是說，通孔201的開孔面積較小，能夠有效的阻止有機(jī)材料飛濺或灰化產(chǎn)生的異物，不易產(chǎn)生蒸鍍速率波動(dòng)等問題，進(jìn)而有效的減少現(xiàn)有技術(shù)中器件由于防爆沸板200上開孔面積大而產(chǎn)生的器件不良現(xiàn)象發(fā)生，提高器件整體良率，確保器件性能。

以下說明本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝的幾種優(yōu)選實(shí)施例。

實(shí)施例1

如圖4所示為本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝的第一種實(shí)施例中所采用的防爆沸板的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖4所示，在本實(shí)施例中，所述防爆沸板200包括四周邊緣區(qū)域和中間區(qū)域，所述多個(gè)通孔201均勻分布于整個(gè)所述中間區(qū)域。

采用上述方案，在所述防爆沸板200的中間區(qū)域均勻分布有多個(gè)通孔201，該多個(gè)通孔201優(yōu)選為采用矩陣方式排列，如此設(shè)計(jì)，可以進(jìn)一步的使得有機(jī)材料在蒸發(fā)或升華后的氣體能夠經(jīng)過該防爆沸板200之后提高均一化程度。

實(shí)施例2

如圖5所示為本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝的第一種實(shí)施例中所采用的防爆沸板的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖5所示，在本實(shí)施例中，所述防爆沸板200包括四周邊緣區(qū)域和中間區(qū)域，其中，所述中間區(qū)域包括與所述噴嘴301正對的第一區(qū)域202，其中所述多個(gè)通孔201設(shè)置在所述中間區(qū)域，并位于所述第一區(qū)域202之外的區(qū)域。

采用上述方案，在所述防爆沸板200上對應(yīng)于蒸鍍坩堝上的多個(gè)噴嘴301的位置，則不設(shè)置通孔201，可以使得坩堝本體100內(nèi)有機(jī)材料蒸發(fā)或升華后的氣體在經(jīng)過第一區(qū)域202之外的區(qū)域所對應(yīng)的通孔201之后再進(jìn)入噴嘴301，而不可以直接進(jìn)入噴嘴301，一方面避免了有機(jī)材料飛濺或者材料灰化產(chǎn)生的雜質(zhì)直接進(jìn)入噴嘴301而導(dǎo)致器件產(chǎn)生不良，另一方面由于氣體經(jīng)過第一區(qū)域202之外的區(qū)域所設(shè)置的通孔201后再進(jìn)入噴嘴301，更有利于氣壓均一化。

此外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述蓋體300上設(shè)有多個(gè)噴嘴301，且多個(gè)噴嘴301在第一方向上呈線性依次排列；如圖5所示，所述防爆沸板200為沿第一方向延伸的長條形板結(jié)構(gòu)，在所述防爆沸板200上間隔設(shè)置有與多個(gè)噴嘴301一一對應(yīng)的多個(gè)所述第一區(qū)域202，且所述第一區(qū)域202在所述第一方向上的寬度大于所述噴嘴301在所述第一方向上的寬度。

在上述方案中，所述蒸鍍坩堝為線性蒸鍍坩堝，多個(gè)噴嘴301呈線性排列，所述防爆沸板200上的第一區(qū)域202相應(yīng)的排列有多個(gè)，并且，所述第一區(qū)域202在所述第一方向上的寬度大于所述噴嘴301在所述第一方向上的寬度，以進(jìn)一步的保證材料飛濺或灰化產(chǎn)生的雜質(zhì)不易進(jìn)入到噴嘴301內(nèi)。

實(shí)施例3

如圖6所示為本實(shí)用新型所提供的蒸鍍坩堝的第三種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，在本實(shí)施例中，在所述坩堝本體100內(nèi)分層設(shè)置有至少兩層所述防爆沸板200。

采用上述方案，將所述坩堝本體100內(nèi)設(shè)置有至少兩層所述防爆沸板200，可以進(jìn)一步的保證材料飛濺或者材料灰化產(chǎn)生的雜質(zhì)不會(huì)直接進(jìn)入到噴嘴301，而蒸鍍到器件表面上或者傳感器上，以及，進(jìn)一步避免了蒸鍍速率波動(dòng)等問題，提高器件整體良率，確保器件性能。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，至少兩層所述防爆沸板200中，相鄰的兩層所述防爆沸上的通孔201不重合。優(yōu)選的，在所述坩堝本體100內(nèi)設(shè)置有三層所述防爆沸板200。

采用上述方案，將兩層或三層防爆沸板200組合在一起，優(yōu)點(diǎn)在于，兩層或者三層防爆沸板200上的通孔201都不是重合的，是相互獨(dú)立的，蒸鍍出的材料經(jīng)過兩層或三層防爆沸板200的通孔201后，可以均勻的蒸鍍出去，進(jìn)而可以有效的防止材料飛濺或者因材料灰化產(chǎn)生雜質(zhì)，有效的減小器件因該部分雜質(zhì)引起的器件不良；并且，也進(jìn)一步的保證了氣體的氣壓均一性，蒸鍍速率更為均勻。

在本實(shí)用新型的實(shí)施例中還提供了一種蒸鍍設(shè)備，其包括如上所述的蒸鍍坩堝。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。