技術(shù)特征：

1. 外延硅晶片，其為在氮濃度調(diào)節(jié)為1×10¹²原子/cm³以上且1×10¹³原子/cm³以下的范圍內(nèi)、且由COP區(qū)域構(gòu)成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其特征在于：

在實(shí)施氧沉淀物評(píng)價(jià)熱處理時(shí)，形成于所述硅晶片的內(nèi)部的氧沉淀物密度在所述硅晶片的徑向整個(gè)范圍內(nèi)為1×10⁸個(gè)/cm³以上且3×10⁹個(gè)/cm³以下，且

在自所述硅晶片的最外周向內(nèi)1mm至10mm的外周部區(qū)域內(nèi)形成的氧沉淀物的平均密度比在所述外周部區(qū)域以外的中心部區(qū)域內(nèi)形成的氧沉淀物的平均密度低，且

所述外周部區(qū)域的所述氧沉淀物密度的最大值與最小值之差(最大值-最小值)為3以下，且

所述外周部區(qū)域的殘留氧濃度為8×10¹⁷原子/cm³ (Old-ASTM_F121，1979)以上。

2.權(quán)利要求1所述的外延硅晶片，其特征在于：所述最大值位于所述外周部區(qū)域中自所述最外周向內(nèi)6mm至10mm的范圍內(nèi)，所述最小值位于所述外周部區(qū)域中自所述最外周向內(nèi)小于6mm的范圍內(nèi)。

3.權(quán)利要求2所述的外延硅晶片，其特征在于：所述外周部區(qū)域的所述氧沉淀物密度朝向所述硅晶片的最外周遞減。

4.權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的外延硅晶片，其特征在于：實(shí)施氧化誘生層錯(cuò)評(píng)價(jià)熱處理時(shí)，在所述外延硅晶片的背面觀察到的氧化誘生層錯(cuò)的密度為100個(gè)/cm²以下。

5. 權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的外延硅晶片，其特征在于：所述硅晶片是由氧濃度調(diào)節(jié)為8×10¹⁷原子/cm³以上且14×10¹⁷原子/cm³以下(Old-ASTM_F121, 1979)的范圍內(nèi)的硅單晶錠切割的硅晶片。

6.權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的外延硅晶片，其特征在于：直徑為300mm以上。

7.權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的外延硅晶片，其特征在于：所述硅晶片是從具有目標(biāo)直徑的1.02-1.07倍的直徑的所述硅單晶錠的直筒部切割，并加工為所述目標(biāo)直徑的硅晶片。