技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的課題是確保必要的吸雜能力，同時提高晶片外周部的強度，防止滑移位錯的產(chǎn)生。解決手段如下：外延硅晶片是在氮濃度調(diào)節(jié)為1×1012?1×1013原子/cm3、且由COP區(qū)域構(gòu)成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其中，實施評價熱處理時，形成于硅晶片20的內(nèi)部的BMD(氧沉淀物)密度在晶片徑向整個范圍內(nèi)為1×108?3×109個/cm3。另外，自硅晶片20的最外周向內(nèi)1?10mm的外周部區(qū)域21內(nèi)的BMD的平均密度比中心部區(qū)域22內(nèi)的BMD的平均密度低，外周部區(qū)域21的BMD密度的偏差度為3以下，外周部區(qū)域21的殘留氧濃度為8×1017原子/cm3以上。

技術(shù)研發(fā)人員：小池康夫;片野智一;小野敏昭
受保護的技術(shù)使用者：勝高股份有限公司
文檔號碼：201610774247
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.03.15