專(zhuān)利名稱(chēng)：一種甲酸鋰金屬絡(luò)合物及其制作方法、有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及ー種甲酸鋰金屬絡(luò)合物及其制作方法，以及由該甲酸鋰金屬絡(luò)合物制成的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
隨著多媒體技術(shù)的快速發(fā)展，平板顯示領(lǐng)域逐漸出現(xiàn)了等離子顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器以及有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)。其中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器不僅具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顔色豐富等優(yōu)點(diǎn)，使其在平板顯示領(lǐng)域具有廣泛地應(yīng)用前景。有機(jī)電致發(fā)光器件是自發(fā)的發(fā)光器件，其發(fā)光機(jī)理是在外加電場(chǎng)作用下，注入有機(jī)材料的電子和空穴在遷移、復(fù)合以及衰減的過(guò)程中發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極層、陰極層以及設(shè)置在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)薄膜層。有機(jī)薄膜層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層或電子注入層中的ー種或多種。目前，氟化鋰(LiF)是被廣泛采用的電子注入材料，雖然氟化鋰可以滿足有機(jī)電致發(fā)光器件所需的電子注入能力，然而其空穴阻隔能力較弱，由其制作的有機(jī)電致發(fā)光器件的光強(qiáng)度、電流密度以及高電流密度下的效率較差，從而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的綜合性能較差。此外，利用氟化鋰制作電子注入層時(shí)，所需的蒸鍍溫度為400 500°C，而且要求電子注入層的厚度為O. 5nm左右，否則將影響電子注入層的電子注入能力。這提高了蒸鍍?cè)O(shè)備的精度要求，從而導(dǎo)致蒸鍍?cè)O(shè)備制造成本的増加；而且目前的蒸鍍エ藝很難將電子注入層的厚度控制在O. 5nm左右，電子注入層的厚度通常在Inm左右，這將影響電子注入層的電子注入能力，從而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件綜合性能的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，提供ー種甲酸鋰金屬絡(luò)合物及其制作方法，該甲酸鋰金屬絡(luò)合物具有優(yōu)良的電子注入能力和空穴阻隔能力，可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。此外，本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其有機(jī)薄膜層內(nèi)的電子注入與傳輸相對(duì)平衡，該有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度、電流密度以及高電流密度下的效率較高。解決上述技術(shù)問(wèn)題的所采用的技術(shù)方案是提供ー種甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其為通式
(I)的金屬絡(luò)合物，
權(quán)利要求
1.ー種甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，其為通式(I)的金屬絡(luò)合物，
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C卜2(|未取代的烷基為甲基、こ基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基或正辛基；所述C1 20取代的烷基為羥基C卜6烷基、鹵代C1 6烷基或氨基C卜6烷基。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C卜2(|未取代的環(huán)烷基為環(huán)戊基或環(huán)己基；所述C卜2(|取代的環(huán)烷基為4-甲基環(huán)己基、金剛烷基或降冰片烷基。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C卜2(|烷氧基為由-OR表示的基團(tuán)，其中，R代表烷基； 所述烷基為甲基、こ基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基C卜6烷基、鹵代C卜6烷基、氨基C卜6烷基、氰基C卜6烷基或硝基Cl 6燒基。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C6 6(l芳烷基包括芐基、苯基こ基、苯基異丙基、苯基叔丁基、萘基甲基、萘基こ基、萘基異丙基、吡咯基甲基、批咯基こ基、甲基芐基、鹵代芐基、氨基芐基、硝基芐基、氰基芐基、鹵代苯基異丙基或三苯甲基。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C6 5(l芳氧基為由-OAr表示的基團(tuán)，所述Ar和所述C6 5(l芳基包括以下芳香基團(tuán)苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、芘基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、甲苯基、甲基萘基、吡咯基、噴哚基、異吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯琳基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、呋咱基、噻吩基、甲基吡咯、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-I-基、甲基-吲哚基或叔丁基-吲哚基。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述氟代甲基為ー氟、ニ氟或三氟取代的甲基。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，其特征在于，所述C卜2(|酯基為甲酷基、こ酷基、丙酷基、異丙酯基、正丁酯基、仲丁酯基、異丁酯基、正戊酯基、正己酯基、正庚酯基或正辛酯基。
9.ー種甲酸鋰金屬絡(luò)合物的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 將2-甲基呋喃或2-甲基噻吩溶于有機(jī)溶劑中，并向所述有機(jī)溶劑中加入催化劑以及包含有取代基的氯化物； 將所述有機(jī)溶劑加熱至50 100°C，以使所述2-甲基呋喃或2-甲基噻吩與所述包含有取代基的氯化物反應(yīng)； 向發(fā)生反應(yīng)的所述有機(jī)溶劑中加入酸以及冰水混合物，以使所述催化劑還原； 通過(guò)蒸餾獲得包含有取代基的甲基呋喃或甲基噻吩； 通過(guò)所述包含有取代基的甲基呋喃或甲基噻吩獲得包含有取代基的呋喃甲酸或噻吩甲酸溶液； 在所述包含有取代基的呋喃甲酸或噻吩甲酸溶液中加入過(guò)量的金屬鋰，回流、過(guò)濾，并經(jīng)柱層析色譜或重結(jié)晶，獲得通式(I)所代表的重復(fù)單元的甲酸鋰金屬絡(luò)合物，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑是苯、硝基苯、四氫呋喃、ニ氯甲烷或ニ氧六環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物的制作方法，其特征在于，所述氯化物中所包含的所述取代基為(卜2(|取代或未取代的烷基、C卜2(|取代或未取代的環(huán)烷基、C卜2(|烷氧基、C6^60芳烷基、C6^50芳基、C6^50芳氧基、羧基、氟代甲基、氰基、硝基或C2I酷基。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物的制作方法，其特征在于，所述包含有取代基的呋喃甲酸或噻吩甲酸溶液通過(guò)以下步驟獲得 將所述包含有取代基的甲基呋喃或甲基噻吩溶于こ醇的水溶液中； 加入KMnO4使所述包含有取代基的甲基呋喃或甲基噻吩與所述こ醇反應(yīng)，從而獲得包含有取代基的呋喃甲酸或噻吩甲酸溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物的制作方法，其特征在于，在所述包含有取代基的呋喃甲酸或噻吩甲酸溶液中加入過(guò)量的金屬鋰后，在無(wú)水無(wú)氧的條件下回流。
14.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基片，在所述基片的表面由下至上依次疊置有陰極、有機(jī)薄膜層以及陽(yáng)極，所述有機(jī)薄膜層至少包括電子注入層，其特征在于，所述電子注入層采用權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的甲酸鋰金屬絡(luò)合物制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的厚度為I 10nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種甲酸鋰金屬絡(luò)合物及其制作方法、有機(jī)電致發(fā)光器件，所述甲酸鋰金屬絡(luò)合物為通式(1)的金屬絡(luò)合物，其中，X代表氧原子或硫原子，R代表氫或取代基。該甲酸鋰金屬絡(luò)合物不僅可以提高電子注入層的電子注入能力，而且可以有效地阻擋空穴擴(kuò)散到陰極，從而使有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度、電流密度以及高電流密度下的效率均可提高20～30％，這大大提高有機(jī)電致發(fā)光器件的綜合性能。
文檔編號(hào)C07F1/02GK102643296SQ201110320038
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者樸炯俊, 李娜, 肖田, 金馝奭 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司