族胺衍生物的有機EL元件不僅能夠 進行低電壓驅動，發(fā)光效率也高、壽命長。
[0070] 有機薄膜層、優(yōu)選空穴注入層或空穴傳輸層中含有的本發(fā)明的芳香族胺衍生物的 量相對于該有機薄膜層的全部成分，優(yōu)選為30~100摩爾％，更優(yōu)選為50~100摩爾％，進一步 優(yōu)選為80~100摩爾％，特別優(yōu)選實質上為100摩爾％。
[0071] 以下，作為優(yōu)選的方式，針對空穴傳輸層中含有本發(fā)明的前述芳香族胺衍生物的 構成的有機EL元件的各層進行說明。
[0072] 基板 有機EL元件通常在透光性基板上制作。該透光性基板是用于支撐有機EL元件的基板， 波長400~700nm的可見區(qū)域的光的透射率優(yōu)選為50%以上，進一步優(yōu)選使用平滑的基板。
[0073] 作為這樣的透光性基板，可列舉出例如玻璃板、合成樹脂板等。作為玻璃板，可列 舉出鈉鈣玻璃、含鋇?鍶的玻璃、鉛玻璃、硅酸鋁玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅鋇玻璃、石英等所成 形的板。另外，作為合成樹脂板，可列舉出聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚對苯二甲酸乙二 醇酯樹脂、聚醚硫化物樹脂、聚砜樹脂等的板。
[0074] 陽極 陽極起到將空穴注入至空穴傳輸層或發(fā)光層的作用，具有4eV以上(優(yōu)選為4. 5eV以 上）的功函數是有效的。作為陽極材料的具體例，可列舉出碳、鋁、釩、鐵、鈷、鎳、鎢、銀、金、 鉑、鈀等以及它們的合金、ΙΤ0基板、NESA基板中使用的氧化錫、氧化銦等金屬氧化物、聚噻 吩或聚吡咯等有機導電性樹脂。
[0075] 陽極通過將這些陽極材料用蒸鍍法、濺射法等方法形成薄膜來獲得。
[0076] 將發(fā)光層發(fā)出的光從陽極取出時，相對于陽極發(fā)光的透射率優(yōu)選大于10%。另外， 陽極的片狀電阻優(yōu)選為數百Ω/□以下。陽極的膜厚還因材料而異，通常為l〇nm~lym、優(yōu) 選為 10nm~200nm。
[0077] 陰極 作為陰極，可以使用將功函數小的（不足4eV)金屬、合金、導電性化合物以及它們的混 合物作為電極物質的陰極。作為這樣的電極物質的具體例，可以使用鎂、鈣、錫、鉛、鈦、釔、 鋰、舒、猛、錯、氟化鋰等以及它們的合金，對它們沒有特別限定。作為該合金，作為代表例可 列舉出鎂/銀、鎂/銦、鋰/鋁等，對它們沒有特別限定。合金的比率通過蒸鍍源的溫度、氣 氛、真空度等來控制，選擇適當的比率。陽極和陰極根據需要也可以通過兩層以上的層構成 來形成。
[0078] 該陰極可以通過將這些電極物質用蒸鍍、濺射等方法形成薄膜來獲得。
[0079] 此處，將發(fā)光層發(fā)出的光從陰極取出時，相對于陰極發(fā)光的透射率優(yōu)選大于10%。 另外，作為陰極的片狀電阻優(yōu)選為數百Ω/□以下，進而，陰極的膜厚通常為l〇nm~lμm、優(yōu) 選為 50nm~200nm。
[0080] 絕緣層 有機EL元件由于對超薄膜施加電場，因此容易因泄露、短路而產生像素缺損。為了防 止該情況，也可以在一對電極之間插入包含絕緣性薄膜層的絕緣層。
[0081] 作為絕緣層中使用的材料，可列舉出例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化 銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化媽、氟化媽、氮化鋁、氧化鈦、氧化娃、氧化鍺、氮化娃、氮化硼、氧化 鉬、氧化釕、氧化釩等。需要說明的是，可以使用它們的混合物、層疊物。
[0082] 發(fā)光層 有機EL元件的發(fā)光層兼具下述（1)~ (3)的功能。
[0083] (1)注入功能：在施加電場時能夠由陽極或空穴注入層注入空穴、能夠由陰極或電 子注入層注入電子的功能。
[0084] (2)傳輸功能：利用電場的力使所注入的電荷（電子和空穴）移動的功能。
[0085] (3)發(fā)光功能：提供電子與空穴再鍵合的場所，使其從而發(fā)光的功能。
[0086] 空穴向發(fā)光層中的注入容易度與電子的注入容易度可以不同，另外，用空穴迀移 率和電子迀移率表不的發(fā)光層的空穴傳輸能力和電子傳輸能力可以不同，優(yōu)選使其中一者 的電荷進行迀移。
[0087] 發(fā)光層中能夠使用的主體材料或摻雜物材料沒有特別限定。選自例如萘、菲、紅 熒烯、蒽、并四苯、芘、茈、窟、十環(huán)烯、暈苯、四苯基環(huán)戊二烯、五苯基環(huán)戊二烯、芴、螺芴、 9, 10-二苯基蒽、9, 10-雙(苯基乙炔基）蒽、1，4-雙（9'_乙炔基蒽基）苯等縮合縮聚芳 香族化合物以及它們的衍生物、三（8-喹啉基）鋁、雙-(2-甲基-8-喹啉基）-4-(苯基 phenolinato)錯（bis(2-methyl_8-quinolinolato)-4-(phenylphenolinato)aluminum) 等有機金屬絡合物、芳基胺衍生物、苯乙烯胺衍生物、芪衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生 物、噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吡嗪衍生物、肉桂酸 酯衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、叮啶酮衍生物、喹吖啶酮衍生物等。這些之中，優(yōu)選為芳 基胺衍生物、苯乙烯胺衍生，更優(yōu)選為苯乙烯胺衍生。
[0088] 空穴注入層/空穴傳輸層 空穴注入層/空穴傳輸層是有助于向發(fā)光層中注入空穴、將空穴傳輸至發(fā)光區(qū)域的 層，空穴迀移率大、電離能通常小至5. 7eV以下。作為這種空穴注入層/空穴傳輸層，優(yōu)選 為以更低的電場強度將空穴傳輸至發(fā)光層的材料，進一步優(yōu)選的是，空穴迀移率例如在施 加10 4~106V/cm的電場時為10 4cm2/V·秒以上。
[0089] 如上所述，本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選用作空穴注入層材料、尤其是空穴傳輸 層材料?？昭▊鬏攲涌梢杂帽景l(fā)明的芳香族胺衍生物單獨形成，也可以用其與其它材料的 混合物形成。作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合來形成空穴傳輸層的其它材料，只要是 具有前述優(yōu)選性質的材料就沒有特別限定，可以從一直以來在光傳導材料中作為空穴傳輸 材料而慣用的材料、有機EL元件的空穴傳輸層所使用的公知材料之中選擇任意材料并使 用。本發(fā)明中，將具有空穴傳輸能力、能夠用于空穴傳輸頻帶的材料稱為空穴傳輸材料。
[0090] 作為除了本發(fā)明的芳香族胺衍生物之外的空穴傳輸層用的其它材料的具體例，可 列舉出酞菁衍生物、萘菁衍生物、撲啉衍生物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、咪唑酮、咪唑硫酮、 吡唑啉、吡唑啉酮、四氫咪唑、噁唑、噁二唑、腙、酰腙、聚芳基烷烴、芪、丁二烯、聯苯胺型三 苯胺、苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等、前述化合物的衍生物、以及聚乙烯基咔唑、聚硅 烷、導電性高分子等高分子材料，對它們沒有特別限定。
[0091] 作為空穴注入層用的材料，只要具有前述優(yōu)選的性質就沒有特別限定，可以從一 直以來在光傳導材料中作為空穴注入材料而慣用的材料、有機EL元件的空穴傳輸層所使 用的公知材料之中選擇任意材料并使用。本發(fā)明中，將具有空穴注入能力、能夠用于空穴注 入頻帶的材料稱為空穴注入材料。通過向空穴注入材料中添加受電子物質，也能夠使其增 敏。
[0092] 本發(fā)明的有機EL元件中，作為空穴注入材料，優(yōu)選使用下述式(A)所示的六氮雜 三苯化合物。
[0093] [化學式 36]
上述式（A)中，Rm~R116分別獨立地表示氰基、-C0NH2、羧基或-C00R117 (Rm為碳原子數 1~20的烷基。），或者，R111與R112、R113與R114、或R115與R116成為一體地表示-C0-0-C0-所示 的基團。
[0094] 需要說明的是，Rm~R116優(yōu)選相同并表示氰基、_C0NH2、羧基或-C00R117。另外，R111 和R112、R113和R114、和R115和R116優(yōu)選全部成為一體地表示-C0-0-C0-所示的基團。
[0095] 作為本發(fā)明的有機EL元件中能夠使用的其它空穴注入材料，可列舉出例如芳香 族叔胺衍生物和酞菁衍生物。
[0096] 作為芳香族叔胺衍生物，例如為三苯胺、三甲苯胺、甲苯基二苯基胺、Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'- (3-甲基苯基)-1，Γ-聯苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν'- (4-甲基苯基)-1，Γ-苯 基-4, 4'-二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν' - (4-甲基苯基）-1，Γ-聯苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν'-二苯 基-Ν，Ν'-二萘基-1，Γ-聯苯基-4, 4'-二胺、Ν，Ν'-(甲基苯基）-Ν，Ν'-(4-正丁基苯 基）-菲-9, 10-二胺、Ν，Ν-雙（4-二-4-甲苯基氨基苯基）-4-苯基-環(huán)己烷等、或者具有 源自這些芳香族叔胺的結構單元的低聚物或聚合物，對它們沒有特別限定。
[0097] 作為酞菁（Pc)衍生物，例如為H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、 ClAlPc、CIGaPc、CllnPc、CISnPc、Cl2SiPc、（HO)AlPc、（HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、 GaPc-〇-GaPc等酞菁衍生物和萘菁衍生物，對它們沒有限定。另外，本發(fā)明的有機EL元件優(yōu) 選在發(fā)光層與陽極之間具備含有這些芳香族叔胺衍生物和/或酞菁衍生物的層、例如前述 空穴傳輸層或空穴注入層。
[0098] 通過向空穴注入材料中添加受電子物質，也能夠增敏。
[0099] 電子注入層/電子傳輸層 電子注入層/電子傳輸層是有助于向發(fā)光層中注入電子、將電子傳輸至發(fā)光區(qū)域的 層，電子迀移率大。附著改善層是包含與陰極的附著特別良好的材料的電子注入層。
[0100] 已知的是，所發(fā)出的光會因電極(此時為陰極）而反射，因此直接從陽極取出的發(fā) 光會與利用電極經由反射而從陽極取出的發(fā)光進行干涉。為了有效地利用該干渉效果，因 此電子傳輸層適當選擇數nm~數μm的膜厚，但膜厚特別厚時，為了避免電壓上升，優(yōu)選的 是，在施加l〇4~l〇6V/cm的電場時，電子迀移率至少為10 5cm2/Vs以上。
[0101] 作為電子注入層中使用的材料，具體而言，可列舉出芴酮、蒽醌二甲烷、聯苯醌、噻 喃二氧化物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、茈四甲酸、亞芴基甲烷、蒽醌二甲烷、蒽酮等以及它 們的衍生物，對它們沒有特別限定。另外，通過向電子注入材料添加供電子性物質，也可以 增敏。
[0102] 其它效果的電子注入材料為金屬絡合物化合物和含氮五元環(huán)衍生物。
[0103] 作為前述金屬絡合物化合物，可列舉出例如8-羥基喹啉鋰、三（8-羥基喹啉）鋁、 雙（2-甲基-8-喹啉基）（1-萘酚）鋁等，對它們沒有特別限定。
[0104] 作為前述含氮五元衍生物，例如優(yōu)選為噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、三唑衍生物。
[0105] 尤其是，本發(fā)明中，作為前述含氮五元衍生物，優(yōu)選為下述式（1)~ (3)中任一項所 示的苯并咪唑衍生物。
[0106] [化學式 37]
上述式（1) ~ (3 )中，Z1、Z2和Z3分別獨立地為氮原子或碳原子。
[0107] R11和R12分別獨立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數6~60的芳基、取代或未取代的 環(huán)碳原子數3~60的雜芳基、碳原子數1~20的烷基、碳原子數1~20的鹵代烷基或碳原子數 1~20的烷氧基。
[0108] m為0~5的整數，m為2以上的整數時，多個R11可以彼此相同也可