專利名稱：有機金屬配合物及使用其的光電器件、發(fā)光元件、發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過電流激發(fā)而能夠發(fā)光的物質(zhì)。還涉及使用該物質(zhì)的光電器件、發(fā)光元件、發(fā)光裝置。
背景技術：
使用有機化合物的發(fā)光元件為通過施加電場含有有機化合物的層(或有機化合物膜)發(fā)光的元件。發(fā)光元件的基本結構為，在一對電極間夾持著含有發(fā)光性有機化合物的層(發(fā)光層)。通過對該元件外加電壓，電子及空穴分別被從一對電極傳輸至發(fā)光層，產(chǎn)生電流。然后，通過這些載流子(電子及空穴)復合，發(fā)光性有機化合物形成激發(fā)態(tài)，當該激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時就會發(fā)光。
在這種發(fā)光元件中，通常有機化合物膜由小于1μm的薄膜形成。另外，這種發(fā)光元件為有機化合物膜自身發(fā)光的自發(fā)光型元件，因此不需要以往液晶顯示器中使用的背光。因此，這種發(fā)光元件的一大優(yōu)點是可制造得外形極薄重量極輕。另外，例如在100～200nm左右的有機化合物膜中，考慮到有機化合物膜的載流子遷移率，從注入載流子到復合的時間為數(shù)十納秒左右，即使包含從載流子的復合至發(fā)光的過程，發(fā)光也只有1μm左右或以下。因此，響應速度非常快也是特長之一。而且，這種發(fā)光元件由于是載流子注入型發(fā)光元件，因此可進行直流電壓下的驅動，難以產(chǎn)生噪聲。關于驅動電壓，首先是將有機化合物膜的厚度制成100nm左右的均勻的超薄膜，或選擇減小對有機化合物膜的載流子注入勢壘的電極材料，再導入異質(zhì)結結構(在此為雙層結構)，由此在5.5V下達到100cd/m2的充分亮度(例如，參照C.W.タン等1人，Applied Physics Letters，vol.51，No.12，913-915(1987))。
除了這樣的外形薄且重量輕、高速響應性、直流低電壓驅動等的元件特性，其發(fā)光顏色富于變化也可以說是使用有機化合物的發(fā)光元件的一大優(yōu)點。其主要原因是有機化合物本身的多樣性。即，利用分子設計(例如導入取代基)等可開發(fā)各種發(fā)光顏色的材料這一靈活性產(chǎn)生色彩的豐富性。發(fā)揮這種色彩的豐富性的發(fā)光元件的最大應用領域可以說是全色平板顯示器。這是因為存在很多可發(fā)出紅色、綠色、藍色的光的三原色光的有機化合物，通過將它們圖案化可容易地實現(xiàn)全色化。
如前所述的外形薄且重量輕、高速響應性、直流低電壓驅動這些元件特性也可以說是適用于平板顯示器的特性。近年來對進一步提高發(fā)光效率進行了嘗試，如使用磷光材料而不是熒光材料。在使用有機化合物的發(fā)光元件中，分子激子回到基態(tài)時發(fā)光，但其發(fā)光可以是來自激發(fā)單線態(tài)(S*)的發(fā)光(熒光)和來自激發(fā)三線態(tài)(T*)的發(fā)光(磷光)，使用熒光材料時僅有來自S*的發(fā)光(熒光)。
但是，一般認為發(fā)光元件中的S*與T*在統(tǒng)計學上的生成比率為S*∶T*＝1∶3(例如，參照筒井哲夫“應用物理學會有機分子·生物電子學分科學會·第三次講習會講義”，P.31(1993)。因此，根據(jù)S*∶T*＝1∶3，使用熒光材料的發(fā)光元件中的內(nèi)量子效率(相對于注入的載流子產(chǎn)生的光子的比例)的理論限度為25％。換句話說，在使用熒光材料的發(fā)光元件的情況下，注入的載流子中至少有75％被白白浪費。
相反，一般認為來自T*的發(fā)光、即如果可利用磷光則會提高發(fā)光效率(簡單地為3～4倍)，但一般有機化合物在室溫下，無法觀測到來自T*的發(fā)光(磷光)，通常僅可觀測到來自S*的發(fā)光(熒光)。這是因為有機化合物的基態(tài)通常為單線基態(tài)(S0)，因此T*→S0躍遷為禁戒躍遷，S*→S0躍遷為容許躍遷。但是，近年來相繼發(fā)表了可將從T*回到基態(tài)時放出的能量(下面稱為“三線激發(fā)能量”)轉換為發(fā)光的發(fā)光元件，其發(fā)光效率之高引人注目(例如，參照テッオッッイ等8人，Japanese Journal of Applied Physics，vol.38，L1502-L1504(1999))。
在該文獻中，可以說技術特征在于，使用以銥為中心金屬的金屬配合物(下面稱作“銥配合物”)作為發(fā)光物質(zhì)，將第三過渡系列元素作為中心金屬來導入。它們是在室溫下可將激發(fā)三線態(tài)轉換為發(fā)光的材料(可發(fā)磷光的物質(zhì))。如該文獻所示，使用可發(fā)磷光的物質(zhì)的發(fā)光元件，可實現(xiàn)比以往更高的內(nèi)量子效率。而且，內(nèi)量子效率越高，發(fā)光效率([1m/W])也越高。
但是，該文獻中公開的Ir配合物僅公開了呈現(xiàn)綠色發(fā)光的物質(zhì)。因此，現(xiàn)在希望開發(fā)可發(fā)各種顏色的磷光的物質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的課題在于提供可發(fā)磷光的物質(zhì)。本發(fā)明的課題還在于提供色純度良好的發(fā)光元件。本發(fā)明的課題還在于提供使用上述發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
本發(fā)明提供含有以下述通式(1)表示的結構的有機金屬配合物。
作為含有以通式(1)表示的結構的有機金屬配合物，可列舉出以下述通式(2)表示的有機金屬配合物。
式中，L表示具有β-二酮結構的單陰離子性配體、具有羧基的單陰離子性二齒螯合物配體、或具有酚羥基的單陰離子性的二齒螯合物配體中的任一種。
上述結構中，上述L優(yōu)選以結構式(3)～(9)中任一項表示的配體。
作為含有以通式(1)表示的結構的有機金屬配合物，可列舉出以下述結構式(10)表示的有機金屬配合物。
本發(fā)明之一為光電器件，其特征在于，含有以上述通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的有機金屬配合物。
本發(fā)明之一為發(fā)光元件，其特征在于，在一對電極間，具有含有以上述通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的有機金屬配合物的層。
本發(fā)明之一為發(fā)光元件，其特征在于，使用以上述通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的有機金屬配合物作為發(fā)光物質(zhì)。
本發(fā)明之一為發(fā)光元件，其特征在于，使用以上述通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的有機金屬配合物作為熒光性化合物的敏化劑。
本發(fā)明之一為發(fā)光裝置，其特征在于，配置有多個上述發(fā)光元件。
本發(fā)明之一為發(fā)光裝置，其特征在于，使用上述發(fā)光元件作為像素。
本發(fā)明之一為電子設備，其特征在于，將上述發(fā)光裝置用于顯示部。
根據(jù)本發(fā)明，可得到可發(fā)磷光的有機金屬配合物。另外，根據(jù)本發(fā)明可得到能用作發(fā)光物質(zhì)或敏化劑的有機金屬配合物。
通過將本發(fā)明的有機金屬配合物用作發(fā)光物質(zhì)，可得到可呈現(xiàn)色純度良好的紅色系發(fā)光的發(fā)光元件。通過將本發(fā)明的有機金屬配合物用作敏化劑，可得到可高效發(fā)光的發(fā)光元件。另外，由于本發(fā)明的有機金屬配合物具有作為吸電基團的三氟甲基，可制備復合效率高的發(fā)光元件。
圖1為說明本發(fā)明的發(fā)光元件的圖。
圖2為說明本發(fā)明的發(fā)光元件的圖。
圖3為說明本發(fā)明的發(fā)光元件的圖。
圖4為說明本發(fā)明的發(fā)光元件的圖。
圖5為說明應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的圖。
圖6為說明應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置所含電路的圖。
圖7為應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的俯視圖。
圖8為說明應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的幀工作的圖。
圖9A～9C為應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的剖面圖。
圖10A～10C為應用了本發(fā)明的電子設備的圖。
圖11為表示本發(fā)明的有機金屬配合物的吸收光譜及發(fā)光光譜的圖。
圖12為表示本發(fā)明的化合物的圖譜的圖。
圖13為表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電流密度-亮度特性的圖。
圖14為表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電壓-亮度特性的圖。
圖15為表示本發(fā)明的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性的圖。
圖16為表示本發(fā)明的發(fā)光元件的電流密度-亮度特性的圖。
具體實施例方式
下面結合附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。但本發(fā)明并不限于以下說明，只要不超出本發(fā)明的主旨及其范圍，其方式及內(nèi)容就可進行各種變更，這點本領域技術人員容易理解。因此，并不能解釋為本發(fā)明限于以下所示的實施方式的所述內(nèi)容。
應說明的是，本發(fā)明中，發(fā)光元件的一對電極中，為了獲得發(fā)光對其中一方的電極施加高電壓時，將電壓高的電極稱作起陽極作用的電極，將另一方的的電極稱作起陰極作用的電極。
(實施方式1)本實施方式中，對于本發(fā)明的有機金屬配合物進行說明。
本發(fā)明的有機金屬配合物為含有以下述通式(1)表示的結構的有機金屬配合物。
作為含有以通式(1)表示的結構的有機金屬配合物，可列舉出以下述通式(2)表示的有機金屬配合物。
式中，L表示具有β-二酮結構的單陰離子性配體、具有羧基的單陰離子性二齒螯合物配體、或具有酚羥基的單陰離子性的二齒螯合物配體中的任一種。
上述結構中，上述L優(yōu)選以結構式(3)～(9)中任一項表示的配體。
作為含有以通式(1)表示的結構的有機金屬配合物，可列舉出以下述結構式(10)表示的有機金屬配合物。
更具體的說，作為含有以通式(1)、(2)、(10)表示的結構的有機金屬配合物，可列舉出以下述通式(11)～(18)表示的有機金屬配合物。
在以結構式(13)～(17)表示的有機金屬配合物中，可存在幾何異構體和立體異構體，本發(fā)明的有機金屬配合物中也包括這些異構體。
另外，以結構式(18)表示的有機金屬配合物存在面式異構體(facial體)和經(jīng)式異構體(meridional體)兩種幾何異構體。本發(fā)明的有機金屬配合物中也包括這些異構體。
上述本發(fā)明的有機金屬配合物可發(fā)出磷光。本發(fā)明的有機金屬配合物還可作為發(fā)光材料應用于發(fā)光元件。本發(fā)明的有機金屬配合物也可作為光敏化劑應用于發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機金屬配合物對于三線MLCT躍遷的吸收大，在整個可見光區(qū)域具有比較強的吸收。為此，將本發(fā)明的有機金屬配合物用作色素敏化太陽能電池的色素等利用可見光的吸收的器件中，可得到轉化效率高的器件。
另外，本發(fā)明的有機金屬配合物的三線MLCT(金屬到配體電荷轉移)吸收峰與發(fā)光光譜峰之差、即斯托克斯位移小。由此揭示了激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定?？傊?，本發(fā)明的有機金屬配合物的三線MLCT激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定，因此為適用于色素敏化太陽能電池或發(fā)光元件等光電器件的材料。應說明的是，色素敏化太陽能電池是指使用氧化物半導體與色素來代替p-n連接來發(fā)電的太陽能電池。
另外，本發(fā)明的有機金屬配合物的發(fā)光光譜的半峰寬比較窄，顯示銳峰。總之，本發(fā)明的有機金屬配合物提供色純度良好的發(fā)光。
如上所述，本發(fā)明的有機金屬配合物并不限于發(fā)光元件，可用于色素敏化太陽能電池等各種光電器件中。
(實施方式2)本發(fā)明的有機金屬配合物可通過使配體鄰位金屬化(オルトメタル化)反應來獲得。例如，可通過使以下述結構式(19)表示的配體進行鄰位金屬化反應，來獲得具有以下述結構式(19)表示的配體的有機金屬配合物。在本方式中，對于使用以該結構式(19)表示的配體來合成以上述通式(2)表示的有機金屬配合物的方法進行說明。
應說明的是，以上述結構式(19)表示的配體例如可按照下述合成流程(A-1)來合成。
使用這樣得到的結構式(19)的配體，合成本發(fā)明的有機金屬配合物。此時的反應(鄰位金屬化反應)可使用如下所示的合成方法。
本發(fā)明的有機金屬配合物使用銥作為中心金屬。為此，合成本發(fā)明的有機金屬配合物時，將氯化銥的水合物作為中心金屬原料與上述結構式(19)的配體混合，在氮氣氛下回流，由此首先合成氯交聯(lián)的復核配合物(下述合成流程(A-2))。然后，混合得到的上述復核配合物和配體L，在氮氣氛下回流，由此以配體L切斷氯交聯(lián)，得到以通式(2)表示的本發(fā)明的有機金屬配合物(下述合成流程(A-3))。在此，對于配體L無特別限定，優(yōu)選以結構式(3)～(9)中任一個表示的配體。
另外，對于以通式(2)表示的有機金屬配合物，通過進一步使配位在銥上的單陰離子性配體L被以結構式(19)表示的配體取代，也可得到以結構式(10)表示的本發(fā)明的有機金屬配合物。
應說明的是，本發(fā)明中使用的有機金屬配合物的合成方法并不限于上述所示合成方法。
(實施方式3)使用圖1來說明將本發(fā)明的有機金屬配合物用作發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件的方式。
圖1中示出了在第1電極151與第2電極152之間具有發(fā)光層163的發(fā)光元件。在發(fā)光層163中含有本發(fā)明的有機金屬配合物，所述有機金屬配合物含有以通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的結構。
在這種發(fā)光元件中，由第1電極151一側注入的空穴、和由第2電極152一側注入的電子，在發(fā)光層163復合，使有機金屬配合物處于激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的本發(fā)明有機金屬配合物返回基態(tài)時便發(fā)光。由此，本發(fā)明的有機金屬配合物作為發(fā)光物質(zhì)起作用。應說明的是，在本發(fā)明的發(fā)光元件中，第1電極151起到陽極的作用，第2電極152起到陰極的作用。
在此，發(fā)光層163優(yōu)選為，在含有具有比本發(fā)明的有機金屬配合物所具有的能隙更大能隙的物質(zhì)的層中，分散并含有本發(fā)明的有機金屬配合物的層。由此，來自本發(fā)明的有機金屬配合物的發(fā)光可防止?jié)舛纫鸬南?。應說明的是，能隙是指LUMO能級與HOMO能級之間的能隙。
對于為了使本發(fā)明的有機金屬配合物處于分散狀態(tài)而使用的物質(zhì)無特別限定，優(yōu)選2，3-雙(4-二苯氨基苯基)喹喔啉(簡稱TPAQn)、4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱α-NPD)之類的具有芳基胺骨架的化合物；4，4’-雙(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱CBP)、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(簡稱TCTA)等咔唑衍生物；雙[2-(2-羥苯基)吡咯合(ピリジナト)]鋅(簡稱Znpp2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑合(オキサゾラト)]鋅(簡稱ZnBOX)、三(8-羥基喹啉合(キノリノラト))鋁(簡稱Alq3)等金屬配合物等。
應說明的是，本發(fā)明的有機金屬配合物由于具有作為吸電子取代基的三氟甲基，故可得到色純度及量子效率良好的發(fā)光元件。另外，可得到復合效率高的發(fā)光元件。
另外，對于第1電極151并無特別限定，如本方式那樣起陽極作用時，優(yōu)選由功函數(shù)大的物質(zhì)形成。具體地說，除可使用銦錫氧化物(ITO)、或含有氧化硅的銦錫氧化物、含有2～20wt％的氧化鋅的氧化銦之外，還可以使用金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)等。應說明的是，第1電極151例如可使用濺射法或蒸鍍法等來形成。
對于第2電極152并無特別限定，如本方式那樣起陰極作用時，優(yōu)選由功函數(shù)小的物質(zhì)形成。具體可使用含有鋰(Li)或鎂等堿金屬或堿土金屬的鋁等。應說明的是，第2電極152例如可使用濺射法或蒸鍍法等來形成。
應說明的是，為了將發(fā)光的光提取至外部，優(yōu)選第1電極151與第2電極中任一方或雙方為含有銦錫氧化物等可透過可見光的導電膜的電極、或為以數(shù)～數(shù)十nm的厚度形成的電極以使能夠透過可見光。
在第1電極151和發(fā)光層163之間，如圖1所示，也可以具有空穴傳輸層162。在此，空穴傳輸層是指具有向發(fā)光層163傳輸由第1電極151注入的空穴的功能的層。由此，通過設置空穴傳輸層162，隔開第1電極151和發(fā)光層163，可以防止由于金屬引起的發(fā)光的消光。
應說明的是，對于空穴傳輸層162，無特別限定，可使用由下述化合物等形成的4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(簡稱α-NPD)、4，4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(簡稱TPD)、4，4’，4”-三[N，N-二苯基-氨基]-三苯胺(簡稱TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(簡稱MTDATA)等芳香胺類(即，具有苯環(huán)-氮鍵)的化合物。
空穴傳輸層162也可是組合兩層以上含有上述物質(zhì)的層來形成的多層結構的層。
在第2電極152和發(fā)光層163之間，如圖1所示，也可以具有電子傳輸層164。在此，電子傳輸層是指具有向發(fā)光層163傳輸由第2電極152注入的電子的功能的層。由此，通過設置電子傳輸層164，隔開第2電極152和發(fā)光層163，由此可以防止由于金屬引起的發(fā)光的消光。
應說明的是，對于電子傳輸層164，無特別限定，可使用由下述化合物等形成的三(8-羥基喹啉合)鋁(簡稱Alq3)、三(5-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(簡稱Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉酸)鈹(簡稱BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)-4-苯基苯酚鋁(簡稱BAlq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉的金屬配合物等。此外，也可以由雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噁唑合]鋅(簡稱Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑合(チアゾラト)]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等具有噁唑類、噻唑類配體的金屬配合物等形成。還可以使用下述化合物來形成2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡稱PBD)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡稱TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡稱p-EtTAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)等。
電子傳輸層164也可是組合兩層以上含有上述物質(zhì)的層來形成的多層結構的層。
在第1電極151和空穴傳輸層162之間，如圖1所示，也可以具有空穴注入層161。在此，空穴注入層是指具有輔助由起陽極作用的電極向空穴傳輸層162注入空穴的功能的層。應說明的是，沒有特別設置空穴傳輸層時，也可以在起陽極作用的電極和發(fā)光層之間設置空穴注入層，輔助向發(fā)光層注入空穴。
對于空穴注入層161，無特別限定，可使用由下述金屬氧化物形成的鉬氧化物(MoOx)、釩氧化物(VOx)、釕氧化物(RuOx)、鎢氧化物(WOx)、錳氧化物(MnOx)等。此外，也可以由酞菁(簡稱H2Pc)、銅酞菁(簡稱CuPC)等酞菁類化合物，或聚(亞乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)等高分子等形成空穴注入層161。
另外，對于空穴注入層及空穴傳輸層，也可以使用復合有機化合物和無機化合物而成的復合材料。特別是含有有機化合物、和對有機化合物顯示電子接收性的無機化合物的復合材料，在有機化合物和無機化合物之間收授電子，產(chǎn)生空穴，因此空穴注入性、空穴傳輸性優(yōu)良。此時，作為有機化合物，優(yōu)選產(chǎn)生的空穴傳輸優(yōu)良的材料。具體優(yōu)選上述芳香胺類有機化合物。作為無機化合物，只要是對有機化合物顯示電子接收性的物質(zhì)即可，具體優(yōu)選過渡金屬的氧化物。例如，可使用鈦氧化物(TiOx)、釩氧化物(VOx)、鉬氧化物(MoOx)、鎢氧化物(WOx)、錸氧化物(ReOx)、釕氧化物(RuOx)、鉻氧化物(CrOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鉭氧化物(TaOx)、銀氧化物(AgOx)、錳氧化物(MnOx)等金屬氧化物。
在第2電極152和電子傳輸層164之間，如圖1所示，也可以具有電子注入層165。在此，電子注入層是指具有輔助由起陰極作用的電極向電子傳輸層164注入電子的功能的層。應說明的是，沒有特別設置電子傳輸層時，也可以在起陰極作用的電極和發(fā)光層之間設置電子注入層，輔助向發(fā)光層注入電子。
對于電子注入層165，無特別限定，可使用由下述化合物形成的氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等堿金屬或堿土金屬的化合物。此外，也可以使用混合Alq3或4，4-雙(5-甲基苯并噁二唑-2-基)茋(BzOs)等電子傳輸性高的物質(zhì)、和鎂或鋰等堿金屬或堿土金屬而成的物質(zhì)作為電子注入層165。
另外，對于電子注入層及電子傳輸層，也可以使用復合有機化合物和無機化合物而成的復合材料。特別是含有有機化合物、和對有機化合物顯示電子給予性的無機化合物的復合材料，在有機化合物和無機化合物之間收授電子，產(chǎn)生電子，因此電子注入性、電子傳輸性優(yōu)良。此時，作為有機化合物，優(yōu)選產(chǎn)生的電子的傳輸優(yōu)良的材料。具體優(yōu)選所述的可用于電子傳輸層的材料。作為無機化合物，只要是對有機化合物顯示電子給予性的物質(zhì)即可，具體優(yōu)選堿金屬氧化物或堿土氧化物。例如，可使用鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。
對于上述本發(fā)明的發(fā)光元件，空穴注入層161、空穴傳輸層162、發(fā)光層163、電子傳輸層164、電子注入層165也可以分別利用蒸鍍法、或噴墨法、或涂布法等任一方法形成。對于第1電極151或第2電極152也可使用濺射法或蒸鍍法等任一方法形成。
上述本發(fā)明的發(fā)光元件由于使用了本發(fā)明的有機金屬配合物，可呈現(xiàn)色純度良好的紅色發(fā)光。另外，本發(fā)明的發(fā)光元件由于可發(fā)磷光，故發(fā)光效率良好。含有在含有喹喔啉衍生物的層中分散本發(fā)明的有機金屬配合物的層的發(fā)光元件，可特別高效地發(fā)光。
(實施方式4)本發(fā)明的發(fā)光元件也可以具有多個發(fā)光層。通過設置多個發(fā)光層，混合來自各發(fā)光層的發(fā)光，例如可得到白色光的光。在本方式中，通過圖2、3來對具有多個發(fā)光層的發(fā)光元件的方式進行說明。
在圖2中，在第1電極751和第2電極752之間，具有第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765。優(yōu)選在第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765之間，具有間隔層764。
外加電壓以使第2電極752的電位高于第1電極751時，第1電極751和第2電極752之間流通電流，在第1發(fā)光層763或第2發(fā)光層765或間隔層764中，空穴和電子復合。產(chǎn)生的激發(fā)能通過間隔層764向第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765雙方傳輸，使第1發(fā)光層763中含有的第1發(fā)光物質(zhì)和第2發(fā)光層765中含有的第2發(fā)光物質(zhì)處于激發(fā)態(tài)。然后，處于激發(fā)態(tài)的第1發(fā)光物質(zhì)和第2發(fā)光物質(zhì)分別回到基態(tài)時引起發(fā)光。
第1發(fā)光層763中，含有以如下熒光物質(zhì)、磷光物質(zhì)為代表的發(fā)光物質(zhì)，可獲得在450～510nm具有發(fā)光光譜的峰的發(fā)光，所述熒光物質(zhì)有苝、2，5，8，11-四叔丁基苝(TBP)、4，4’-雙[2-二苯基乙烯基]聯(lián)苯(DPVBi)、4，4’-雙[2-(N-乙基咔唑-3-基)乙烯基]聯(lián)苯(BCzVBi)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)-4-苯基苯酚鋁(BAlq)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)-氯化鎵(Gamq2Cl)等，所述磷光物質(zhì)有雙[2-(3，5-雙(三氟甲基)苯基)吡啶合-N，C2’]甲基吡啶合(ピコリナ一ト)銥(III)(Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4，6-二氟苯基)吡啶合-N，C2’]乙酰丙酮合銥(III)(FIr(acac))、雙[2-(4，6-二氟苯基)吡啶合-N，C2’]甲基吡啶合銥(III)(FIr(pic))等。在第2發(fā)光層765中，含有起發(fā)光物質(zhì)作用的本發(fā)明的有機金屬配合物，由第2發(fā)光層765可得到580～680nm具有發(fā)光光譜的峰的發(fā)光。然后，來自第1發(fā)光層763的發(fā)光的發(fā)光色和來自第2發(fā)光層765的發(fā)光的發(fā)光色，通過第1電極751和第2電極752中任一方或雙方射出至外部。射出至外部的各發(fā)光，在視覺上發(fā)生混合，顯示為白色光。
第1發(fā)光層763優(yōu)選，在含有具有比可呈現(xiàn)450～510nm的發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)的能隙更大能隙的物質(zhì)(第1基體(ホスト))的層中以分散狀態(tài)含有所述發(fā)光物質(zhì)，或為含有可呈現(xiàn)450～510nm的發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)的層。作為第1基體，可使用上述α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2、ZnBOX、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱DNA)、9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(簡稱t-BuDNA)等。第2發(fā)光層765優(yōu)選為，在含有具有比本發(fā)明的有機金屬配合物的能隙更大能隙的物質(zhì)(第2基體)的層中，以分散狀態(tài)含有本發(fā)明的有機金屬配合物的層。作為第2基體，可使用TPAQn、α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2、ZnBOX、Alq3等。另外，優(yōu)選形成間隔層764以使具有如下功能，即，使在第1發(fā)光層763或第2發(fā)光層765或間隔層764中產(chǎn)生的能量可向第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765雙方傳輸，且能量不僅僅向第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765中任一方傳輸。具體可使用TPAQn、α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2、ZnBOX等來形成間隔層764。由此，通過設置間隔層764，可防止僅僅第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765任一方的發(fā)光強度變強而無法得到白色發(fā)光這一不利情況。
應說明的是，第1發(fā)光層763和第2發(fā)光層765中任一層中含有何種發(fā)光物質(zhì)并無特殊限定，在任一發(fā)光層中均可使用本發(fā)明的有機金屬配合物。
在本方式中，記載了如圖2那樣設置兩層發(fā)光層的發(fā)光元件，但發(fā)光層的層數(shù)并不限于兩層，例如也可以為三層。只要是組合來自各個發(fā)光層的發(fā)光，在視覺上為白色即可。
也可在第1發(fā)光層763和第1電極751之間，如圖2那樣設置電子傳輸層762。除了電子傳輸層762，也可在電子傳輸層762和第1電極751之間設置電子注入層761。也可在第2發(fā)光層765和第2電極752之間，如圖2那樣設置空穴傳輸層766。也可在空穴傳輸層766和第2電極752之間設置空穴注入層767。
發(fā)光元件除用圖2來說明的發(fā)光元件之外，也可以為如圖3所示的發(fā)光元件。
圖3的發(fā)光元件，在第1電極771和第2電極772之間具有第1發(fā)光層783和第2發(fā)光層788。在第1發(fā)光層783和第2發(fā)光層788之間具有第1層785和第2層786。
第1層785為產(chǎn)生空穴的層，第2層786為產(chǎn)生電子的層。外加電壓使第2電極772的電位高于第1電極771的電位時，由第1電極771一側注入的電子、與由第1層785注入的空穴，在第1發(fā)光層783復合，第1發(fā)光層783含有的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。進而，由第2電極一側注入的空穴與由第2層786注入的電子，在第2發(fā)光層788復合，第2發(fā)光層788含有的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。
第1發(fā)光層783中，含有起發(fā)光物質(zhì)作用的本發(fā)明的有機金屬配合物，自第1發(fā)光層783可得到580～680nm具有發(fā)光光譜的峰的發(fā)光。第2發(fā)光層788中，含有以苝、TBP、DPVBi、BCzVBi、BAlq、Gamq2Cl等熒光物質(zhì)；或Ir(CF3ppy)2(pic)、FIr(acac)、FIr(pic)等磷光物質(zhì)為代表的發(fā)光物質(zhì)，可得到在450～510nm具有發(fā)光光譜的峰的發(fā)光。；來自第1發(fā)光層783的發(fā)光和來自第2發(fā)光層788的發(fā)光，由第1電極771或第2電極772任一方、或雙方射出。然后，來自兩發(fā)光層的發(fā)光在視覺上發(fā)生混合，呈現(xiàn)出白色光。
第1發(fā)光層783中，優(yōu)選含有在實施方式4的第2基體中分散并含有本發(fā)明的有機金屬配合物。對于第2發(fā)光層788，也優(yōu)選與實施方式4的第1發(fā)光層763同樣地形成。
第1層785優(yōu)選為如下的層，該層為在空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)中，含有對該物質(zhì)顯示電子接收性的物質(zhì)。作為空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，可使用與形成空穴傳輸層時使用的物質(zhì)相同的物質(zhì)。作為對空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子接收性的物質(zhì)，可使用鉬氧化物、釩氧化物、7，7，8，8-四氰代二甲基苯醌(簡稱TCNQ)、2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰代二甲基苯醌(簡稱F4-TCNQ)等。
第2層786優(yōu)選為如下的層，該層為在電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)中，含有對該物質(zhì)顯示電子給予性的物質(zhì)的層。作為電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)，可使用與形成電子傳輸層時使用的物質(zhì)相同的物質(zhì)。作為對電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)顯示電子給予性的物質(zhì)，可使用鋰、銫等堿金屬，鎂、鈣等堿土金屬，餌、鐿等稀土類金屬等。
在第1發(fā)光層783和第1電極771之間，如圖3所示，也可設置電子傳輸層782。在電子傳輸層782和第1電極771之間，也可設置電子注入層781。在第1發(fā)光層783和第1層785之間，也可設置空穴傳輸層784。在第2發(fā)光層788和第2電極772之間，也可設置空穴傳輸層789。在空穴傳輸層789和第2電極772之間，也可設置空穴注入層790。在第2發(fā)光層788和第2層786之間，也可設置電子傳輸層787。
在本方式中，記載了如圖3那樣設置兩層發(fā)光層的發(fā)光元件，但發(fā)光層的層數(shù)并不限于兩層，例如也可以為三層。只要是組合來自各個發(fā)光層的發(fā)光，在視覺上為白色即可。
(實施方式5)下面使用圖4對使用本發(fā)明的有機金屬配合物作為敏化劑的發(fā)光元件的方式進行說明。
圖4中示出了在第1電極181和第2電極182之間具有發(fā)光層193的發(fā)光元件。發(fā)光層193中，含有本發(fā)明的有機金屬配合物、和呈現(xiàn)出比本發(fā)明有機金屬配合物波長長的發(fā)光的熒光性化合物，其中所述有機金屬配合物含有通式(1)、(2)、結構式(10)中任一個表示的結構。在此，熒光性化合物是指由激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時發(fā)出熒光的物質(zhì)。
在這種發(fā)光元件中，由第1電極181一側注入的空穴、和由第2電極182一側注入的電子，在發(fā)光層193復合，使熒光性化合物處于激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的熒光性化合物在返回基態(tài)時發(fā)光。本發(fā)明的有機金屬配合物對熒光性化合物起到敏化劑的作用，使熒光性化合物的單線激發(fā)態(tài)的值增幅。由此，通過使用本發(fā)明的有機金屬配合物作為敏化劑可以得到發(fā)光效率良好的發(fā)光元件。在本方式的發(fā)光元件中，第1電極181起陽極作用，第2電極182起陰極作用。
在此，發(fā)光層193優(yōu)選為，在含有具有比本發(fā)明的有機金屬配合物所具有的能隙更大能隙的物質(zhì)的層中，分散并含有本發(fā)明的有機金屬配合物和熒光性化合物的層。由此，可防止本發(fā)明的有機金屬配合物的激子因濃度而失活。應說明的是，能隙是指LUMO能級與HOMO能級之間的能隙。
在此，對于熒光性化合物無特別限定，優(yōu)選鎂酞菁、酞菁等呈現(xiàn)紅色～紅外發(fā)光的化合物。
對于用于使本發(fā)明的有機金屬配合物和熒光性化合物處于分散狀態(tài)而使用的物質(zhì)，無特別限定，可使用實施方式3中記載的用于本發(fā)明的有機金屬配合物處于分散狀態(tài)而使用的物質(zhì)等。
對于第1電極和第2電極也無特別限定，可使用與實施方式3記載的第1電極151、第2電極152相同的。
在第1電極181和發(fā)光層193之間，如表4所示，可設置空穴注入層191、空穴傳輸層192等。第2電極182和發(fā)光層193之間，也可設置電子傳輸層194、電子注入層195等。
空穴注入層191、空穴傳輸層192、電子傳輸層194、電子注入層195，可使用與實施方式3中記載的空穴注入層161、空穴傳輸層162、電子傳輸層164、電子注入層165相同的。也可設置具有與空穴注入層191、空穴傳輸層192、電子傳輸層194、電子注入層195不同功能的其他功能層等。
上述發(fā)光元件，可通過將本發(fā)明的有機金屬配合物用作敏化劑來得到。
(實施方式6)含有本發(fā)明的有機金屬配合物的本發(fā)明的發(fā)光元件，由于呈現(xiàn)良好的發(fā)光色，因此通過將本發(fā)明的發(fā)光元件用作像素，可得到具有放映出色彩良好的圖像功能的發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光元件可高效地發(fā)光，因此通過將本發(fā)明的發(fā)光元件用于像素等，可得到耗電低的發(fā)光裝置。
在本方式中，使用圖5～8對具有顯示功能的發(fā)光裝置的電路結構及驅動方法進行說明。
圖5為應用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的俯視模式圖。圖5中，基板6500上設置有像素部6511、源信號線驅動電路6512、寫入用柵信號線驅動電路6513、和消去用柵信號線驅動電路6514。源信號線驅動電路6512、寫入用柵信號線驅動電路6513、和消去用柵信號線驅動電路6514分別通過布線組與外部輸入端子FPC(撓性印刷電路)6503相連。源信號線驅動電路6512、寫入用柵信號線驅動電路6513、和消去用柵信號線驅動電路6514分別由FPC6503接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、復位信號等。在FPC6503上安裝有印刷布線基板(PWB)6504。應說明的是，驅動電路部未必一定如上述那樣和像素部6511設置在同一基板上，例如，也可利用在形成了布線圖案的FPC上裝有IC芯片的(TCP)等，設置在基板外部。
像素部6651中，在行方向上并列排列著沿列方向延伸的多個源信號線。在行方向上并列排列著電流給予線。像素部6651中，在列方向上并列排列著沿行方向延伸的多個柵信號線。在像素部6511中，排列著多個包括發(fā)光元件的一組電路。
圖6為表示用于一個像素工作的電路圖。圖6所示的電路中包含第1晶體管901、第2晶體管902和發(fā)光元件903。
第1晶體管901和第2晶體管902分別為包含柵電極、漏極區(qū)和源極區(qū)的三端子的元件，在漏極區(qū)和源極區(qū)間具有溝道區(qū)。在此，源極區(qū)和漏極區(qū)根據(jù)晶體管的結構和工作條件等變化，因此難于限定任何一方是源極區(qū)或是漏極區(qū)。于是，在本方式中，將連接起源極或漏極作用的區(qū)域的電極，分別稱為第1電極、第2電極。
設置柵信號線911和寫入用柵信號線驅動電路913，以使其通過開關918處于電連接或不連接狀態(tài)。設置柵信號線911和消去用柵信號線驅動電路914，以使其通過開關919處于電連接或不連接狀態(tài)。設置源信號線912，以使其通過開關920與源信號線驅動電路915或電源916的任何一方電連接。第1晶體管901的柵電極與柵信號線911電連接。第1晶體管的第1電極與源信號線912電連接，第2電極與第2晶體管902的柵極電連接。第2晶體管902的第1電極與電流給予線917電連接，第2電極與發(fā)光元件903所含的一個電極電連接。開關918也可以包含在寫入用柵信號線驅動電路913中。開關919也可以包含在消去用柵信號線驅動電路914中。開關920也可以包含在源信號線驅動電路915中。
對于像素部中的晶體管或發(fā)光元件等的配置無特別限定，例如可如圖7的俯視圖那樣配置。圖7中，第1晶體管1001的第1電極與源信號線1004連接，第2電極與第2晶體管1002的柵電極連接。第2晶體管的第1電極與電流給予線1005連接，第2電極與發(fā)光元件的電極1006連接。柵信號線1003的一部分起到第1晶體管1001的柵電極的作用。
下面對驅動方法進行說明。圖8為幀工作的經(jīng)時變化的說明圖。圖8中，橫向表示經(jīng)過的時間，縱向表示柵信號線的掃描次數(shù)。
使用本發(fā)明的發(fā)光裝置進行圖像顯示時，在顯示期間，重復畫面的重寫工作和顯示工作。對于該重寫次數(shù)無特別限定，優(yōu)選每秒60次左右，以使觀看圖像的人不感到閃爍(閃變)。在此，進行一畫面(1幀)的重寫工作和顯示工作的期間被稱作1幀期間。
如圖8所示，1幀分時為包括寫入期間501a、502a、503a、504a和保持期間501b、502b、503b、504b的4個副幀501、502、503、504。把給予用于發(fā)光的信號的發(fā)光元件在保持期間變?yōu)榘l(fā)光狀態(tài)。各副幀的保持期間的長度比為第1副幀501∶第2副幀502∶第3副幀503∶第4副幀504＝23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。由此，可表現(xiàn)4位灰度。但是，位數(shù)和灰度數(shù)并不限于此，例如也可設置8個副幀來表現(xiàn)8位灰度。
下面對1幀中的工作進行說明。首先，在副幀501中，依次從第一行至最后一行進行寫入工作。因此，行不同，寫入期間的開始時間不同。由結束了寫入期間501a的行按順序進入保持期間501b。在該保持期間，給予用于發(fā)光的信號的發(fā)光元件處于發(fā)光狀態(tài)。另外，由結束了保持期間501b的行按順序進入下一副幀502，與副幀501時同樣地依次由第一行至最后一行進行寫入工作。重復以上工作，直到副幀504的保持期間504b結束。結束副幀504的工作后移向下一幀。由此，各副幀中發(fā)光的時間的累計時間為1幀中各發(fā)光元件的發(fā)光時間。在每個發(fā)光元件中改變此發(fā)光時間，在像素內(nèi)進行各種組合，由此可形成亮度和色度不同的各種顯示色。
如副幀504那樣，在直至最后一行的寫入結束前，已經(jīng)結束寫入，希望強制性終止進入保持期間的行的保持期間時，優(yōu)選在保持期間504b之后設置消去期間，從而強制性控制為不發(fā)光狀態(tài)。被強制性調(diào)整為不發(fā)光狀態(tài)的行在一定期間內(nèi)保持不發(fā)光狀態(tài)(將該期間稱為不發(fā)光期間504d)。然后，最后一行的寫入期間結束后，立即由第一行按順序進入下一(或幀)的寫入期間。由此，可防止副幀504的寫入期間與下一副幀的寫入時間的重疊。
應說明的是，本發(fā)明方式中，副幀501至504按照保持時間由長到短的順序依次排列，但并不一定按照本發(fā)明實施方式的排列，例如也可以由保持時間短的開始依次排列，或保持時間長的與短的進行無規(guī)排列。副幀也可以被進一步分割為多個幀?？傊l(fā)出相同圖像信號期間，也可以進行多次柵信號線的掃描。
在此，對于寫入期間及消去期間中的、圖6所示的電路的工作進行說明。
首先對于寫入期間中的工作進行說明。寫入期間中，第n行(n為自然數(shù))的柵信號線911，通過開關918與寫入用柵信號線驅動電路913電連接，與消去用柵信號線驅動電路914不連接。源信號線912通過開關920與源信號線驅動電路915電連接。在此，信號被輸入到與第n行(n為自然數(shù))的柵信號線911連接的第1晶體管901的柵電極中，使第1晶體管901接通。然后，此時，在第一行至最后一行的源信號線中同時輸入圖像信號。應說明的是，由各列源信號線912輸入的圖像信號各自獨立。由源信號線912輸入的圖像信號通過與各源信號線連接的第1晶體管901，被輸入至第2晶體管902的柵電極中。此時，由輸入至第2晶體管902中的信號來決定電流給予線917和發(fā)光元件903間的導通或非導通，決定發(fā)光元件903發(fā)光或不發(fā)光。例如，第2晶體管902為P溝道型時，通過低電平(Low Level)信號被輸入至第2晶體管902的柵電極中，發(fā)光元件903發(fā)光。另一方面，第2晶體管902為N溝道型時，通過高電平(HighLevel)信號被輸入至第2晶體管902的柵極中，發(fā)光元件903發(fā)光。
下面對消去期間中的工作進行說明。消去期間中，第n行(n為自然數(shù))的柵信號線911，通過開關919與消去用柵信號線驅動電路914電連接，與寫入用柵信號線驅動電路913不連接。源信號線912通過開關920與電源916電連接。在此，信號被輸入到與第n行的柵信號線911連接的第1晶體管901的柵極中，使第1晶體管901接通。然后，此時，在第一列至最后一列的源信號線中同時輸入消去信號。由源信號線912輸入的消去信號通過與各源信號線連接的第1晶體管901，被輸入至第2晶體管902的柵電極中。由于輸入至第2晶體管902中的信號，使電流給予線917和發(fā)光元件903處于非導通狀態(tài)。然后，發(fā)光元件903強制性處于不發(fā)光狀態(tài)。例如，第2晶體管902為P溝道型時，通過高電平信號被輸入至第2晶體管902的柵電極中，發(fā)光元件903不發(fā)光。另一方面，第2晶體管902為N溝道型時，通過低電平信號被輸入至第2晶體管902的柵電極中，發(fā)光元件903不發(fā)光。
應說明的是，消去期間中，對第n行(n為自然數(shù))，利用上述說明的工作輸入用于消去的信號。但是，如前所述，第n行處于消去期間的同時，有時其他行(第m行(m為自然數(shù)))處于寫入期間。此時，有必要利用同列的源信號線，輸入對于第n行的消去用信號和對于第m的寫入用信號，因此優(yōu)選下面說明的工作。
通過前面說明的消去期間中的工作，第n行的發(fā)光元件903變成不發(fā)光，之后立即使柵信號線和消去用柵信號線驅動電路914處于非連接狀態(tài)，同時切換開關918，使源信號線和源信號線驅動電路915相連接。然后，使源信號線和源信號線驅動電路915相連接的同時，使柵信號線和寫入用柵信號線驅動電路913相連接。然后，由寫入用柵信號線驅動電路913信號被選擇性輸入至第m行的信號線中，使第1晶體管接通的同時，由源信號線驅動電路915輸入用于寫入第一列至最后一列的源信號線的信號。由于該信號，第m行的發(fā)光元件變成發(fā)光或不發(fā)光。
如上述那樣的結束第m行的寫入期間后，立即進入第n+1行的消去期間。為此，使柵信號線和寫入用柵信號線驅動電路913不連接的同時，切換開關920使源信號線與電源916相連。另外，使柵信號線和寫入用柵信號線驅動電路913不連接的同時，使柵信號線與消去用柵信號線驅動電路914處于相連狀態(tài)。然后，由消去用柵信號線驅動電路914選擇性輸入信號至第(n+1)行的柵信號線中，使向第1晶體管接通信號的同時，由電源916輸入消去信號。由此，結束第(n+1)行的消去期間，之后立即進入第m行的寫入期間。下面，同樣地重復消去期間和寫入期間，工作至最后一行的消去期間為止即可。
應說明的是，本方式中，對于在第n行的消去期間與第(n+1)行的消去期間之間設置第m行的寫入期間的方式進行了說明，但并不限于此，也可在第(n-1)行的消去期間與第n行的消去期間之間設置第m行的寫入期間。
另外，本方式中，如副幀504那樣設置不發(fā)光期間504d時，使消去用柵信號線驅動電路914與某一柵信號線處于非連接狀態(tài)的同時，重復使寫入用柵信號線驅動電路913與其他柵信號線處于連接狀態(tài)的工作。沒有特別設置不發(fā)光期間的幀中也可進行這種工作。
(實施方式7)使用圖9對含有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置的剖面圖的一個實施方式進行說明。
圖9中，用虛線方框圍住的是為了驅動本發(fā)明的發(fā)光元件12而設置的晶體管11。發(fā)光元件12為在第1電極13和第2電極14之間具有層15的本發(fā)明的發(fā)光元件，所述層15是由產(chǎn)生空穴的層、產(chǎn)生電子的層和含有發(fā)光物質(zhì)的層積層而成的。晶體管11的漏極區(qū)與第1電極13通過貫通第1層間絕緣膜16a、16b、16c的布線17電連接。另外，發(fā)光元件12通過隔離壁18與相鄰設置的其他發(fā)光元件分開。在本方式中，在基板10上設有具有這種結構的本發(fā)明的發(fā)光裝置。
應說明的是，圖9A-9C中示出的晶體管11為以半導體層為中心在基板的相反一側設有柵電極的頂部柵極型的。但是，對于晶體管11的結構無特別限定，例如也可以為底部柵極型。另外，在底部柵極的情況下，也可以在形成溝道的半導體層上形成保護膜(溝道保護型)，或形成溝道的部分半導體層凹陷(溝道刻蝕型)。應說明的是，21為柵電極，22為柵極絕緣膜，23為半導體層。
構成晶體管11的半導體層可以為結晶性、非結晶性的任一種。也可以為半非晶(セミアモルフアス)等。
應說明的是，半非晶的半導體為下述物質(zhì)。為具有非晶質(zhì)和結晶結構(包括單晶、多晶)的中間性的結構，并且是具有自由能穩(wěn)定的第3狀態(tài)的半導體，其含有具有短程有序并具有晶格畸變的結晶質(zhì)區(qū)域。另外，至少膜中的部分區(qū)域中含有0.5～20nm的晶粒。來自L-O聲子的拉曼光譜位移至波數(shù)低于520cm-1一側。在X射線衍射中，可觀察到被視為來自Si晶格的(111)、(220)的衍射峰。為了終止未連接鍵(懸空鍵)，至少含有1原子％氫或鹵素。其也叫做微晶半導體。進行輝光放電分解(等離子CVD)形成硅化物氣體。硅化物氣體可使用SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。也可用H2、或H2和選自He、Ar、Kr、Ne中一種或多種稀有氣體元素稀釋該硅化物氣體。稀釋率為2～1000倍的范圍，壓力大約為0.1Pa～133Pa的范圍，電源頻率數(shù)為1MHz～120MHz，優(yōu)選13MHz～60MHz?；寮訜釡囟瓤梢栽?00℃以下，優(yōu)選100～250℃。作為膜中的雜質(zhì)元素，希望在1×1020原子/cm3以下的氧、氮、碳等大氣成分的雜質(zhì)，特別是氧濃度為5×1019原子/cm3以下，優(yōu)選為1×1019原子/cm3以下。應說明的是，使用了具有半非晶物質(zhì)的半導體的TFT(薄膜晶體管)的遷移率約為1～10cm2/Vsec。
作為半導體層為結晶性的具體例子，可列舉出，含有單晶或多晶性硅、或硅鍺等的。它們也可以是由激光結晶化形成的，例如可以是通過使用鎳等的固相生長法進行的結晶化形成的。
應說明的是，半導體層在由非晶質(zhì)物質(zhì)、例如半非晶硅形成的情況下，優(yōu)選具有所有晶體管11及其他晶體管(構成用于驅動發(fā)光元件的電路的晶體管)是由N溝道型晶體管構成的電路的發(fā)光裝置。此外，也可以是具有由N溝道型或P溝道型中任一種晶體管構成的電路的發(fā)光裝置，也可以是由雙方晶體管構成的電路的發(fā)光裝置。
第1層間絕緣膜16a-16c，如圖9A-9C所示，可以為多層，也可以為單層。應說明的是，16a含有氧化硅或氮化硅之類的無機物，16b含有丙烯酸(アクリル)、硅氧烷(以硅(Si)和氧(O)的鍵構成骨架結構，取代基上至少含有氫的有機基團)、可涂布成膜的氧化硅等具有自平坦性的物質(zhì)。16c含有包含氬(Ar)的氮化硅膜。應說明的是，對于構成各層的物質(zhì)無特別限定，也可使用在此所述的以外的物質(zhì)。另外，也可進一步組合由它們以外的物質(zhì)構成的層。由此，第1層間絕緣膜16a-16c也可以使用無機物或有機物的雙方來形成，或由無機膜或有機膜中任一種來形成。
隔壁層18在邊緣部的曲率半徑優(yōu)選為連續(xù)的變化的形狀。另外，使用丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等來形成隔壁層18。應說明的是，隔壁層18可以由無機膜和有機膜中任一種來形成，或使用雙方來形成。
應說明的是，圖9A、(C)中，結構為在晶體管11和發(fā)光元件12之間僅設有第1層間絕緣膜16a-16c，但如圖9B所示，除第1層間絕緣膜16a、16b之外，也可以是設有第2絕緣膜19a、19b的結構。在圖9B所示的發(fā)光裝置中，第1電極13貫通第2層間絕緣膜19a、19b，與布線17相連。
第2層間絕緣膜19a、19b與第1層間絕緣膜16a-16c一樣，可以為多層，也可以為單層。19a含有丙烯酸、硅氧烷(以硅(Si)和氧(O)的鍵構成骨架結構，取代基上至少含有氫的有機基團)、可涂布成膜的氧化硅等具有自平坦性的物質(zhì)。19b含有包含氬(Ar)的氮化硅膜。應說明的是，對于構成各層的物質(zhì)無特別限定，也可使用在此所述的以外的物質(zhì)。另外，也可進一步組合由它們以外的物質(zhì)構成的層。由此，第2層間絕緣膜19a、19b也可以使用無機物或有機物的雙方來形成，或由無機膜或有機膜中任一種來形成。
發(fā)光元件12中，第1電極及第2電極均由具有透光性的物質(zhì)構成的情況下，如圖9A的空白箭頭所示，由第1電極13一側和第2電極14一側均可提取發(fā)光。在僅第2電極14由具有透光性的物質(zhì)構成的情況下，如圖9B的空白箭頭所示，可僅由第2電極14一側提取發(fā)光。此時，優(yōu)選第1電極13由高反射率的材料構成、或在第1電極13的下方設置含有高反射率的材料的膜(反射膜)。在僅第1電極13由具有透光性的物質(zhì)構成的情況下，如圖9C的空白箭頭所示，可僅由第1電極13一側提取發(fā)光。此時，優(yōu)選第2電極14由高反射率的材料構成、或在第2電極14的上方設置反射膜。
發(fā)光元件12可以積層層15，外加電壓以便在使第2電極14的電位高于第1電極13的電位時工作，也可以積層層15，外加電壓以便在使第2電極14的電位低于第1電極13的電位時工作。前者的情況下，晶體管11為N溝道型晶體管，后者的情況下，晶體管11為P溝道型晶體管。
如上，在本實施方式中，對利用晶體管控制發(fā)光元件的驅動的有源型發(fā)光裝置進行了說明，但此外也可以為不特別設置晶體管等驅動用元件而驅動發(fā)光元件的無源型發(fā)光裝置。在無源型發(fā)光裝置中，也可以通過含有在低驅動電壓下工作的本發(fā)明的發(fā)光元件，在低耗電下驅動。
(實施方式8)含有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置可顯示出良好的圖像，因此將本發(fā)明發(fā)光裝置應用于電子設備的顯示部，可得到可提供優(yōu)良影像的電子設備。另外，由于含有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置的發(fā)光效率良好，可在低耗電下驅動，因此將本發(fā)明發(fā)光裝置應用于電子設備的顯示部，可得到耗電低的電子設備，例如，可得到待機時間等長的電話機等。
圖10A-10C中示出了安裝了應用本發(fā)明的發(fā)光裝置的電子設備的一個實施例。
圖10A為應用了本發(fā)明而制造的筆記本型個人電腦，其由主體5521、框體5522、顯示部5523、鍵盤5524等構成。將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部裝入，可制成個人電腦。
圖10B為應用了本發(fā)明而制造的電話，主體5552由顯示部5551、聲音輸出部5554、聲音輸入部5555、工作開關5556、5557、天線5553等構成。將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部裝入，可制成電話機。
圖10C為應用了本發(fā)明而制造的電視接收機，其由顯示部5531、框體5532、揚聲器5533等構成。將具有本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部裝入，可制成電視接收機。
如上所述，本發(fā)明的發(fā)光裝置非常適合用作各種電子設備的顯示部。
應說明的是，本方式中，對于個人電腦等進行了敘述，此外，還可以在導航裝置、或照明設備等上安裝具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
實施例1本實施例中，對于結構式(19)所示的2，3-雙(4-三氟甲基苯基)喹喔啉(簡稱CF3DPQ)的合成方法進行說明。
[步驟1中間體a的合成] 依照上述流程(A-4)，混懸2.67g鎂和3ml THF(四氫呋喃)，加入少量的1，2-二溴乙烷。滴加在25.00g4-溴三氟甲苯中加入了110ml THF的溶液，加熱回流下攪拌2小時。在冷卻至室溫的溶液中，添加1，4-二甲基哌嗪-2，3-二酮7.82g，加熱回流下攪拌6小時。在冷卻至室溫的溶液中加入10％鹽酸200ml，用氯仿分液有機層。用硫酸鈉干燥后，濃縮溶劑。用柱層析(己烷/二氯甲烷系統(tǒng))精制，得到中間體a(黃色粉末，收率30％)。
依照上述流程(A-5)，在得到的2.36g中間體a和0.74g1，2-苯二胺中加入100ml氯仿，加熱回流下攪拌8小時。先用10％硫酸、然后用飽和食鹽水洗滌冷卻至室溫的溶液，用硫酸鈉干燥后，濃縮溶劑，得到本發(fā)明的配體2，3-雙(4-三氟甲基苯基)喹喔啉(簡稱CF3DPQ)(淡黃色粉末，收率91％)。
實施例2在本實施例中，對使用實施例1合成的CF3DPQ來合成結構式(11)所示的本發(fā)明的有機金屬配合物(乙酰丙酮合)雙[2，3-雙(4-三氟甲基苯基)喹喔啉合]キノキサリナ一ト)-N，C2’]銥(III)(簡稱[Ir(CF3dpq)2(acac)])的方法進行說明。
[步驟1復核配合物(簡稱[Ir(CF3dpq)2Cl]2)的合成]
依照上述流程(A-6)，首先，將30ml 2-乙氧基乙醇和10ml水溶液的混合液作為溶劑，混合2.59g配體CF3DPQ、0.74g氯化銥鹽酸鹽-水合物(IrCl3·nH2O)，在氮氣氛下回流15小時，由此得到復核配合物[Ir(CF3dpq)2Cl]2(褐色粉末，收率48％)。
銥(III)(簡稱[Ir(CF3dpq)2(acac)])的合成]
依照上述流程(A-7)，將15ml 2-乙氧基乙醇作為溶劑，混合1.24g上述得到的[Ir(CF3dpq)2Cl]2、0.18ml乙酰丙酮(Hacac)、0.61g碳酸鈉，在氮氣氛下回流16小時，由此得到本發(fā)明的有機金屬化合物(乙酰丙酮合)雙[2，3-雙(4-三氟甲基苯基)喹喔啉合-N，C2’]銥(III)(簡稱Ir(CF3dpq)2(acac))(暗紅色粉末，收率3％)。NMR數(shù)據(jù)如下。
1H-NMR.δ(CDCl3)8.17(m，8H)，7.95(brm，4H)，7.76(td，2H)，7.56(td，2H)，7.17(d，2H)，6.94(dd，2H)，6.67(s，2H)，5.30(s，1H)，1.63(s，6H)得到的Ir(CF3dpq)2(acac)的二氯甲烷中的吸收光譜及發(fā)光光譜見圖11。圖11中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示強度(任意單位)。本發(fā)明的有機金屬化合物Ir(CF3dpq)2(acac)在370nm、482nm、570nm(肩峰)、及620nm處具有吸收峰。發(fā)光光譜為在665nm處具有發(fā)光峰的紅色發(fā)光。發(fā)光光譜的半峰寬比較窄，顯示銳峰，為色純度良好的發(fā)光。
應說明的是，得到的Ir(CF3dpq)2(acac)在長波長一側可觀測到若干吸收峰。這是鄰位金屬化配合物等中常見的有機金屬配合物特有的吸收，可類推為對應于單線MLCT(金屬到配體電荷轉移)躍遷、三線π-π*躍遷、三線MLCT躍遷等。特別是，最長波長一側的吸收峰在可見光區(qū)域有寬的拖尾，這被認為是三線MLCT躍遷特有的吸收光譜。即，可知Ir(CF3dpq)2(acac)為可直接被光激發(fā)至三線激發(fā)狀態(tài)或能夠系統(tǒng)間交叉(項間交差)的化合物。
另外，在含有得到的Ir(CF3dpq)2(acac)的二氯甲烷溶液中注入含有氧的氣體，考察溶解氧狀態(tài)下使Ir(CF3dpq)2(acac)發(fā)光時的發(fā)光強度。在含有得到的Ir(CF3dpq)2(acac)的二氯甲烷溶液中注入氬，考察溶解氬狀態(tài)下使Ir(CF3dpq)2(acac)發(fā)光時的發(fā)光強度。結果，對于來自Ir(CF3dpq)2(acac)的發(fā)光，溶解氬狀態(tài)下的發(fā)光強度強于溶解氧狀態(tài)下的發(fā)光強度，可知顯示了與發(fā)磷光的物質(zhì)同樣的傾向。由此，可認為來自Ir(CF3dpq)2(acac))的發(fā)光為磷光。
本實施例中合成的Ir(CF3dpq)2(acac)，如圖11所示，對應三線MLCT躍遷的吸收大，在整個可見光區(qū)域具有比較強的吸收。因此，將本發(fā)明的有機金屬配合物用作色素敏化太陽能電池等、利用可見光的吸收的器件，由此可得到轉換效率高的器件。
另外，本實施例中合成的Ir(CF3dpq)2(acac)的三線MLCT吸收峰(620nm)與發(fā)光光譜峰(665nm)之差、即斯托克斯位移小。由此揭示了激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定?？傊?，本發(fā)明的有機金屬配合物的三線MLCT激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定，因此為適用于色素敏化太陽能電池或發(fā)光元件等光電器件的材料。
另外，本實施例合成的Ir(CF3dpq)2(acac)與溶劑混合可制成糊狀，因此也可制成糊狀來涂布。
實施例3本實施例中，對于結構式(13)所示的本發(fā)明的有機金屬化合物雙[2，3-雙(4-三氟甲基苯基)喹喔啉合-N，C2’](甲基吡啶合)銥(III)(簡稱Ir(CF3dpq)2(pic))的合成方法進行說明。
作為原料，使用實施例2的步驟1中得到的復核配合物Ir(CF3dpq)2Cl]2。首先，將30ml二氯甲烷作為溶劑，混合1.77gIr(CF3dpq)2Cl]2、0.82g吡啶甲酸(Hpic)，在氮氣氛下回流14小時。然后，用蒸發(fā)儀濃縮干燥得到的反應溶液，用甲醇溶劑重結晶。將得到的粉末用甲醇洗滌，然后用己烷洗滌，得到本發(fā)明的有機金屬化合物Ir(CF3dpq)2(pic)(茶色粉末，收率80％)。本實施例的合成流程見下述(A-8)。
另外，下面示出所得化合物的1H-NMR數(shù)據(jù)。
1H-NMR.δ(CDCl3)8.65(m，1H)，8.37(d，1H)，8.19(m，3H)，8.08(m，1H)，7.90(m，4H)，7.83(m，1H)，7.76(m，1H)，7.62(m，2H)，7.39(d，1H)，7.30(m，2H)，7.21(m，2H)，7.15(m，2H)，7.06(dd，1H)，6.99(s，1H)，6.93(m，1H)，6.34(s，1H).
用TG-DTA測定得到的本發(fā)明有機金屬化合物Ir(CF3dpq)2(pic)的分解溫度Td，結果Td＝350℃，可知顯示了良好的耐熱性。
另外圖12中示出了得到的Ir(CF3dpq)2(pic)在二氯甲烷中的室溫下吸收光譜和發(fā)光光譜。圖12中，橫軸代表波長(nm)，縱軸代表吸光度(任意單位)及發(fā)光強度(任意單位)。本發(fā)明的有機金屬化合物Ir(CF3dpq)2(pic)在374nm、441nm、486nm、553nm(肩峰)、606nm處具有吸收峰。發(fā)光光譜為在637nm處具有發(fā)光峰的紅色發(fā)光。發(fā)光光譜的半峰寬非常窄，為50nm，顯示銳峰，為色純度良好的發(fā)光。
應說明的是，得到的Ir(CF3dpq)2(pic)在長波長一側可觀測到若干吸收峰。這是鄰位金屬化配合物等中常見的有機金屬配合物特有的吸收，可類推為對應于單線MLCT(金屬到配體電荷轉移)躍遷、三線π-π*躍遷、三線MLCT躍遷等。特別是，最長波長一側的吸收峰在可見光區(qū)域有寬的拖尾，這被認為是三線MLCT躍遷特有的吸收光譜。即，可知Ir(CF3dpq)2(pic)為可直接被光激發(fā)至三線激發(fā)狀態(tài)或能夠系統(tǒng)間交叉的化合物。
另外，在含有得到的Ir(CF3dpq)2(pic)的二氯甲烷溶液中注入含有氧的氣體，考察溶解氧狀態(tài)下使Ir(CF3dpq)2(pic)發(fā)光時的發(fā)光強度。在含有得到的Ir(CF3dpq)2(pic)的二氯甲烷溶液中注入含有氬的氣體，考察溶解氬狀態(tài)下使Ir(CF3dpq)2(pic)發(fā)光時的發(fā)光強度。結果，對于來自Ir(CF3dpq)2(pic)的發(fā)光，溶解氬狀態(tài)下的發(fā)光強度強于溶解氧氣狀態(tài)下的發(fā)光強度，可知顯示了與發(fā)磷光的物質(zhì)同樣的傾向。由此，可認為來自Ir(CF3dpq)2(pic)的發(fā)光為磷光。
本實施例中合成的Ir(CF3dpq)2(pic)，如圖12所示，對應三線MLCT躍遷的吸收大，在整個可見光區(qū)域具有比較強的吸收。因此，將本發(fā)明的有機金屬配合物用作色素敏化太陽能電池等、利用可見光的吸收的器件，由此可得到轉換效率高的器件。
另外，本實施例中合成的Ir(CF3dpq)2(pic)的三線MLCT吸收峰(606nm)與發(fā)光光譜峰(637nm)之差、即斯托克斯位移小。由此揭示了激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定?？傊?，本發(fā)明的有機金屬配合物的三線MLCT激發(fā)態(tài)的分子穩(wěn)定，因此為適用于色素敏化太陽能電池或發(fā)光元件等光電器件的材料。
實施例4本實施例中，具體舉例說明將實施例3中合成的本發(fā)明有機金屬配合物Ir(CF3dpq)2(pic)用作發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件。應說明的是，本實施例中，引用圖1的符號進行說明。
首先，在玻璃基板上，利用濺射法使含有氧化硅的銦錫氧化物成模，形成第1電極151。第1電極151的厚度為110nm，大小為2mm見方。
然后將形成有第1電極151的玻璃基板固定于設置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的夾具上，以使形成第1電極151的面朝下。
將真空裝置內(nèi)減壓至1×10-4Pa后，通過共蒸鍍α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯)和三氧化鉬，在第1電極151上形成空穴注入層161?？昭ㄗ⑷雽?61的厚度為50nm。應說明的是，將NPB和三氧化鉬的比率按質(zhì)量比調(diào)整為4∶1(＝NPB∶三氧化鉬)。
然后，通過蒸鍍10nmNPB，在空穴注入層161上形成空穴傳輸層162。
再在空穴傳輸層162上，通過共蒸鍍法形成含有CBP(4，4’-N，N’-二咔唑基-聯(lián)苯)和Ir(CF3dpq)2(pic)的發(fā)光層163。發(fā)光層163的厚度為30nm，CBP和Ir(CF3dpq)2(pic)的質(zhì)量比為1∶0.025(＝CBP∶Ir(CF3dpq)2(pic))。由此，Ir(CF3dpq)2(pic)處于包含在以CBP基質(zhì)(基體)為層之中的狀態(tài)。此時，Ir(CF3dpq)2(pic)被稱為客體(ゲスト)，CBP被稱為基體。
然后在發(fā)光層163上，通過蒸鍍10nm BCP(浴銅靈；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)，形成電子傳輸層164。應說明的是，象本實施例一樣，有時將下列情況下的電子傳輸層特稱為空穴阻檔層，即其電離電勢高于基體，防止空穴由起發(fā)光層作用的層(本實施例中為發(fā)光層163)穿通起陰極作用的電極(本實施例中為第2電極152)的作用大。
進一步，在電子傳輸層164上，通過共蒸鍍法形成含有Alq3和Li的電子注入層165。電子注入層165的厚度為50nm。Alq3和Li的質(zhì)量比為1∶0.01(＝Alq3∶Li)。
最后，在電子注入層165上，形成含鋁的第2電極152。第2電極152的厚度為200nm。
外加電壓以使第2電極752的電位高于第1電極751的電位時，流通電流，在發(fā)光層163中，空穴和電子復合，形成激發(fā)能，被激發(fā)的Ir(CF3dpq)2(pic)回到基態(tài)時，按上述方法制備的發(fā)光元件發(fā)光。
在工具箱內(nèi)，氮氣氛下，進行封固該發(fā)光元件的操作，以使發(fā)光元件不暴露在空氣中，之后測定發(fā)光元件的工作特性。測定在室溫(保持在25℃的氣氛)下進行。
測定結果見圖13～15。圖13、14、15分別示出了考察了電流密度-亮度特性、電壓-亮度特性、亮度-電流效率特性的結果。圖13中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/cm2)。圖14中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/cm2)。圖15中，橫軸表示亮度(cd/cm2)，縱軸表示電流效率(cd/A)。由這些結果可知，本實施例的發(fā)光元件在外加7.6v的電壓時，以25.4mA/cm2的電流密度流通電流，以1020cd/m2的亮度發(fā)光。此時的電流效率為4.03cd/A。另外，此時的CIE色品圖中色度坐標為(x，y)＝(0.68，0.30)，可知本實施例的發(fā)光元件呈現(xiàn)色純度良好的紅色。
應說明的是，對于本實施例中制備的發(fā)光元件，以25mA/cm2的電流密度流通電流時的發(fā)光光譜見圖16。圖16中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示發(fā)光強度(任意單位)。由圖16可知，本實施例的發(fā)光元件在629nm處具有發(fā)光光譜峰，呈現(xiàn)來自Ir(CF3dpq)2(pic)的發(fā)光。
權利要求
1.一種有機金屬配合物，其含有以通式(1)表示的結構，
2.一種以通式(2)表示的有機金屬配合物， 式中，L表示具有β-二酮結構的單陰離子性配體、具有羧基的單陰離子性二齒螯合物配體、或具有酚羥基的單陰離子性的二齒螯合物配體中的任一種。
3.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(3)表示的配體，
4.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(4)表示的配體，
5.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(5)表示的配體，
6.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(6)表示的配體，
7.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(7)表示的配體，
8.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(8)表示的配體，
9.如權利要求2所述的有機金屬配合物，其特征在于，上述L為以結構式(9)表示的配體，
10.一種以通式(10)表示的有機金屬配合物，
11.一種光電器件，其特征在于，含有權利要求1、2、10中任一項所述的有機金屬配合物。
12.一種發(fā)光元件，其特征在于，在一對電極間，具有含有權利要求1、2、10中任一項所述的有機金屬配合物的層。
13.一種發(fā)光元件，其特征在于，使用權利要求1、2、10中任一項所述的有機金屬配合物作為發(fā)光物質(zhì)。
14.一種發(fā)光元件，其特征在于，使用權利要求1、2、10中任一項所述的有機金屬配合物作為熒光性化合物的敏化劑。
15.一種發(fā)光裝置，其特征在于，配置有多個權利要求12～14中任一項所述的發(fā)光元件。
16.一種發(fā)光裝置，其特征在于，使用權利要求12～14中任一項所述的發(fā)光元件作為像素。
17.一種電子設備，其特征在于，將權利要求15或16所述的發(fā)光裝置用于顯示部。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供可發(fā)磷光的物質(zhì)。本發(fā)明的課題還在于提供色度良好的發(fā)光元件。本發(fā)明提供含有以通式(1)表示的結構的有機金屬配合物。通過將本發(fā)明的有機金屬配合物用作發(fā)光物質(zhì)，可得到可呈現(xiàn)色純度良好的紅色系發(fā)光的發(fā)光元件。另外，通過將本發(fā)明的有機金屬配合物用作敏化劑，可得到可高效發(fā)光的發(fā)光元件。
文檔編號C09K11/06GK1781912SQ200510128999
公開日2006年6月7日 申請日期2005年12月5日 優(yōu)先權日2004年12月3日
發(fā)明者井上英子, 下垣智子, 瀨尾哲史 申請人:株式會社半導體能源研究所