技術(shù)特征：

1.一種磁盤，在中心部具有孔，并且，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤，其中，平坦度pv為20.0μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁盤，其中，外徑尺寸為95mm以上。

4.一種基板，用于權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁盤。

5.一種磁盤的制造方法，其是權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，

6.一種磁盤的制造方法，其是權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序中，研削量為2.5μm以上且25μm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序中，至少一次是將前述鋁合金基板或者前述玻璃基板的表背面反轉(zhuǎn)后繼續(xù)研削。

9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序后，還進(jìn)行對(duì)前述鋁合金基板或者前述玻璃基板進(jìn)行研磨的研磨工序，在前述研磨工序中，至少一次是將前述鋁合金基板或者前述玻璃基板的表背面反轉(zhuǎn)后繼續(xù)研磨。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的在于，提供一種磁盤，為薄壁且平坦，不易發(fā)生物理錯(cuò)誤。本發(fā)明是一種磁盤，在中心部具有孔，并且，厚度尺寸為0.60mm以下，將盤的半徑設(shè)為R(mm)，將從盤的中心起測(cè)定的半徑方向距離設(shè)為r(mm)，將在r/R為0.70以上且0.99以下的磁盤的外周側(cè)區(qū)域，在不同的半徑方向距離r1(mm)及r2(mm)的圓周上測(cè)定時(shí)的TIR設(shè)為TIR1(μm)及TIR2(μm)時(shí)，TIR1與TIR2之差(TIR1－TIR2)相對(duì)于磁盤的半徑方向距離r1與半徑方向距離r2之差(r1－r2)的比的絕對(duì)值|(TIR1－TIR2)/(r1－r2)|所表示的TIR的徑向變化量ΔTIR為0.50μm/mm以下。

技術(shù)研發(fā)人員：熊谷航,畠山英之,坂本遼,北村直紀(jì),北脅高太郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14