電區(qū)電性耦合。
[0033]前述的發(fā)光二極管顯示結構，其中所述的第二表面上位于該至少一信道的位置上具有至少一透明絕緣層，且該至少一通道亦貫通該至少一透明絕緣層。
[0034]本發(fā)明的目的及解決其技術問題另外再采用以下技術方案來實現(xiàn)。依據本發(fā)明提出的一種發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中該發(fā)光二極管顯示結構的形成方法包含:在至少一透明基材的特定表面上形成一第一透明導電層與一第二透明導電層；分別對該第一透明導電層與該第二透明導電層分別進行一光刻程序以轉成特定圖案并分別形成該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)，并在空間方向上正交該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)以便在空間中形成至少一空間交點；與形成至少一發(fā)光二極管，并使該至少一發(fā)光二極管分別與該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)電性耦合。
[0035]本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。
[0036]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的第一透明基材與第二透明基材的材質更包含一聚對苯二甲酸乙二酯。
[0037]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的第一透明導電層與該第二透明導電層借由一導電材料所形成，該導電材料更包含一聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸混合物、一石墨結構與一硅氧化物。
[0038]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸混合物占該導電材料的30% -70%，且該石墨結構占該導電材料的15% -35%,該硅氧化物占該導電材料的15% -35%。
[0039]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸混合物較佳范圍為50% _60%，且該石墨結構的較佳范圍為20% -25%，該硅氧化物的較佳范圍為20% -25%。
[0040]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的石墨結構更包含一石墨烯。
[0041]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含:該至少一透明基材具有一第一透明基材與一第二透明基材；分別形成一第一透明導電層與一第二透明導電層在該第一透明基材與該第二透明基材的表面上；分別對該第一透明導電層與該第二透明導電層進行光刻程序以轉成特定圖案并分別形成該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)在該第一透明基材與該第二透明基材上；進行一植入程序以形成該至少一發(fā)光二極管在該第一透明基材的該至少一第一透明導電區(qū)上；與進行一對位貼合程序以貼合該第一透明基材與該第二透明基材并形成一容置空間在其中，并使該至少一空間交點位于該容置空間中，以便在該至少一發(fā)光二極管對位于該空間交點上。
[0042]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一絕緣程序以填充一透明絕緣層在該容置空間中。
[0043]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一定位步驟以便在該至少一第二透明導電區(qū)位于該至少一發(fā)光二極管的相對位置上形成至少一凹孔以容置該至少一發(fā)光二極管。
[0044]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含:該至少一透明基材具有一第一透明基材與一第二透明基材；分別形成一第一透明導電層與一第二透明導電層在該第一透明基材與該第二透明基材的表面上；分別對該第一透明導電層與該第二透明導電層進行光刻程序以轉成特定圖案在并分別形成該至少一第一透明導電區(qū)在該第一透明基材上及形成該至少一第二透明導電區(qū)與至少一第三透明導電區(qū)在該第二透明基材上；進行一植入程序以形成該至少一發(fā)光二極管在該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)上的間隙的該第二透明基材的表面上，其中，該至少一發(fā)光二極管的兩電極分別與該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)電性耦合；進行一信道程序以依序貫通該至少一第一透明導電區(qū)與該第一透明基材并形成至少一通道，且該至少一信道位置與該至少一第三透明導電區(qū)位置相對，以便在該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第三透明導電區(qū)借由該至少一通道電性耦合；與進行一對位貼合程序以便在貼合該第一透明基材與該第二透明基材的該至少一發(fā)光二極管并形成一容置空間，其中，該至少一空間交點形成于該容置空間中，且該至少一通道對位于該至少一空間交點上。
[0045]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一絕緣程序以填充一透明絕緣層在該容置空間中。
[0046]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)以相鄰間隔的方式交錯排列，該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一發(fā)光二極管數(shù)量一致。
[0047]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一電性導通程序以填充一導電物在該通道中。
[0048]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含:分別形成該第一透明導電層與該第二透明導電層在該至少一透明基材的一第一表面與一第二表面上，其中，該第一表面與該第二表面為位置相對的兩表面；分別對該第一透明導電層與該第二透明導電層進行光刻程序以轉成特定圖案并分別形成該至少一第一透明導電區(qū)在該至少一透明基材的該第一表面以及形成該至少一第二透明導電區(qū)與至少一第三透明導電區(qū)在該至少一透明基材的該第二表面上；進行一信道程序以依序貫通該至少一第一透明導電區(qū)、該至少一透明基材與該至少一第三透明導電區(qū)并形成至少一通道，以便在該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第三透明導電區(qū)借由該至少一通道電性耦合；與進行一植入程序以形成至少一發(fā)光二極管在該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)上的間隙的該至少一透明基材的該第二表面上，其中，該至少一發(fā)光二極管分別與該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)電性耦合。
[0049]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的至少一第三透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)以相鄰間隔的方式交錯排列，該至少一第三透明導電區(qū)與該至少一發(fā)光二極管數(shù)量一致。
[0050]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一電性導通程序以填充一導電物在該至少一通道中。
[0051]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的植入程序與該信道程序的執(zhí)行順序可依需求變換。
[0052]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含:分別形成該第一透明導電層與該第二透明導電層在該至少一透明基材的一第一表面與一第二表面上，其中，該第一表面與該第二表面為位置相對的兩表面；分別對該第一透明導電層與該第二透明導電層進行光刻程序以轉成特定圖案并分別形成至少一第一透明導電區(qū)在該至少一透明基材的該第一表面以及形成至少一第二透明導電區(qū)在該至少一透明基材的該第二表面上；進行一信道程序以依序導通該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一透明基材并形成至少一通道在該至少一第二透明導電區(qū)旁的位置上；與進行一植入程序以形成至少一發(fā)光二極管在該至少一第二透明導電區(qū)上，并使該至少一發(fā)光二極管的一電極與該至少一第二透明導電區(qū)電性耦合，且使該至少一發(fā)光二極管的另一電極借由該至少一通道與該至少一第一透明導電區(qū)電性耦合。
[0053]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法更包含一電性導通程序以填充一導電物在該至少一通道中。
[0054]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的植入程序與該信道程序的執(zhí)行順序可依需求變換。
[0055]前述的發(fā)光二極管顯示結構的形成方法，其中所述的信道程序進行前，可先進行一絕緣程序以形成至少一透明介電層在該至少一第二透明導電區(qū)之間的該透明基材的該第二表面上，其中，該至少一通道依序貫通該至少一第一透明導電區(qū)、該透明基材與該透明介電層。
[0056]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案可知，本發(fā)明的主要技術內容如下:提供一種導電材料，該導電材料包含一聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物；一石墨結構；與一硅氧化物。其中上述的聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物占該導電材料的30% -70%，且該石墨結構占該導電材料的15% -35%，該硅氧化物占該導電材料的15% -35%，且聚3，4-乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物較佳范圍為50% -60%，且該石墨結構的較佳范圍為20% -25%，該硅氧化物的較佳范圍為20%-25%，其中上述的石墨結構更包含一石墨烯。根據本發(fā)明上述的導電材料可用以形成一種可撓式透明導電膜，該可撓式透明導電膜的形成方法包含進行一涂布程序以涂布該導電材料在一可撓式透明基材表面上；與進行一固化程序以形成該可撓式透明導電膜在該可撓式透明基材的表面上。根據本發(fā)明上述的目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管顯示結構，該發(fā)光二極管顯示結構包含至少一透明基材；至少一第一透明導電區(qū)與至少一第二透明導電區(qū)，且該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)在空間方向上形成正交，并在空間中形成至少一空間交點；與至少一發(fā)光二極管，該至少一發(fā)光二極管的電極分別與該第一透明導電區(qū)以及該至少一第二透明導電區(qū)電性耦合，其中上述的至少一透明基材的材質更包含一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。上述的至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)由一導電材料形成，該導電材料更包含一 PEDOT:PSS、一石墨結構與一硅氧化物，且PEDOT:PSS占該導電材料的30% -70%，該石墨結構占該導電材料的15% -35%，及該硅氧化物占該導電材料的15% -35%，上述的PEDOT:PSS的較佳范圍為50% -60%，且該石墨結構的較佳范圍為20% -25%,以及該硅氧化物的較佳范圍為20% -25%，上述的石墨結構更包含一石墨烯。根據上述的發(fā)光二極管顯示結構，更包含至少一透明基材具有一第一透明基材與一第二透明基材；與一容置空間位于該第一透明基材的一第一表面與該第二透明基材的一第二表面之間，且該至少一第一透明導電區(qū)與該至少一第二透明導電區(qū)分別位于該容置空間中相互面對的該第一透明基材的該第一表面與該第二透明基材的該第二表面上，其中，該空間交點位于該容置空間中，且該至少一發(fā)光二極管位于該空間交點位置上，上述的容置空間更包含一透明絕緣層填充于其中。
[0057]該發(fā)光二極管顯示結構更包含該至少一透明基材具有一第一透明基材與一第二透明基材，且該至少一第一透明導電區(qū)位于該第