1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有有源區(qū)和非有源區(qū)的半導(dǎo)體基底；
在所述半導(dǎo)體基底的有源區(qū)形成源極、柵極和漏極；
在所述半導(dǎo)體基底的非有源區(qū)表面形成場氧化層；
在所述場氧化層的表面形成至少一對PN結(jié)結(jié)構(gòu)和第一多晶硅結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一對PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為靜電防護單元，所述第一多晶硅結(jié)構(gòu)作為多晶硅熔線；
在所述靜電防護單元、所述多晶硅熔線和所述有源區(qū)上形成介質(zhì)層并在所述介質(zhì)層中制作多個接觸孔；
金屬填充所述多個接觸孔，并制作所述靜電防護單元、所述多晶硅熔線和所述有源區(qū)的源極、柵極和漏極的金屬互連，其中，所述靜電防護單元和所述多晶硅熔線相互串聯(lián)后再并聯(lián)于所述源極和所述柵極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過多晶硅氧化工藝在所述半導(dǎo)體基底的非有源區(qū)表面形成場氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述至少一對PN結(jié)結(jié)構(gòu)為反向串聯(lián)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)；或者，
所述至少一對PN結(jié)結(jié)構(gòu)為正向串聯(lián)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)。
4.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，該半導(dǎo)體器件通過權(quán)利要求1-3任一項所述的制造方法制造，該半導(dǎo)體器件至少包括：
具有有源區(qū)和非有源區(qū)的半導(dǎo)體基底，形成在所述半導(dǎo)體基底有源區(qū)的源極、柵極和漏極，形成在所述半導(dǎo)體基底非有源區(qū)表面的場氧化層，形成在所述場氧化層表面的靜電防護單元和多晶硅熔線，介質(zhì)層和形成在所述介質(zhì)層中 的多個接觸孔，金屬填充所述接觸孔并制作形成的所述靜電防護單元、所述多晶硅熔線、所述有源區(qū)的柵極、源極和漏極的金屬互連；
所述靜電防護單元和所述多晶硅熔線相互串聯(lián)后再并聯(lián)于所述源極和所述柵極之間。
5.一種半導(dǎo)體器件測試電路，其特征在于，用于測試權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：由柵極、源極和漏極組成的晶體管，靜電防護單元和多晶硅熔線；
該測試電路中，所述多晶硅熔線的第一端連接所述晶體管的柵極，所述靜電防護單元的第一端連接所述晶體管的源極，所述多晶硅熔線的第二端和所述靜電防護單元的第二端連接；
測試所述晶體管的柵極、源極和漏極之間的電性能，以得到具有所述靜電防護單元的晶體管的電參數(shù)；
斷開所述多晶硅熔線，測試所述晶體管的柵極、源極和漏極之間的電性能，以得到所述晶體管的電參數(shù)；
斷開所述多晶硅熔線，測試所述靜電防護單元的電性能，以得到所述靜電防護單元的電參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試電路，其特征在于，斷開所述多晶硅熔線的具體執(zhí)行過程為：在所述多晶硅熔線的第一端和所述多晶硅熔線的第二端上施加閾值熔斷電壓以熔斷所述多晶硅熔線。