技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制造方法和測(cè)試電路，該方法包括：提供具有有源區(qū)和非有源區(qū)的半導(dǎo)體基底；在半導(dǎo)體基底有源區(qū)形成源極、柵極和漏極；在半導(dǎo)體基底非有源區(qū)表面形成場(chǎng)氧化層；在場(chǎng)氧化層表面形成至少一對(duì)PN結(jié)結(jié)構(gòu)和第一多晶硅結(jié)構(gòu)，至少一對(duì)PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為靜電防護(hù)單元，第一多晶硅結(jié)構(gòu)作為多晶硅熔線；在靜電防護(hù)單元、多晶硅熔線和有源區(qū)上形成介質(zhì)層并在介質(zhì)層中制作多個(gè)接觸孔；金屬填充多個(gè)接觸孔，并制作靜電防護(hù)單元、多晶硅熔線和有源區(qū)的源極、柵極和漏極的金屬互連，其中，靜電防護(hù)單元和多晶硅熔線相互串聯(lián)后再并聯(lián)于源極和柵極之間。本發(fā)明有效檢測(cè)了半導(dǎo)體器件中晶體管的真實(shí)電參數(shù)和靜電防護(hù)單元的電參數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：張雨;岳玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510470867
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.04
技術(shù)公布日：2017.02.22